Материал: Квантовая оптика. Физика атомов и ядер. Физика полупроводников. контрольные задания для зачета по лабораторным работам. Москаленко А.Г., Гаршина М.Н

Вариант 1

1. Образование энергетических зон в кристаллах и их заполнение электронами. Как осуществляется классификация твердых тел на металлы, диэлектрики и полупроводники?

2. На рисунке показан участок периодической системы Менделеева

При введении какой примеси в чистый кремний он становится полупроводником n-типа?

3

4

5. Опишите механизм собственной и примесной фотопроводимости полупроводников.

Вариант 2

1. Каков механизм собственной и примесной проводимости полупроводников?

2. На рисунке показан участок периодической системы Менделеева

При введении какой примеси в чистый кремний он становится полупроводником р-типа?

3. Если число образующих кристалл атомов N увеличить в 3 раза, то число электронов, которое может вместить 2р-зона

1) не изменится	2) увеличится в 3 раза
3) увеличится в 6 раз	4) увеличится на 3N,

4

1)   exp(-E_g/2kT) 2)   exp(-E_Д/2kT)

3)   exp(-E_А/2kT) 4)   T^-3/2

5. Красная граница фотопроводимости в собственном полупроводнике описывается формулой

1) λ = hc / Е _Д 2) λ = hc / Е _g 3) λ = hc / Е _а 4) λ = hc / eU

Вариант 3

1. Какой вид имеют энергетические диаграммы полупроводников р- и n-типов?

2. На рисунке показан участок периодической системы Менделеева

При введении какой примеси в чистый германий он становится полупроводником n-типа?

3. Максимальное число электронов, которое может вместить энергетическая зона 4f кристалла, содержащего N атомов, равно

1) 6N 2) 10N 3) 14N 4) 18N

4

1)   exp(-E_g/2kT) 2)   exp(-E_Д/2kT)

3)   exp(-E_А/2kT) 4)   T^-3/2

5. Примесная фотопроводимость полупроводников наблюдается

1) при любой температуре

2) при температуре ниже температуры истощения примесей Т_S

3) выше температуры Т_i

4) выше температуры Т_S , но ниже температуры Т_i перехода к собственной проводимости

Вариант 4

1. Какова температурная зависимость проводимости собственных и примесных полупроводников в координатах lnσ от 1/Т ?

2. На рисунке показан участок периодической системы Менделеева

При введении какой примеси в чистый германий он становится полупроводником р-типа?

3. Какая точка на кривой температурной зависимости уровня Ферми в полупроводнике n-типа соответствует температуре истощения примесей?

4

5. Красная граница фотопроводимости в полупроводнике p-типа описывается формулой

1) λ = hc / Е _Д 2) λ = hc / Е _g 3) λ = hc / Е _а 4) λ = hc / eU

Вариант 5

1. Энергией активации собственной проводимости называется

1) энергия, которую необходимо сообщить электрону для перевода его с донорного уровня в зону проводимости;

2) энергия, которую необходимо сообщить электрону для перевода его из валентной зоны в зону проводимости;

3) энергия, которую необходимо сообщить электрону для перевода его из валентной зоны на акцепторный уровень;

4) энергия, которая выделяется при рекомбинации электрона с дыркой.

2. Если кристалл состоит из N атомов, то разность между числом подуровней, из которых состоит зона 3d и 4s, равна

1) N 2) 2N 3) 4N 4) 7N

3

4. На рисунке представлена зависимость логарифма концентраций распределения электронов в зоне проводимости от обратной температуры. На участке cd концентрация носителей изменяется по закону

1) n=pe ^{–Eg / 2kT} 2) ne ^{–Eд / 2k} 3) pe ^{–EА / 2kT} 4) n  N_д

5. Красная граница фотопроводимости в полупроводнике n-типа описывается формулой

1) λ = hc / Е _Д 2) λ = hc / Е _g 3) λ = hc / Е _а 4) λ = hc / eU

4.2. Контрольные задания к лабораторным работам: №3.08. «Изучение явления испускания света полупроводниками»; №3.10. «Изучение выпрямляющих свойств полупроводниковых диодов» Вариант 1

1 . Образование p-n перехода. Зонная диаграмма p-n перехода в состоянии равновесия.

2. Какой цифрой обозначены носители, которые являются неосновными для полупроводника n – типа?

3. Дать определение вентильного фотоэффекта.

4. Обратный ток в р-n-переходе обусловлен

1) только электронами

2) только дырками

3) основными носителями тока

4) неосновными носителями тока

5 . Какая зонная диаграмма соответствует равновесному состоянию р-n перехода?