Ускорительная техника, физика пучков…
Табл. 1. Результаты измерений частоты и добротности.
|
|
Измеренная частота |
|
Измеренная доб- |
L, |
|
|
F, MHz |
|
ротность Q |
мм |
|
|
|
|
|
|
Пустой резонатор |
|
1293 |
|
10000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Структура с сапфиром внутри |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Образец №1 |
|
1264 |
|
10240 |
185 |
|
|
|
|
|
|
Образец №2 |
|
1258 |
|
10300 |
195 |
|
|
|
|
|
|
Образец №3 |
|
1240 |
|
10569 |
225 |
|
|
|
|
|
|
Опираясь на полученные разности в добротностях и частотах методом подбора определены значения тангенса угла диэлектрических потерь исследуемых образцов сапфира:
Табл. 2. Полученные характеристики образцов сапфира.
|
ɛ |
tg δ *10^-5 |
|
|
|
Образец №1 |
9.30 |
1.1 |
|
|
|
Образец №2 |
9.20 |
1.6 |
|
|
|
Образец №3 |
9.25 |
3.1 |
|
|
|
Теория[2] |
9.50 |
3.0 |
|
|
|
Как видно из сводной Табл. 2, экспериментально полученные значения тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрическая проницаемость исследуемых образцов сапфира хорошо сходятся с теоритическими данными. Так же на основе полученных результатов, можно сделать вывод, что образцы являются очень качественными с точки зрения чистоты объема материала и техники изготовления.
Список литературы
1.http://www.cst.com // CST Studio Suite User Manual
2.“Sapphire: Material, Manufacturing, Applications”// E.R. Dobrovinskaya, L. A. Lytvynov,
стр. 116-117
_______________________________________________________________________
ISBN 978-5-7262-2222-6. XIX конференция «Молодежь и наука» |
111 |
Ускорительная техника, физика пучков…
Д.С. БАЗЫЛЬ, А.И. ОРЛОВ, Я.В. ШАШКОВ Научный руководитель – Н.П. СОБЕНИН
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
РАСЧЕТ ПОПЕРЕЧНОГО ШУНТОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В ГАРМОНИЧЕСКОМ РЕЗОНАТОРЕ
В рамках проекта повышения светимости Большого Адронного Коллайдера [1] ведутся работы по гармоническому резонатору. В статье приводятся результаты расчета поперечного шунтового сопротивления волн высшего типа (ВВТ) H111 и
E110.
Шунтовое сопротивление – это отношение ускоряющего электрического поля к потерям ВЧ мощности в ускоряющей структуре [2]. Поперечное шунтовое сопротивление, является индикатором потенциально опасных ВВТ в ускоряющих структурах. Существует два метода вычисления эффективных погонных поперечных шунтовых сопротивлений (далее
)[3]:
1)По теореме Панофски-Вензеля,
можно вычислить, используя следующее соотношение:
|
, |
(1) |
где |
– продольное волновое число, Ez – продольная компонента |
|
электрического поля, Pпот – мощность потерь в структуре, r – поперечная координата смещения относительно центральной оси, l – длина структуры.
2) Метод прямого интегрирования Второй метод основывается на вычислении поперечных осевых состав-
ляющих электрического и магнитного поля и описывается формулой[3]:
(2)
Где c – скорость света, µ0 – магнитная постоянная, Ey – поперечная осевая составляющая электрического поля, Hx – поперечная осевая составляющая магнитного поля.
_______________________________________________________________________
112 ISBN 978-5-7262-2222-6. XIX конференция «Молодежь и наука»
Ускорительная техника, физика пучков…
На Рис. 1 приведена геометрия рассматриваемой структуры:
Рис. 1. Геометрия эллиптической ячейки гармонического резонатора
В Табл. 1 приводятся основные электродинамические характеристики ВВТ, а так же результаты расчета поперечного шунтового сопротивления двумя методами.
|
|
H111 |
E110 |
Частота F, МГц |
|
4000.265 |
3456.93 |
Относительная фазовая скорость частицы, |
1 |
1 |
|
β |
|
|
|
Мощность потерь P, МВт |
|
1.496 |
1.311 |
Продольное волновое число Kz, 1/м |
|
83.83 |
72.45 |
Длина структуры l, м |
|
0.0466 |
0.0466 |
Поперечное шунтовое сопротивление |
, |
0.8 |
17 |
МОм/м |
|
|
|
(1-й метод) |
|
|
|
Поперечное шунтовое сопротивление |
, |
0.8 |
16 |
МОм/м |
|
|
|
(2-й метод) |
|
|
|
Анализируя полученные значения
можно сделать вывод, что оба
метода практически сходятся.
Список литературы
1.L.Rossi, LHC upgrade plans:options and strategy, IPAC2011, p.908.
2.“Техника сверхвысоких частот” // О.С. Милованов, Н.П. Собенин,
3.А.Ю.Смирнов, Н.П.Собенин и др. Высокочастотные дефлекторы для диагностики пучков заряженных частиц. М.НИЯУ МИФИ, 2014
_______________________________________________________________________
ISBN 978-5-7262-2222-6. XIX конференция «Молодежь и наука» |
113 |
Ускорительная техника, физика пучков…
Д.В. СУРКОВ Научные руководители – М.А. ГУСАРОВА, к.т.н., доцент
С.В. МАЦИЕВСКИЙ, аспирант
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
АВТОЭМИССИОННЫЙ ЭМИТТЕР ДЛЯ МНОГОПУЧКОВОГО РЕЗОНАТОРА-ГЕНЕРАТОРА
В S-ЧАСТОТНОМ ДИАПАЗОНЕ
Рассмотрены вопросы выбора физической модели эмиссионных процессов при моделировании автоэмиттеров для многопучкового резонатора-генератора в S- частотном диапазоне.
Автоэмиссионные эмиттеры на основе углеродных микро- и наноразмерных структур, позволяющие получать направленные потоки электронов при относительно невысоких значениях электрического поля и температуры, представляют существенный интерес при разработке электронных пушек генераторов СВЧ-мощности и ускорителей заряженных частиц. В этой связи рассматривается вопрос применения автоэлектронного эмиттера для многопучкового резонатора-генератора в s-диапазоне. В ходе моделирования необходимо выбрать эмиссионную модель эмиттера.
Наиболее известными и хорошо изученными структурами автоэмиссионных эмиттеров являются углеродные микроструктуры. Стандартная модель автоэлектронной эмиссии описывается уравнением Фау- лера-Нордгейма, которая используется при моделировании автоэмиссионных процессов в программе трёхмерного моделирования CST PS.
j=AE2exp(-b/E) (1)
Коэффициенты a и b в уравнении (1) являются параметрами материала катода и подвержены эффекту Шоттки, снижающему работу выхода материала при приложении внешнего электрического поля.
Для моделирования автоэмиссии с микроразмерных структур используются табличные значения параметров материалов. Однако, при моделировании устройства с использованием таких катодов, непосредственное решение уравнения Фаулера-Нордгейма не представляется возможным. В таком случае требуется использовать вольт-амперную характеристику катода.
Было произведено сравнение вольт-амперных характеристик микро- и наноразмерных структур (рис.1 сверху и снизу соответственно).
_______________________________________________________________________
114 ISBN 978-5-7262-2222-6. XIX конференция «Молодежь и наука»
Ускорительная техника, физика пучков…
Видно, что использование наноструктур выгодно, т.к. тот же ток достигается при меньших значениях внешнего электрического поля.
Таким образом, для наноструктур следует использовать только экспериментальные ВАХ, и при расчёте в CST PS, исходя из них, подбирать коэффициенты, а и b.
Рис.1 Вольтамперные характеристики эмиттеров
Список литературы
1.Мациевский С.В., Савин Е.А. Оптимизация геометрии многопучкового резонаторагенератора для питания секции линейного ускорителя в S-частотном диапазоне. Конференция «Молодежь и наука».
2.Райзер Ю.П. Фищика газового разряда. Изд. Наука, 1987.
3.Смольникова Е.А. Диссертация «Исследование структурных и автоэмиссионных характеристик нанографитных холодых катодов». МГУ Москва 2015.
4.http://accelconf.web.cern.ch/ Experimental results of carbon nanotube cathodes inside RF environment.
_______________________________________________________________________
ISBN 978-5-7262-2222-6. XIX конференция «Молодежь и наука» |
115 |