4. Технология лазерной подгонки, обеспечивающая высокую стабильность резисторов с защитным диэлектрическим слоем
При допуске на резистор пять и менее процентов может возникнуть необходимость в подгонке сопротивления резистора до номинального значения.
Наиболее распространенным и перспективным методом подгонки путем изменения геометрии пленочных резисторов считается лазерный метод подгонки как наиболее прецизионный и универсальный.
Для защиты резисторов от воздействия окружающей среды и механических повреждений их, как правило, защищают фоторезисторами ФН-11, ФП-383, или пленкой Si3N4. Подгонка резисторов, в соответствии с рекомендациями ОСТ 4ГО.054.238 производится до защиты их фоторезистом. Такой же последовательности выполнения операций придерживаются на практике, в том числе на серийных заводах.
Однако в связи с перспективностью применения метода функциональной подгонки 64 возникает необходимость подгонки резисторов защищенных, например, фоторезистом или пленкой Si3N4 на изготовленных микросборках.
В многочисленных источниках отмечается ухудшение стабильности резисторов после их подгонки (см. раздел 1.2), при этом считается, что основными причинами, ухудшающими стабильность резисторов, являются обнажение резистивной пленки в зоне реза и изменение ее структуры при термическом воздействии лазерного луча. Причем в работе [9] отмечается, что термическому воздействию подвергаются участки резистивной пленки от наружных участков сечения лазерного луча при его недостаточной фокусировке.
Было предположено, что при подгонке тонкопленочных резисторов остросфокусированным лазерным лучом существенное влияние на стабильность резисторов будут влиять продукты испарения резистивной пленки, осаждаемые на резистивную пленку в зоне реза. Тогда при доводке резисторов лазером после защиты их фоторезистом или другой пленкой продукты испарения резистивной пленки будут осаждаться на защитной пленке, а не на резистивной, что может не привести к ухудшению стабильности резисторов.
Проведенные технологические исследования позволили подтвердить эту гипотезу
1. Бахарев С.И. и др. Справочник по расчету и конструированию СВЧ по-лосковых устройств / С.И. Бахарев, В.И. Вольман, Ю.М. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982. 382 с.
2. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ: Учебное пособие. М.: Высш. школа, 1980. 285 с.
3. Власов В.Е., Захаров В.П., Коробов А.И. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры // Под ред. А. И. Коробова. М.: Радио и связь, 1987. 157с.
4. Конструирование и расчет контактов в интегральных схемах: Учебное пособие / Ю.П. Ермолаев, О.Г. Эльстинг, Ф.Г. Каримова, Г.П. Анфимов. Ка-зань, 1967. 46 с.
5. Глудкин О.П., Гуров А.И. и [др.] Управление качеством электронных средств. М.: Высшая школа, 1994. 414 с.
6. Коледов Л.А., Волков В.А. и др. Конструирование и технология микросхем / Под ред. Л.А. Коледова. М.: Высшая школа, 1984. 232 с.
7. Крючатов. В И. Конструкторско-технологические основы создания пассивной части высоконадежных микрополосковых СВЧ-устройств дециметрового диапазона с повышенным уровнем мощности // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. КГТУ им. А. Н. Туполева, Казань, 2011. С 316.
8. Коледов Л.А., Ильина Л.М. Микроэлектроника. Гибридные интегральные схемы. М.: Высшая школа, 1984.
Дополнительная литература
9. Лугин А.Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопленочных прецизионных резисторов: монография. Пенза: Информаци-онно-издательский центр Пенз. ГУ, 2008. 288 с.
10. Спирин В.Г. Проектирование и технология тонкопленочных микросборок с топологическими размерами 10-50 мкм: Монография. Арзамас: АГПИ, 2005. 146 с.
11. Неганов В.А., Яровой Г.П. Теория и применение устройств СВЧ // Под ред. Неганова В. А. М.: Радио и связь, 2006.