Материал: 9205_Ромашкин_Лаб_4_КЭТ

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе №4

Тема: «Исследование нелинейных полупроводниковых резисторов»

Санкт-Петербург

2021

Цель работы:

• Построить статические ВАХ термистора и позистора

• Построить зависимость сопротивления позистора от температуры, построить температурную характеристику термистора, определить температурных коэффициент температурной чувствительности термистора.

• Вычислить коэффициент нелинейности варистора при комнатной температуре.

• Вычислить температурные коэффициенты сопротивления варистора при неизменном напряжении и неизменном токе.

Основные понятия и определения

Характерной особенностью полупроводниковых материалов является сильная зависимость их проводимости от различных внешних факторов. Это позволяет создавать на основе полупроводников датчики внешних энергетических воздействий. В данной работе исследуются датчики температуры - терморезисторы и напряженности электрического поля - варисторы.

Терморезистор - это резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от температуры. Все полупроводниковые терморезисторы можно разделить на термисторы - полупроводниковые терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления и позисторы - полупроводниковые терморезисторы с положительным температурным коэффициентом сопротивления.

Основная часть термисторов изготовлена из оксидных полупроводников - оксидов металлов переходной группы таблицы Менделеева. Электропроводность оксидных полупроводников с преобладающей ионной связью отличается от электропроводности классических ковалентных полупроводников. Для металлов переходной группы характерны незаполненные электронные оболочки и переменная валентность. В результате электропроводность таких оксидов связана с обменом электронами между соседними ионами. Энергия, необходимая для стимулирования этого обмена, экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. Таким образом, температурные зависимость сопротивления термистора из оксидного полупроводника может быть аппроксимирована уравнением, характерным для классических ковалентных полупроводников: , где - коэффициент зависящий от исходного материала и конструкции термистора;B- коэффициент температурной чувствительности; T-абсолютная температура термистора. Аналогично, температурная зависимость проводимости термистора может быть аппроксимирована уравнением:

(4.1)

где - коэффициент, характерный для данного термистора. Это уравнение после логарифмирования имеет вид линейной зависимости (4.2)

Коэффициент температурной чувствительности B для оксидных полупроводников отражает интенсивность обмена электронами между соседними ионами, а для ковалентных полупроводников - интенсивность ионизации атомов с увеличением температуры. Значение коэффициента температурной чувствительности в соответствии с уравнением (4.2) может быть определено экспериментально по двум значениям проводимости термистора при температурах Т₁ и Т₂:

(4.3)

Принцип действия позисторов, которые состоят из титаната бария с различными примесями, связан с фазовым переходом из сегнетоэлектрического состояния в параэлектрическое. Переход из одной фазы в другую происходит в узком интервале температур с резким увеличением удельного сопротивления материала позистора при увеличении температуры.

Варистор - это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения. В лабораторной работе исследуется варистор, изготовленный методом керамической технологии из порошкового карбида кремния со связкой. Нелинейность вольт-амперной характеристики (ВАХ) таких варисторов обусловлена явлениями на точечных контактах между кристаллами карбида кремния. При относительно больших напряжениях на варисторе и, соответственно, при относительно больших токах, проходящих через варистор, разогрев точечных контактов приводит к уменьшению их сопротивления и к нелинейности ВАХ варистора. Этот механизм является основным при относительно больших напряжениях на варисторе. Малые объемы активных областей под точечными контактами между кристаллами обеспечивают очень малую тепловую инерционность данных областей. Поэтому варисторы обладают нелинейной ВАХ и при переменном напряжении, чем варисторы существенно отличаются от термисторов.

Вольт-амперная характеристика варистора соответствует уравнению I=AU^β, где A - коэффициент, значение которого зависит от типа варистора, β- коэффициент нелинейности варистора.

Протокол наблюдений лабораторная работа №4 Ромашкин в.Г. Группа 9205.

4.3.1 Исследование статических вах термистора и позистора.

Таблица 4.1.1 Таблица 4.2.1

4.3.2 Исследование динамической вах варистора при комнатной температуре.

Рисунок 4.1.1

Развертка X-Y.

Канал X-5 В/дел.

Канал Y-1 В/дел.

Размах примерно 10 на 7,5 делений.

Сопротивление на резисторе 100 Ом.

4.3.З. Осциллографирование зависимостей от времени тока через варистор и напряжения на нем.

Рисунок 4.2.1 Рисунок 4.3.1

Сигнал напряжения-синусоида. Сигнал тока-кривая с перегибами.

4.З.4. Исследование температурных характеристик термистора и позистора.

Таблица 4.3.1

*Показания сопротивлений позистора 60-100 °C не ясны в следствии технических сложностей.

При показаниях прибора 0 °С сопротивлении позистора- 262,4 Ом, сопротивление термистора 5,027 К Ом.

При показаниях прибора >100 °С сопротивлении позистора- 184,2 К Ом, сопротивление термистора 0,77 К Ом.