4. Протоколы выполнения операций.
5. Выводы по работе.
Контрольные вопросы
1. Назначение и виды травления в технологии полупроводниковых приборов.
2. Механизмы травления.
3. Составы травителей.
4. Особенности травления различных материалов (Si. SiO2, Al) в интегральной технологии.
5. Влияние технологических параметров на скорость и качество травления различных материалов.
1. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.
2. Черняев В.М. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В.М. Черняев. М.: Радио и связь, 1987. 464 с.
3. Блинов И.Г. Оборудование полупроводникового производства / И.Г Блинов, Л.В. Кожитов. М.: Машиностроение, 1986. 264 с.
4. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10-и кн. — М.: Высш. шк., 1989.
5. Липатов Г.И. Технология материалов и изделий электронной техники: учеб. пособие. В 4-х частях / Г.И. Липатов. Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», 2005—2010.
СОДЕРЖАНИЕ
Лабораторная работа № 1 1
ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 1
Лабораторная работа № 2 14
ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ 14
Лабораторная работа № 3 39
ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 39
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 51
к выполнению лабораторных работ № 1—3 по дисциплине «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов направления подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Электронное машиностроение»)
очной формы обучения
Составитель Липатов Геннадий Иванович
В авторской редакции
Компьютерный набор Г.И. Липатова
Подписано к изданию 24.02.2016.
Уч.-изд. л. 3,0.
ФГБОУ ВО «Воронежский государственный
технический университет»