“Дослідження транзистора у динамічному режимі”
1 Мета роботи: Досліди роботу транзистора у динамічному режимі і розрахувати основні параметри.
2 Завдання:
2.1 До лабораторної роботи!
Із довідника Лариненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам – Киев: Техника, 1989 – 574 ст. (або аналогічного) записати до теоретичних положень ( пункт 3.1 )
– основні електричні параметри транзистора ГТ108А,
– накреслити схемне позначення і цоколівку.
2.2 Під час виконання лабораторної роботи:
Зняти динамічні характеристики для двох значень Rк, побу-дувати їх на статичних характеристиках, розрахувати величину їх опорів і визначити графічним способом статичний і динамічний коефіцієнт підсилення транзистора (h21) та вихідну провідність (h22). Порівняти отримані результати з довідниковими.
3 Характеристика робочого місця:
3.1 Теоретичні відомості:
ГТ108А
=
20
50.
Uк =10 В.
Ік = 50 мА.
Ік0 = 10 мкА.
h22= 3.3 мкC.
fм = 0,5 МГц.
С = 50 пФ.
Р = 75 мВт.
3.2 Схема електрична принципова:
Ек
Rк
R1
Р3
Р2
Rб
RЕ
VT
Р1
Р4
Р5
3.3 Прилади та обладнання:
– Робоче місце № ___ ;
– Макет№ ___ ;
– Джерело живлення постійним струмом 10 В;
– Джерело живлення постійнимним струмом = 30 В;
– Вимірювальні прилади макету:
П.№ |
Назва |
Тип |
Система |
Клас |
Межа вимірювань |
1 |
Вольтметр |
М4257 |
М/ел |
5,0 |
0 0,5 |
2 |
Міліамперметр |
М4200 |
М/ел |
5,0 |
0 0,5 |
3 |
Вольтметр |
М4202 |
М/ел |
5,0 |
0 5 |
4 |
Міліамперметр |
М4208 |
М/ел |
5,0 |
0 50 |
4 Хід роботи:
4.1 Таблиця вимірювань:
Іб (мкА) |
0 |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
|
Uк (В) |
Rк= |
10 |
6,5 |
2,6 |
0,2 |
0,1 |
0,07 |
Ік (мА) |
0 |
11 |
21 |
28 |
29 |
30 |
|
4
Ік=f(Uке)
Ік(mА)
40 0
Іб=150
(мкА)
30
Іб=100
(мкА)
20
Ік
Іб
Іб=50(мкА)
10
Uке(В)
0
Uк
4
12
10
8
6
2
4.3 Розрахунки:
– коефіцієнт підсилення
–
вихідна провідність
– Навантаження
Rк
=
Ек
–
Uк
10
– 2,3
=
375,6
=
(Ом);
Ік
20,510–3
5 Висновок :
Розрахунковим шляхом визначені параметри транзистора 1Т308А h21 = 190 раз h22 = 2,4 мкС Rк = 375,6 лежать в межах зна-чень, які описані в підручнику Б.С. Гершунский Основы электроники и микроэлектроники Киев: Вища школа, 1987 с. 121 133.