Материал: Общие указания по выполнению лабораторных работ

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

(1)

в системе координат Iк, представляет прямую линию, которую можно построить по двум точкам. Одной из них может являться исходная рабочая точка 0 с координатами Iбо, Uкэ0, указанными в исходных данных расчетного задания. Координаты точки 0 позволяют определить ее положение на графике выходной статической характеристики транзистора, снятой при iб = Iбо (рисунок 15). Для усилителя, работающего в классе А, начальное положение рабочей точки на нагрузочной прямой выбирают так, чтобы при подаче переменного входного сигнала uc рабочие участки нагрузочной характеристики (А0 и 0В) были равны, тогда изменения тока выхода iк(t) будут пропорциональны изменениям тока iб(t). При этом через транзистор в отсутствии входного сигнала протекают большие токи покоя Iко, Iбо и, соответственно, К.П.Д. (η) усилительного каскада невелик (30-35%). Обычно в режиме А работают маломощные усилители с малыми нелинейными искажениями.

В качестве второй точки удобно выбрать точку N (рисунок 15) пересечения нагрузочной прямой с осью напряжений. Напряжение UкэN находят, исходя из условия, что ток коллектора в точке N IкN = 0, следовательно, UкэN = Ек. Значение Ек, необходимое для построения нагрузочной прямой, можно найти, пользуясь вторым законом Кирхгофа для выходной цепи (рисунок 14), по следующей формуле Ек=IкоRк+Uкэ0.

Неизвестное значение тока Iко определяется графически (рисунок 15), опустив перпендикуляр из точки 0 на ось ординат Ik. Прямая линия, проведенная через точки 0 и N, и является нагрузочной прямой (выходной характеристикой режима нагрузки). Точки пересечения построенной прямой со статическими выходными характеристиками, снятыми при соответствующих значениях тока базы iб, позволяют определить значение коллекторного тока и коллекторного напряжения для указанных значений тока базы iб.

Отрезок, дополняющий падение напряжения на коллекторе Uкэ до величины Eк, определяет падение напряжения URк на резисторе нагрузки.

Рис.15. Графические построения на семействе статических выходных характеристик транзистора

  1. Рабочий участок АВ нагрузочной прямой позволяет определить пределы измерения коллекторного тока и напряжения в схеме усилителя при воздействии синусоидального сигнала с амплитудой базового тока Iбм и находится исходя из условий расчетного задания. Точка А (верхняя граница рабочего участка) соответствует точке пересечения нагрузочной прямой со статической выходной характеристикой, снятой при максимальны значении тока базы iбмакс = Iбо + Iбm, значения токов Iбо и Iбm заданы в исходных данных. На рисунке 15 iбмакс = iбiv.

Точка В (нижняя граница рабочего участка) находится из условия пересечения нагрузочной прямой со статической выходной характеристикой, снятой при токе базы iбмин = Iбо - Iбm. В рассматриваемом примере оказалось, что iбмин = iбо = 0 (рисунок 15) возможны и другие значения iбмин.

Проецируя рабочие точки А и В на оси координат, определяем значение максимального Iкмакс и минимального Iкмин коллекторного тока, а также максимального Uкэмакс и минимального Uкэмин коллекторного напряжения. Проекции отрезков А0 и 0В на вертикальную и горизонтальную оси позволяют определить амплитуду положительной и отрицательной полуволн переменных составлявших колле-кторного тока iк(t) и напряжения Uкэ(t). Временные диаграммы коллекторного тока iк(t) и напряжения uкэ(t) приведены на рисунке 15. Если рабочий участок линейный, то усиление происходит без нелинейных искажений и переменные составляющие коллекторного тока и напряжения синусоидальны. В реальных условиях процесс усиления сопровождается нелинейными искажениями, поэтому значения амплитуд переменных составляющих коллекторного тока Iкm и коллекторного напряжения Uкэm следует определять как средние:

(2)

(3)

Значения , , , определяется по графику рисунок 15.

  1. Расчет электрических параметров усилителя проводится по следующим формулам:

  1. Коэффициент усиления базового тока:

    (4)

  2. Коэффициент усиления входного напряжения:

(5)

где - сопротивление нагрузки;

- входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ.

  1. Входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ:

(Ом),

(6)

где - амплитуда входного напряжения, обеспе-чивающая получение заданной амплитуда входного тока .

Величину можно приближенно определить графи-чески по входной статической характеристике транзистора, снятой при Uкэ = Uкэо (рисунок 16), перенося значения токов базы , iбмакс, iбмин на входную характеристику и получив точки 0′; А′; В′.

График входной характеристики приводится из справочника (рисунок 16).

Рис.16. График входной характеристики транзистора

Проецируя точки А′ и В′ на ось напряжений, определяем значения базового максимального и минимального напряжений.

Тогда,

(7)

  1. Выходное сопротивление транзистора по схеме с ОЭ определяем по формуле:

    .

    (8)

  2. Коэффициент усиления по мощности определяется по формуле:

(9)

  1. Мощность, выделяемая в режиме покоя на коллекторе:

.

(10)

Чтобы транзистор не вышел из строя, необходимо, чтобы определенная по формуле 10 Рк ≤ Ркмакс (значения Ркмакс смотреть в справочных данных). Если выше приведенные условия не выполняется, необходимо изменить режим работы транзистора и провести расчет схемы УНЗЧ повторно.

  1. Мощность, потребляемая от источника коллекторного напряжения:

    (11)

  2. Коэффициент полезного действия усилителя:

(12)

Приложение 3

№ п/п

Тран-

зистор

БТ

Данные для нахождения рабочей точки и построения нагрузочной прямой

Данные для расчета параметров БТ

IК р.т.,

мА

UКЭ р.т.

В

IБ р.т.,

мА

EК,

В

RН,

кОм

IБmax,

мА

Найти

1

П605А

250

8

найти

16

найти

2

RВХ

Ki

2

П607А

найти

12

1

найти

0,2

0,5

UН

RВЫХ

3

КТ602А

найти

20

1

40

найти

4

П701А

найти

20

15

40

найти

в Р.Т.

RВЫХ

РК

5

КТ806А

найти

найти

40

25

10

10

РК

6

П609А

найти

20

1

40

найти

0,5

Ki

RВЫХ

7

П609А

120

найти

1,5

40

найти

H22Э

8

КТ803А

найти

найти

100

40

0,01

0,5

RВЫХ

РК

9

МП38А

найти

5

0,2

10

найти

0,15

РК

10

МП42А

найти

5

найти

12

0,47

0,1

RВХ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

  1. Акимова Г.Н. Электронная техника/ Г.Н. Акимова. М.: Маршрут, 2003. 289 с.

  2. Жеребцов И.П. Основы электроники/ И.П. Жеребцов. Л.: Энергоиздат, 1990. 352 с.

  3. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника/ К.С. Петров. Питер.: 2004. 521 с.

  4. Гусев В.Г. Электроника/ В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. - М.: Высш. шк., 1991. 622 с.

  5. Интегральные микросхемы: Справочник / под ред. Б.В. Тарабрина. М.: Радио и связь, 1986.

Содержание

Стр.

Лабораторная работа № 1

5

Лабораторная работа № 2

9

Лабораторная работа № 3

13

Лабораторная работа № 4

17

Лабораторная работа № 5

20

Лабораторная работа № 6

23

Лабораторная работа № 7

29

Практическая работа № 1

33

Практическая работа № 2

45

Библиографический список

54

56

Источник: https://studfile.net/preview/16567569/