Материал: Otchyot_po_4-oy_lab-oy_rabote
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ |
федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» |
Озерский технологический институт – филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (ОТИ НИЯУ МИФИ) |
|
Кафедра «Электроника и Автоматика»
ОТЧЁТ
ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №4
по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
Выполнил: студент группы 1ИВТ-29Д |
|
|
М.И. Баранин |
|
|
(подпись) |
|
Проверила: зав. кафедрой ЭиА |
|
|
Е.Г. Изарова |
|
|
(подпись) |
|
2021
Исследование характеристик стабилитрона
Цель работы: исследование характеристик полупроводникового стабилитрона.
Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М3.
Схема лабораторного стенда:
Ход работы:
Задание 1 (Исследование ВАХ стабилитрона):
4.1.2: (см. на следующей странице)
Рисунок 1 - ВАХ стабилитрона (-10...4B)
4.1.3: Uст = -6.82 В, при IСТ = -5.00 мА;
4.1.4: Координаты 2 точек:
I1 = -2.00 мА, U1 = -6.8 B;
I2 = -8.02 мA, U2 = -6.85 B;
4.1.5: Дифференциальное сопротивление r = 8,3 Ом;
Вывод: Стабилитрон характеризуется малым дифференциальным сопротивлением на рабочем участке ВАХ.
Задание 2 (Исследование работы параметрического стабилизатора напряжения):
4.2.2:
Рисунок 2 - ВАХ при параллельном подключении стабилитрона и нагрузки (U = -10...4B, Rн = 3кОм)
4.2.3: Uвх = -8.00 B, I = -3.98 мА, Uвых = -6.8 B;
4
.2.4:
Uвх
= -9.00 B, I = -7.22 мА,
Uвых
= -6.83 B;
4.2.5: KU = (∆Uвх/Uвх)/(∆Uвых/Uвых) = 25.29;
KU = (Uвых * Rб) / (Uвх * rд) = 20.57; При RБ = 200 Ом
Вывод: Коэффициент стабилизации стабилитрона определяет то, насколько близок будет стабилитрон к идеальному элементу. Чем выше коэффициент, тем ближе к характеристикам идеального стабилитрона.