. Газоразрядные лазеры с ПС
газоразрядный свет плазменный ионный
Возбуждение активной среды лазеров в газовом разряде позволяет использовать большое число разнообразных механизмов накачки лазерного квантового перехода, таких как ударное возбуждение активных частиц электронами, возбуждение частиц в неупругих столкновениях 2-го рода с атомами и ионами буферного газа. Это обеспечивает получение инверсной заселенности и генерации на переходах в атомах, ионах и молекулах, причем не только газов, но паров металлов и др. веществ, которые при нормальных условиях находятся в конденсированном состоянии. Излучение газоразрядных лазеров обладает наибольшей монохроматичностью, когерентностью, и достаточной для большого числа применений мощностью. В данном разделе на основе материала, изложенного ранее, для различных механизмов накачки лазерного перехода анализируются причины насыщения мощности лазерного когерентного излучения, откуда вытекают оптимальные параметры газового разряда, используемого для накачки: парциальные давления газов и паров металлов, плотность тока и др.
Большинство активных сред газоразрядных лазеров возбуждаются в ПС разряда. На рис. 6-11 показаны схемы газоразрядных лазеров с самостоятельным разрядом и с различными активными средами. У всех лазеров электроды разрядной трубки конструктивно вынесены за пределы активной зоны оптического резонатора, ось цилиндрического ПС совпадает с осью резонатора, составленного из зеркал с отражающим покрытием. Выходные оптические окна, герметизирующие разрядную трубку, в большинстве случаев ориентируются под углом Брюстера к оси резонатора (и распространяющемуся между зеркалами лазерному лучу), что обеспечивает линейную поляризацию луча и минимальные потери на отражение.
Точный анализ процессов накачки и генерации
достаточно сложен, однако для лазеров с непрерывным излучением (при
стационарном разряде) качественно правильные результаты могут быть получены в
приближении, когда можно пренебречь населенностью нижнего лазерного квантового
состояния в расчете на единицу статвеса уровня (n1/g1)
по сравнению с населенностью верхнего состояния (n2/g2),
т.е. когда
g1n2>>
g2n1,(3)
что, в частности, справедливо, когда времена
релаксации уровней τ2>>τ1.
В этом случае связь выходной мощности излучения лазера и скорости накачки
лазерного перехода дается выражением:
Pвыхmax
= hν21·F2·V
,(4)
где hν21-величина кванта излучения, F2-скорость накачки верхнего лазерного уровня (лазерного перехода), V-объем активной среды. Отсюда можно получить значения оптимальных параметров разряда при различных механизмах накачки лазерного перехода для наиболее эффективных газоразрядных лазеров.
Оптимальные условия разряда для газоразрядных лазеров с накачкой передачей возбуждения.
Гелий-неоновый лазер. Схема лазера показана на рис. 6. В данном лазере используется газовый разряд в смеси гелия (“буферный” газ) с неоном (“рабочий” газ). Накачка лазерного перехода в газоразрядной плазме ПС осуществляется по следующей схеме:
а) создание атома гелия в метастабильном
состоянии (Hem)
путем ударного возбуждения невозбужденного атома гелия в ПС:
e(ПС) + He0
→
Hem;
б) передача возбуждения от Hem
атому неона в основном энергетическом состоянии (Ne0):
Hem
+
Ne0 →
He0+
Ne*
(4s, 5s)
± Δε ,
где Ne*- атом неона в верхнем лазерном состоянии (4s или 5s).
В этом случае выражение для скорости накачки
лазерного перехода F2
будет
F2 = N(Hem)·N(Ne0)·KПВ
,(5)
где KПВ=<QПВ·V>
- константа передачи возбуждения (усредненное по скоростям взаимодействующих
частиц эффективное сечение передачи возбуждения от метастабильного атома гелия Hem
атому неона Ne0).
Поскольку в ПС плотность тока j
и полный ток I пропорциональны
плотности электронов ne
(см., (3.9)), то для того, чтобы получить зависимость F2
от тока разряда, необходимо проанализировать, как зависят от концентрации
электронов в ПС все входящие в (5) параметры, т.е.
F2(I)
~ F2(ne)=
N(Hem)(ne)·N(Ne0)·KПВ
.(6)
Зависимости F2τ2, g2F1τ1/g1, а также коэффициента усиления κ0(ne)~Pвых(ne) показаны на рис. 7,а. Максимальной Pвых соответствует Iopt/R=0,1А/см, где R-радиус ПС (внутренний радиус разрядной трубки). Последнее соотношение является соотношением подобия для лазеров с трубками различного радиуса.
Аналогично тому как это было сделано для тока
(6), найдем соотношение подобия для оптимального давления гелия: зависимость
F2(pHe) = N(Hem)(pHe)N(Ne0)KПВ
,(7)
показана на рис. 7,б, откуда для различных R можно получить pHeoptR≈0,15Тор∙см, и можно найти оптимальное давление гелия для разрядных трубок различного радиуса.
Зависимость F2
от давления неона можно получить, проанализировав выражение
F2(pNe)
= N(Hem)(pNe)·N(Ne0)(pNe)·KПВ
.(8)
Зависимость концентрации метастабильных атомов
гелия N(Hem)
от pNe показана на
рис. 7,в. Видно, что оптимальному значению pNeopt
соответствует снижение концентрации N(Hem)
примерно в 2 раза. Отсюда для различных R
можно получить: pNeopt·R≈0,03Тор∙см,
откуда находится оптимальное давление неона. Соотношения подобия для трёх линий
генерации He-Ne
лазера при оптимальных условиях разряда, а также для ненасыщенного коэффициента
усиления κ0
и мощности He-Ne
лазера Pвыхmax
приведены в таблице 1.
Таблица 1
|
Параметры лазера |
|||
|
|
632,8 нм |
1,15 мкм |
3,39 мкм |
|
Ток |
Iopt/R=0,1А/см |
||
|
Давление гелия |
pHeoptR = 0,15 Тор∙см |
||
|
Давление неона |
pNeoptR = 0,03 Тор∙см |
||
|
Напряженность электрического поля ПС Ez |
EzoptR=3,8 В |
||
|
Ненасыщенный коэффициент усиления лазерного перехода κ0 |
κ0maxR =2∙10-4 |
5∙10-4 |
200 |
|
Мощность лазерного излучения Pвых |
Pвыхmax/LR=1 мВт∙см-2 (L-длина ПС) |
0,6 мВт∙см-2 |
2 мВт∙см-2 |
Лазер на двуокиси углерода (CO2-N2-He-лазер).
Рабочим газом, на переходах которого возникает инверсная заселенность является CO2,
азот и гелий - буферная смесь газов. При работе этого лазера для поддержания
инверсной заселенности требуется интенсивное охлаждение активных частиц-молекул
СО2 в ПС, чему способствуют введение гелия в смесь газов и наличие
рубашки водяного охлаждения, охватывающей область ПС лазерной разрядной трубки
(см., рис. 8). Накачка лазерного перехода с λ=10,6мкм
СО2 (верхнее колебательное квантовое состояние - CO2(001))
осуществляется в газоразрядной плазме ПС передачей возбуждения от
квазиметастабильных молекул азота N2*
(колебательное состояние) молекулам двуокиси углерода CO2
в основном электронном и колебательном состояниях CO2(000)
по схеме, подобной схеме накачки в He-Ne
лазере :
е(ПС)
+ (N2)0 → (N2)*; (N2)*
+ CO2(000) → (N2)0 + CO2(001)
± Δε.
Скорость этого процесса F2
F2
= N(N2*)·N(CO2)·KПВ
,(9)
где KПВ=<QПВV>
- константа передачи возбуждения (усредненная по скоростям взаимодействующих
частиц эффективное сечение передачи возбуждения от молекулы N2*
молекуле CO2(000)).
Для того, чтобы получить зависимость F2
от тока разряда, необходимо проанализировать, как зависят от ne
все входящие в (9) параметры, т.е.
F2(ne)
= N(N2*)(ne)·N(CO2)·KПВ
.(10)
Соотношение концентраций (давлений) CO2,
N2
и He можно получить из
условия, что добавка в разряд с двуокисью углерода как азота, так и гелия,
должна приводить к уменьшению длины свободного пробега, а следовательно, и
энергии электронов не более, чем в 2 раза. Отсюда следует, что N(CO2)∙q(CO2)≈N(He)∙q(He)≈N(N2)∙q(N2),
где q - эффективное
сечение столкновений электронов с атомом гелия и молекулами. Поскольку q(He):q(CO2):q(N2)
≈ 1:5:5, то соотношение оптимальных концентраций компонент смеси будет
N(He)opt:N(N2)opt:N(CO2)opt
= 5:1:1. (11)
Из условия оптимального разрушения молекул азота
передачей возбуждения можно получить N(CO2)·R≈1016см-2
или
P(CO2)opt·R≈0,25Тор∙см,
(12)
и из ne≈10-5N(CO2)
можно получить
Iopt/R≈0,1 А/см (13)
и
Pвыхmax/L
≈
0,1 Вт∙см .(14)
Оптимальные условия разряда для газоразрядных лазеров с накачкой Пеннинг-процессом. Этот механизм накачки рассмотрим на примере гелий-кадмиевого ионного лазера. Рабочим газом являются пары кадмия, возбуждаемые в смеси с буферным газом (гелием). Инверсная заселенность возникает на переходах с λ=441,6нм и 325нм однократно ионизированного кадмия. Роль гелия состоит в накачке рабочего перехода, защите выходных оптических окон разрядной трубки от конденсации на них паров кадмия, обеспечения начального зажигания разряда и протекания в ПС явления катафореза, которое поддерживает однородное продольное (по длине ПС) распределение паров кадмия. Конструкция разрядной трубки (см., рис. 9 ) предусматривает наличие нагреваемого испарителя с кадмием и «конденсатора» паров (холодильника). Конденсации паров кадмия в зоне ПС малого диаметра (капилляре) не происходит благодаря его нагреву током разряда.
Для данного лазера τ2/τ1≈102
и условие (3) хорошо выполняется в широком диапазоне условий разряда, связь
мощности излучения лазера и скорости накачки лазерного перехода дается
выражением (4). Накачка лазерного перехода F2
осуществляется в газоразрядной плазме ПС Пеннинг-процессом при столкновении
метастабильного атома гелия с атомом кадмия в основном состоянии по схеме:
е(ПС)
+ He0 → Hem; Hem + Cd0 →
He0+ Cd+* (4d95s2)
+ e + Δε.
Скорость этого процесса F2
F2 = N(Hem)∙N(Cd0)
∙KПП
,(15)
где KПП=<QППV>
- константа Пеннинг-процесса (усредненное по скоростям взаимодействующих частиц
эффективное сечение Пеннинг-процесса). По аналогии с анализом, проведенным выше
для гелий-неонового лазера, можно получить оптимальные значения параметров
разряда: давлений гелия и паров кадмия, тока, напряженности поля ПС-Ez
и др., и соотношения подобия для них, а также для максимальных значений
ненасыщенного коэффициента усиления κ0
и мощности лазерного излучения Pвых
(Таблица 2).
Таблица 2
|
Параметры лазера |
Лазерные линии |
|
|
|
441,6 нм |
325,0 нм |
|
Ток |
Iopt/R ≈ 0,8 А/см |
|
|
Давление гелия |
pHeoptR ≈ 0,5 Тор∙см |
|
|
Давление кадмия |
pCdoptR ≈ 10-4 Тор∙см |
|
|
Напряженность электрического поля ПС Ez |
EzoptR ≈ 3,5 В |
|
|
Ненасыщенный коэффициент усиления лазерного перехода κ0 |
κ0 max·R ≈ 10-3 |
κ0 max·R ≈ 3∙10-4 |
|
Мощность лазерного излучения Pвых |
Pвыхmax /LR = 8,6 мВт∙см-2 (L-длина ПС) |
3 мВт∙см-2 |
Оптимальные условия разряда для газоразрядных лазеров с накачкой перезарядкой. Этот механизм накачки реализуется в гелий-селеновом ионном лазере. По конструкции данный лазер подобен гелий-кадмиевому лазеру (рис.9), инверсия населенностей создаётся в нём на квантовых переходах однократноионизированного атома селена, принадлежащих сине-зелёной области спектра (0,49…0,53мкм - 6 лазерных линий). Для ионных переходов селена условие (3) g1n2>>g2n1 также справедливо,
Накачка лазерного перехода F2
осуществляется в газоразрядной плазме ПС перезарядкой при столкновении иона
гелия He+
с атомом селена в основном состоянии по схеме:
e(ПС)
+ He0 → He+; He+ + Se0 →
He0+ Se+* ± Δε
.
Скорость этого процесса F2
F2 = N(He+)∙N(Se0)∙KПЗ
,(16)
где KПЗ=<QПЗV>
- константа перезарядки (усредненное по скоростям взаимодействующих частиц
эффективное сечение перезарядки). Для того, чтобы получить зависимости F2
от тока разряда и давлений компонентов смеси, необходимо проанализировать, как
зависят от этих параметров все входящие в (16) величины, т.е.
F2(I) ~ F2(ne) = N(He+)(ne)∙N(Se0)∙KПЗ, (17)
F2(pHe) = N(He+)(pHe)·N(Se0)·KПЗ ,(18)
F2(pSe) = N(He+)(pSe)·N(Se0)(pSe)·KПЗ
.(19)
В результате получаем следующие соотношения
подобия для оптимальных параметров разряда и максимальных значений выходных
параметров:
Таблица 3
|
Параметры лазера |
|
|
Ток |
Iopt/R ≈ 2,5 А/см |
|
Давление гелия |
pHeoptR ≈ 1,5 Тор∙см |
|
Давление паров селена |
pSeoptR ≈ 2∙10-4 Тор∙см |
|
Напряженность электрического поля ПС-Ez |
EzoptR ≈ 4 В |
|
Ненасыщенный коэффициент усиления лазерного перехода κ0 |
κ0maxR ≈ 0,8∙10-3 |
|
Мощность лазерного излучения Pвых |
Pвыхmax/LR ≈ 8 мВт∙см-2 (L-длина ПС) |
Оптимальные условия разряда для газоразрядных
лазеров с накачкой столкновениями с электронами. В качестве примера рассмотрим
аргоновый ионный лазер, излучающий в сине-зелёной части спектра с наиболее
интенсивными линиями с λ488нм и
514,5нм. Накачка лазерных переходов принадлежащих энергетическому спектру
однократно-ионизированного аргона (верхнее лазерное состояние с конфигурацией -Ar+*(4p)),
происходит в газоразрядной плазме ПС двумя процессами: при столкновении быстрых
электронов ПС с энергиями ε≥35эВ
с атомом аргона в основном состоянии Ar0(3p6)
(«прямая» ударная ионизация атома аргона):
e'(ПС)
+ Ar0(3p6) → Ar+*(4p),
либо быстрых электронов ПС с энергиями ε≥18эВ
с предварительно созданным ионом аргона в основном состоянии Ar0+(3p5)
(«ступенчатое» ударное возбуждение иона):
e''(ПС) + Ar0(3p6) → Ar0+(3p5);e'''(ПС)+ Ar0+ (3p5)→ Ar+*(4p) ,
F2
= neN(Ar0)kпрям
+ neN(Ar0+)kступ
~ Ane
+ Bne2,
(20)
где kпрям
и
kступ
- константы возбуждения лазерных переходов аргона «прямым» и «ступенчатым»
процессами, которые являются возрастающими функциями электронной температуры.
Очевидно, что максимальная скорость накачки будет соответствовать наибольшим
значениям электронной температуры в разряде, т.е. минимальным значениям
давления (см. рис. 3.1,б). В связи с этим оптимальные условия работы аргонового
ионного лазера соответствуют малым концентрациям (давлениям) аргона: