Материал: TRfDAZqnfW

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ПРИЛОЖЕНИЯ

1. Параметры распределения Пирсона для ионов B, P, As, Sb в Si [9]

						Ион
E,		B			P			As			Sb
кэВ	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK
	Å	Å	SK	Å	Å	SK	Å	Å	SK	Å	Å	SK
	Å	Å		Å	Å		Å	Å		Å	Å
40	1285	456	–0.71	489	214	0.23	298	109	0.47	289	86	0.46
60	1880	573	–0.89	731	300	0.12	402	145	0.42	370	110	0.44
80	2438	662	–1.11	982	380	0.03	505	180	0.38	445	132	0.43
100	2964	733	–1.26	1283	457	0.05	608	214	0.35	517	153	0.41
120	3463	792	–1.38	1498	529	0.12	712	248	0.31	588	174	0.40
140	3938	842	–1.50	1761	597	0.19	817	281	0.28	658	194	0.38

2. Параметры распределения Пирсона для ионов B, P, As, Sb в SiO2 [9]

						Ион
E,		B			P			As			Sb
кэВ	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK	Rp,	∆Rp,	SK
	Å	Å	SK	Å	Å	SK	Å	Å	SK	Å	Å	SK
	Å	Å		Å	Å		Å	Å		Å	Å
40	1078	333	–0.75	391	154	0.18	242	78	0.40	236	62	0.38
60	1574	417	–0.98	587	216	0.06	327	104	0.36	303	79	0.37
80	2035	476	–1.17	791	275	–0.04	412	130	0.32	365	95	0.35
100	2476	529	–1.32	998	331	–0.12	497	155	0.28	426	111	0.34
120	2875	569	–1.45	1209	383	–0.20	582	180	0.25	485	126	0.33
140	3262	603	–1.58	1420	432	–0.26	669	205	0.22	543	141	0.31

3. Предельные растворимости легирующих примесей в кремнии, см–3 [6]

Примесь			Температура, °C
Примесь	800	900	1000	1100	1200	1300
	800	900	1000	1100	1200	1300
B	3.0 · 1020	3.5 · 1020	4.0 · 1020	5.0 · 1020	5.5 · 1020	6.0 · 1020
P	3.1 · 1020	6.5 · 1020	1.0 · 1021	1.4 · 1021	1.5 · 1021	1.2 · 1021
As	1.0 · 1021	1.3 · 1021	1.5 · 1021	2.0 · 1021	2.0 · 1021	1.7 · 1021
Sb	2.5 · 1019	3.0 · 1019	4.0 · 1019	5.0 · 1019	6.0 · 1019	7.0 · 1019
Al	1.2 · 1019	1.5 · 1019	1.8 · 1019	2.0 · 1019	2.1 · 1019	1.7 · 1019

4. Параметры температурной зависимости констант скорости термического окисления кремния ориентации (111) [6]

Окислитель	Линейное окисление		Параболическое окисление
	Kl0, мкм/мин	El, эВ	Kp0, мкм2/мин	Ep, эВ

Сухой О2	4.4·105	2.16	9.5	1.20
Пар Н2О	9.7·105	1.93	2.7	0.69

5. Коэффициенты сегрегации легирующих примесей в системе SiO2–Si(111)

Примесь	Сухой кислород	Влажный кислород	Источник
B	0.075 ехр (0.33/kT)	0.015 ехр (0.66/kT)	[20]
P	4.35 ехр (–0.60/ kT)	3.2·10–5 ехр (0.73/kT)	[21]
As	1.2 · 10–3		[22]
Sb	3.6 · 10–3		[21]

6. Параметры температурной зависимости коэффициентов испарения и диффузии легирующих примесей в кремнии

Примесь	Коэффициент испарения			Коэффициент диффузии		Источник
Примесь	S0, см/с		E, эВ	D0, см2/с	E, эВ	Источник
	S0, см/с		E, эВ	D0, см2/с	E, эВ
B	1.43	· 103	3.53	2.48	3.59	[24]
P	3.05	· 104	3.87	20.23	3.87	[25]
Sb	6 · 105		3.7	10	3.95	[26]
Ga	3 · 103		2.8	1.5 · 10–2	2.9	[25]

7. Параметры парциальных коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в кремнии [6], [23]

				Параметр
Примесь	Di0 ,	E0, эВ	Di+ ,	E+, эВ	Di− ,	E– , эВ	Di= ,	E=, эВ
	см2/с	E0, эВ	см2/с	E+, эВ	см2/с	E– , эВ	см2/с	E=, эВ
	см2/с		см2/с		см2/с		см2/с
B	0.037	3.46	0.72	3.46	–	–	–	–
P	3.84	3.66	–	–	4.44	4.0	44.2	4.37
As	0.66	3.44	–	–	12	4.05	–	–
Sb	0.214	3.65	–	–	15	4.08	–	–

8. Параметры концентрационной зависимости подвижности носителей заряда в кремнии [19]

Тип				Параметр
проводимости	M , см2/(В с)	M	max	, см2/(В · с)	C , см–3	a
	min		max		r
n–Si	65			1330	8.5 · 1016	0.72
p–Si	47.7			495	6.3 · 1016	0.76

Содержание
Предисловие ..................................................................................................................................	3
1. Задание на курсовую работу и исходные данные..................................................................	3
2. Требования к оформлению и содержанию курсовой работы ...............................................	4
3. Последовательность выполнения курсовой работы..............................................................	4
3.1. Выбор электрической схемы фрагмента ИМС ...............................................................	4
3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла............................................	5
3.3. Разработка технологического маршрута .........................................................................	5
3.4. Моделирование операций технологического маршрута................................................	5
3.5. Заключение курсовой работы...........................................................................................	6
4. Структура биполярных и МОП ИМС .....................................................................................	6
4.1. Биполярный планарно-эпитаксиальный транзистор......................................................	6
4.2. Биполярная ИМС с изоляцией p– n-переходом...............................................................	7
4.3. Изопланарная биполярная ИМС ......................................................................................	7
4.4. МОП ИМС с металлическим затвором............................................................................	8
4.5. МОП ИМС с поликремниевым затвором........................................................................	8
4.6. LOCOS МОП ИМС............................................................................................................	9
4.7. КМОП ИМС .......................................................................................................................	9
4.8. ДМОП ИМС .......................................................................................................................	9
5. Моделирование процессов технологии ИМС ......................................................................	10
5.1. Ионная имплантация.......................................................................................................	10
5.2. Ионная имплантация через пленку................................................................................	11
5.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях..................................	12
5.4. Термическое окисление ..................................................................................................	13
5.5. Перераспределение примесей при термическом окислении.......................................	16
5.6. Решения уравнения диффузии при D = const ...............................................................	18
5.7. Диффузионная загонка....................................................................................................	20
5.8. Диффузионная разгонка..................................................................................................	21
5.9. Совместная диффузия легирующих примесей.............................................................	22
5.10. Расчет положения p– n-перехода и слоевого сопротивления ....................................	23
Список литературы .....................................................................................................................	24
Приложения.................................................................................................................................	26

Редактор Т. А. Лунаева

Подписано в печать 10.06.2014. Формат 60×84 1/16.

Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 1.75. Гарнитура «Times New Roman». Тираж 37 экз. Заказ 59.

Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5

Источник: https://studfile.net/preview/16438825/

Смотрите также:





Изложение содержания дела, по которому приняты судебные постановления
_1-тема-СтрМетал
_1966(~1
_files_materials_5053_prog.ntr
_Антонян Ю.М., Сексуальные преступления. Чикатило и другие
_РГР № 1 (2)