Физические основы молекулярной электроники
2.2. Пример построения
молекулярного элемента памяти
для иллюстрации возможности создания электронного ус тройства в виде комплекса нескольких органических молекул при ведем разработку Центра Молекулярной электроники фирмы IBM в Питгсбурге. Исследователям ЭТОго центра уцалось сконструиро вать базовый для компьютерных систем элемент типа «И», из ко торого можно построить все другие необходимые логические эле
менты - триггеры, счетчики и, в итоге, всю вычислительную си
стему. Основным активным элементом этого вентиля является мо лекула порфирина (к группе порфиринов относятся такие важней шие пигменты, как гемоглобины). Порфирины - важный класс органических молекул, содержащих в своей структуре ион метал ла; такие молекулы играют определяющую роль во многих био логических процессах переноса энергии. Порфирин - один из существенных химических компонентов хлорофилла, вещества, которое обеспечивает преобразование растениями солнечного све та, воздуха и воды в целый ряд комплексных органических соеди нений, из которых состоит растение.
С точки зрения архитектуры молекулярный вентиль иден
тичен типичному полупроводниковому вентилю: у него два входа
(А и В) и один выход (С) (рис.2.1). Входы состоят ИЗ молекул кра
сителя цианина, соединенных с молекулами хинона; узловой мо лекулой ячейки является молекула порфирина; выходом служит молекула другого красителя - хромафора. Линейные размеры структуры молекулярного вентиля составляют менее одной сотой
от размеров наименьшего теоретически возможного аналогично
го полупроводникового вентиля.
В то время как на входы полупроводникового вентиля по
даются электрические импульсы, входные сигналы молекулярно
го вентиля представляют собой импульсы света, генерируемые лазером (Лl). Входная молекула цианина (1) поглощает испущен ный лазером фотон и в результате приобретает электрон. Этотэлек трон перемещается из цианиновой молекулы через хиноновую (2)
46
Глава 11 Элементная база молекулярной электроники
|
1 |
2 |
3 |
|
А |
В |
С |
|
А .....-.-.-011...--...... |
|
|
|
|
||
0/\1'+ |
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
с |
|
|
|
||
Лl |
~--......-- |
|
|
1 |
О |
О |
|
|
|
|
|
|
|||
|
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
О 1 О
О О О
1 1 1
а |
6 |
Рис. 2.1. а) Различные ситуации на входах (А и В) и выходе (С) молекулярного вентиля. Стрелками обозначено излучение двух лазеров на входе и считывающего лазера на выходе. Буква "е" показывает наличие и прохождение свободного электрона по уст ройству. 1 - молекула цианина, 2 - молекула хинона, 3 - мо лекула порфирина, 4 - молекула-хромафор на выходе. б) Таб лица, иллюстрирующая логическую схему работы вентиля [D2]
в молекулу порфирина (3). Если в молекулу порфирина попадает один добавочный электрон, это не производит никакого эффекта,
но если в нее поступают сразу два электрона - по одному от каж
дого входа - она вытолкнет электрон в выходную молекулу хро
мафора, Этот электрон изменяет частоту, на которой выходная молекула - хромафор - поглощает фотоны. Состояние выход ной молекулы можно идентифицировать лазером (Л2): если свет
поглощается - это одно состояние, если отражается - другое.
47
Физические основы молекулярной электроники
в системах, содержащих большое количество вентилей, выход одного вентиля будет, возможно, соединен со входом дру гого. В этих случаях выходная молекула хромафора не нужна; так же лишней станет и молекула цианина во втором вентиле, с кото рым соединен первый. Будет иметь место простой перенос элект рона с выхода одного вентиля на вход другого. В качестве "прово дов'', соединяющих два вентиля, будут применяться молекулы "органического металла" на основе полиацетилена (см. п.l.l.4).
Основная трудность при рассмотрении возможности ис пользования отдельных молекул и молекулярных ансамблей в ка честве средств хранения, передачи или перера6отки информации
заключается в том, что, как правило, реальные предложения по
схемотехнике, основанной на молекулярных элементах, в настоя щее время отсутствуют. В литературе описываются лишь теоре тические, умозрительные модели подобных устройств. Как видно из приведенного выше примера, молекулярные устройства - это
твердые тела, построенные из отдельных органических молекул,
связанных между собой слабыми вандерваальсовыми силами. При этом в самих молекулах обычно реализуется более сильная кова лентная связь. По сути, такие комбинации молекул представляют собой образования типа молекулярнах кристаллов, поэтому ниже будут описаны возможные варианты таких молекулярных ансам блей и технологии их синтеза в линейном, планарном и объемном
вариантах.
2.3. Молекулярные кристаллы
Под молекулярными кристаллами обычно подразумевают кристаллы, образованные из молекул, взаимодействующих друг с другом посредством слабых вандерваальсовых или водородных связей. Внутри молекул между атомами действует более прочная, обычно ковалентная связь. Поскольку взаимодействие между мо лекулами в таких кристаллах существенно слабее, чем между ато мами в них, следует ожидать, что свойства отдельных молекул при образовании из них твердого или жидкого вещества сохраняются
48
Глава 11 Элементная база мол екуляр ной эле ктроники
в значительно большей степени, чем это имеет место в кристал лах с другими типами связей.
Молекулярные кристаллы могут образовывать многие органические молекулы (нафталин, антрацен и др.); некоторые простые вещества (например, Н2, 02' S2' галогены, бинарные со единения N02, СО:!' и другие); металлоорганические и некоторые комплексные соединения. Молекулярными кристаллами являют ся многие полимеры, в том числе белки и нуклеиновые кислоты, биологические мембраны, жидкие кристаллы. Примером более "прочного" молекулярного кристалла является лед, который обра зуется в результате межмолекулярного взаимодействия более силь ного типа посредством сети водородных связей.
2.3.1. Органические молекулярные кристаллы. Строе ние и электронные свойства. В плане возможного использова ния в молекулярной электронике и как модельные молекулярные ансамбли нас главным образом будут интересовать органические молекулярные кристаллы (ОМК), в особенности кристаллы аро магических углеводородов и ряда гетероциклических соединений, электронные свойства которых наиболее изучены. В этих крис галлах вандерваальсовы силы взаимодействия значительно пре вышают силы взаимодействия в более простых кристаллах, на пример, кристаллах инертных газов. Об этом, например, прямо свидетельствуют значения теплоты сублимации Hs кристаллов полиаценов*) Hs = 7-126 кдж .м' (для молекулярных кристаллов инертных газов 4-5 кдж .м"). Кроме того, для широкого класса ОМК, характерными являются более специфические виды меж молекулярного взаимодействия - водородная и донорно-акцеп
горная связи.
Донорно-акцепторная связь играет существенную роль в бинарных ОМК, которые состоят из молекул двух видов - элект ронных доноров и акцепторов. Все три вида отмеченных выше меж-
.) Полиаценаминазываютряд линейныхароматическихуглеводородов, к которымотносятсянафталин,антрацен,тетрацен, пентацсн и т.д. (см.
рис.2.1).
49
Физические основы молекулярной электроники
молекулярных связей встречаются в различных молекулярных био системах, обеспечивающих перенос экситонов и носителей заряда; в хлоропластах, митохондриях и других составляющих живой клет ки, которые являются наиболее сложными видами ОМК.
По сравнению с обычными кристаллами, органические молекулярные кристаллы характеризуются малой плотностью, слабой электропроводностью и низкой температурой плавления. Достаточно типичным примером ОМК является антрацен. Срав нительные характеристики физико-химических свойств антраце на и германия приведены в таблице 2.1. Как отмечалось в П.I.I.I ,
для антрацена зонная модель применима только для описания дви
жения носителей заряда в плоскости АВ (рис.l.2), поэтому значе ния ширины запрещенной зоны и подвижностей приведены в таб
лице 2.1 для этого случая.
Таблица 2.1
Физико-химические характеристики |
Антрацен |
Германий |
|
|
|
Молекулярный (атомный) вес (ат.ед.) |
178,2 |
72.6 |
|
|
|
Температура плавления ос |
217 |
931 |
|
|
|
Плотность (г/см3 ) |
1,25 |
5,3 |
|
|
|
Число молекул (атомов) на см3 |
0,4 . 1022 |
4,4 . 1022 |
|
|
|
Диэлектрическая постоянная (статическая) |
3,4 |
16 |
|
|
|
Ширина запрещенной зоны (эВ) |
3,9 |
0,78 |
|
|
|
Подвижность электронов (см2в-1с·1 ) |
0,88 |
3800 |
|
|
|
Подвижностьдырок (см2в-1с.1) |
0,44 |
1800 |
Концентрациясобственныхносителей (см3) |
10-4 |
5,2 . 1013 |
|
|
|
По другим направлениям слабое межмолекулярное взаи модействие приводит к незначительному изменению электронных свойств отдельных молекул при образовании кристалла. Как по
казывают данные рентгеноструктурного анализа по распределе-
50