11
–записи условия задачи, в котором выделяются известные данные и конкретизируется вопрос (в процессе конкретизации определяется характеристика процесса, значение которой необходимо найти);
–обоснования выбора пути решения, в котором приводится основная фундаментальная закономерность, позволяющая найти решение задачи;
–вывода основной формулы решения, получения по ней численного значения, анализа полученного результата;
–формулировки ответа на вопрос, поставленный в задаче.
Для формирования перечисленных навыков студент должен самостоятельно разобрать примеры решений, приводимые в пособии (для заочной формы обучения) или в конспекте практического занятия, и самостоятельно решить несколько задач различного уровня сложности на пройденные разделы дисциплины. При необходимости следует обращаться за консультацией к преподавателю.
Впроцессе подготовки к практическим занятиям рекомендуется обсуждение материала с другими студентами, во время которого закрепляются знания, а также приобретается практика изложения и обсуждения полученных знаний, развиваются коммуникативные навыки.
Входе практических занятий по физике студенты знакомятся с алгоритмом и типовыми приемами решения задач. Полученные знания закрепляются путем выполнения индивидуальных заданий по теме практического занятия. Каждый студент получает свой вариант индивидуального задания. Темы практических занятий приведены в таблице 1.
Темы практических занятий по дисциплине «Физические основы промышленной электроники»
|
|
Таблица 1 |
|
|
|
№ н/п |
№ раздела дисциплины |
Темы практических занятий |
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
|
|
1. |
Раздел 1 |
Применения элементов квантовой механики к оценке ве- |
|
|
роятности обнаружить электрон в какой-либо области |
|
|
квантовой структуры. |
|
|
|
2. |
Раздел 1 |
Исследование внутреннего и вентильного фотоэффекта, |
|
|
получение световых характеристик фотоэлемента и фото- |
|
|
резистора (экспериментальные исследования). |
3. |
Раздел 2 |
Основы спектрального анализа (экспериментальные ис- |
|
|
следования). |
|
|
|
4. |
Раздел 2 |
Применение элементов квантовой механики к оценке |
|
|
мощности излучения лазеров. |
|
|
|
5. |
Раздел 3 |
Исследование зависимости ВАХ п/п диода от температу- |
|
|
ры на МУК-ФОЭ1 с обработкой данных на компьютере. |
|
|
|
|
|
12 |
|
|
|
1 |
2 |
3 |
6. |
Раздел 3 |
Анализ ВАХ и определение основных параметров п/п |
|
|
диода. |
|
|
|
7. |
Раздел 4 |
Исследование зависимости входных и выходных характе- |
|
|
ристик биполярного или полевого транзистора в схеме с |
|
|
общей базой на модульном учебном комплексе МУК- |
|
|
ФОЭ2 с анализом данных эксперимента на компьютере. |
|
|
|
8. |
Раздел 5 |
Расчет надежности микросхем в рамках статистической и |
|
|
физической модели надежности интегральных схем. |
|
|
|
9. |
Раздел 5 |
Подготовка докладов на студенческую конференцию по |
|
|
современным технологиям в промышленной электронике. |
|
|
|
Общий алгоритм решения задач по дисциплине «Физические основы промышленной электроники»
Решение любой задачи по дисциплине «Физические основы промышленной электроники» можно разделить на следующие этапы.
1.Краткое представление условия задачи заключается в записи известных и искомых величин, где приводятся численные данные в том виде,
вкотором они имеются в условии задачи. Здесь же указываются сведения, заданные неявно (например, в графической или табличной формах).
2.Перевод всех данных в условии величин в единую систему единиц
– обычно в Международную систему единиц (СИ).
3.Аналитическое решение задачи. На этом этапе, прежде всего,
следует установить, какие физические закономерности лежат в основе данной задачи. Начинать советуем с формулы, которая содержит искомую величину. Затем из формул, выражающих эти закономерности, надо найти решение задачи. При этом следует придерживаться известного положения: число уравнений в составляемой системе уравнений должно быть равно числу неизвестных. Решая аналитически эту систему уравнений любым удобным методом, нужно получить расчетную формулу искомой величины.
4.Проверка размерности искомой величины. Прежде чем произво-
дить вычисления, необходимо проверить размерность полученного результата. Для этого в расчетную формулу вместо физических величин подставляют их единицы измерения. Проверка положительна, если после упрощения выражения получена единица измерения искомой величины. Если нет, то надо искать ошибку в преобразованиях при выводе расчетной формулы.
5.Вычисление. Численный результат получается путем подстановки численных значений известных величин в расчетную формулу и вычислением полученного арифметического выражения. Расчеты, как правило, упро-
13
щаются, если величины представить в виде небольшого числа и множителя, отражающего десятичный порядок данной величины. Например,
12300 = 1,23 104 или 0,00123 = 1,23 10–3.
При вычислениях следует использовать микрокалькулятор. Результат округляется до трех значащих цифр.
Представленная последовательность действий может быть полезной при решении как расчетных, так и качественных задач.
Примеры оформления решения задачи
1. Условие: Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
Краткая запись |
Анализ данных |
Решение |
|
условия |
|||
|
|
||
|
|
|
|
Дано: |
|
В рамках квантовой механики для лю- |
|
We=10эВ |
We=16∙10-19Дж |
бой частицы справедливы соотношения |
|
неопределенностей: |
|||
|
|
||
me=9.1∙10-31кг |
|
x p h , |
|
|
|
здесь h=6,63∙10-34 – постоянная Планка, |
|
Найти: x-? |
|
||
|
|
|
Δp – погрешность измерения импульса частицы. Из этого соотношения, полагая, что максимальное значение погрешности не может превышать импульс частицы получим для минимального размера области локализации электрона выражение:
x h
p .
Отсюда видно, что минимальный размер области локализации частицы совпадает с длиной ее волны де Бройля. В нерелятивистском случае энергия электрона и его импульс связаны соотношением:
We p2 .
2me
Из этого выражения получаем p 
2meWe . Тогда окончательное выражение для минимального размера области локализации электрона будет иметь вид:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
x h 2meWe . |
||||
Подставляем числа |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
x |
|
|
6,63 10 34 |
|
|
|
6,63 |
10 9 |
0,3886нм . |
|||
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
9,1 10 31 16 |
10 19 |
17,06 |
|||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
||||||
14
Проверяем размерности:
x |
|
Дж с |
|
|
Дж с2 |
|
кг м2 с2 |
м . |
|
|
|
|
с2 кг |
||||
Дж кг |
кг |
Ответ: Минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10 эВ, равен x=3,89 Å.
2. Условие: Оцените относительную населенность зоны проводимости полупроводника при комнатной температуре, если длина волны излучения п/п лазера 700нм.
Краткая запись |
Анализ данных |
|
|
|
Решение |
|||
условия |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Дано: |
|
|
|
Согласно |
рассуждениям Эйнштейна о |
|||
t=tк=20оС |
T=273+20=293 К |
природе |
спонтанного излучения для |
|||||
двухуровневой системы относительная |
||||||||
|
|
|
|
|||||
λ=700 нм. |
λ=7∙10–7 м |
населенность зоны проводимости |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Найти:n2/n1-? |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
полупроводника определяется из выражения: |
|
|||||||
|
|
n2 |
exp( |
hc |
) . |
|
||
|
|
|
|
|
||||
|
|
n |
|
kT |
|
|||
|
1 |
|
|
|
|
|
||
Здесь h=6,63∙1-34 Дж·с – постоянная Планка, c=3∙108 м/с – скорость света в вакууме, k = 1,38·10–23 Дж/К– постоянная Больцмана, λ – длина волны, излучаемая двухуровневой системой, T – температура. Считая п/п лазер двухуровневой системой, определим из этого выражения относительную населенность зоны проводимости полупроводника.
Подставляем числа
n |
|
6,63 10 34 3 108 |
|
2 |
exp( |
|
) exp( 70,2) 3,02 10 29% . |
|
|
||
n |
|
7 10 7 1,38 10 23293 |
|
1 |
|
|
|
Проверяем размерности:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Дж м к |
|
) б / м . |
|
|
|
|
|
|||
n2 |
exp( |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
n1 |
|
с |
м Дж к |
|
|
|
|
|
|
|||||
Ответ: |
Относительная населенность зоны проводимости полупроводника |
|||||||||||||
|
при комнатной температуре и длине волны излучения п/п лазера 700 нм |
|||||||||||||
|
составляет 3,02∙10-29 %. |
|
|
|
|
|
||||||||
3. Условие: Определить ширину запрещенной зоны собственного полупро- |
||||||||||||||
водника, если при увеличении температуры в 1,25 раза, его удельное сопро- |
||||||||||||||
тивление уменьшилось в три раза. Конечная температура образца Т = 350 К. |
||||||||||||||
Краткая запись |
Анализ данных |
|
|
Решение |
|
|||||||||
|
условия |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Дано: |
|
|
|
|
|
|
|
|
Удельное сопротивление полупровод- |
|||||
Тк = 350 К |
|
|
1эВ=1,6∙10-19Дж |
ников зависит от температуры как: |
||||||||||
Тк=1,25 Т0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 exp( E kT) |
||||
1 |
2 3 |
|
|
|
|
|
|
|
здесь k=1,38∙10-23 Дж/К – постоянная |
|||||
Найти: E-? |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Больцмана, E – ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, |
||||||||||||||
T – температура. Отсюда определяется удельное сопротивление при началь- |
||||||||||||||
ной температуре: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 0 exp( E kT0 ) . |
|
|
|||
После увеличения температуры: |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 0 exp( E kTк ) . |
|
|
|||
Тогда, если разделить первое равенство на второе и выразить |
E, получаем: |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
E T T |
k ln( 1 2 ) . |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
2 |
T2 |
T1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Подставим численные данные из условия: |
|
|
|
|||||||||||
E T 2 |
|
k ln( |
|
|
) |
( Дж) 350 |
1,38 (ln 3) 10 23 |
(эВ) 0,132(эВ) . |
||||||
|
|
1 |
|
2 |
|
|
|
|||||||
|
к |
1,25 |
T (1 1 1,25) |
|
0,25 1,6 10 19 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
к |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Проверяем размерности: |
|
|
|
|
|
|||||||||
E к Дж |
Дж |
Дж эВ |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
к |
|
|
|
|
|
|
Кл |
|
|
|
|
|
Ответ: Выполнение условия задачи возможно, если ширина запрещенной |
||||||||||||||
зоны собственного полупроводника равна |
Е=0,132эВ. |
|
||||||||||||
4. Условие:Определите высоту потенциального барьера на p-n+ переходе на |
||||||||||||||
базе арсенида галия при комнатной температуре, если донорная примесь пре- |
||||||||||||||