Материал: KET3LAB
Раздел №3 Активные элементы радиоэлектронных устройств
Лабораторная работа № 3. Исследование основных параметров
транзисторов
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3
Дата 08.11.2021 ФИО Фомин Павел Викторович Уч.гр РЦТ-01
Цель работы:
Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.
Объект и средства испытаний:
Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-
N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
Схема
электрической
цепи
для
снятия
ВАХ
биполярного
транзистора
transistor_1.ms14.
Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора
Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=5В.
-
Ток базы Iб, мкА
50
100
200
300
400
500
Напряжени е Uбэ, В
0.687
0.711
0.736
0.750
0.759
0.769
Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора
Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=10В.
-
Ток базы Iб, мкА
50
100
200
300
400
500
Ток коллектора Iк, мА
12
24
47
65
82
101
Напряжени е Uбэ, В
0.688
0.711
0.736
0.750
0.761
0.771
График с входными ВАХ транзистора Iб=f(Uбэ) для напряжений Uкэ
равных 5 В и 10 В.
Uкэ=5В
Uкэ=10В
Передаточная характеристика транзистора. Зависимость Iк=f(Iб) для
Uкэ=10 В.
Коэффициент усиления транзистора.
β= ∆ I к = 89 =0.198
∆ I б 0.45
Выходные характеристики биполярного транзистора.
-
Напряжение Uкэ, В
0,1
0,5
1
5
8
12
Ток коллектор а Iк, мА
при токе
базы Iб, мкА
50
1.574
5.948
6.254
8.694
11
13
100
3.245
12
13
18
22
27
200
6.286
23
24
34
41
51
300
9.118
33
35
49
59
73
400
11
42
44
61
74
91
500
14
50
52
73
88
109
График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора Iк=f(Uкэ).
Iб= 50 100 200 300 400 500
Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.
Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.
Результаты эксперимента.
Параме тр |
Значение в контрольной точке |
||||||||||||||
Iб, мкА |
100 |
200 |
300 |
400 |
500 |
600 |
700 |
800 |
900 |
1000 |
1200 |
1400 |
1800 |
2000 |
2100 |
Uбэ, В |
0,73 |
0,74 |
0,75 |
0,76 |
0,77 |
0,77 |
0,78 |
0,78 |
0,79 |
0,79 |
0,79 |
0,79 |
0,8 |
0,8 |
0,8 |
Uкэ, В |
6,5 |
6,26 |
4,72 |
3,66 |
2,74 |
2 |
1,34 |
0,86 |
0,38 |
0,26 |
0,21 |
0,2 |
0,18 |
0,17 |
0,17 |
Iк, мА |
37 |
38 |
49 |
56 |
62 |
67 |
71 |
74 |
77 |
78 |
79 |
79 |
79 |
79 |
79 |
Графики Uкэ=f(Uбэ) и Iк=f(Iб).
ВЫВОД: принцип действия биполярного транзистора, его основные параметры и способы их определения изучены. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером произведено.