∆IБ=0,2 мА, ∆UБЭ=0,15 В, y11=0,0013 См.
6. Определение крутизны транзистора:
∆IК=10 мА, ∆UБЭ=0,1 В S=0,1 А/В.
7. Расчет резисторного делителя:
С помощью резисторного делителя задается положение рабочей точки; определим U0Б:
0Б=U0Э+U0БЭ,
По входным характеристикам определяем U0БЭ=0,59 В, U0Э=UR4=4,8 В и подставляя получаем U0Б=5,39 В.
Номиналы резисторов рассчитываются
по формулам:
,
,
Пренебрегая обратным током IК0, выбирая IД=5I0Б, рассчитываем номиналы резисторов:
R1=12302 Ом (выбираем 12 кОм), R2=5784 Ом (выбираем 5,6 кОм);
Расчет эмиттерных емкостей
Емкость конденсаторов С2
и С6 выбираются большими исходя из того, что его сопротивление
цепочки R4С2
по переменному току существенно только на самой низкой частоте должно:
Подставляя, получаем: (С2 ≥ 32 мкФ) = 33 мкФ, (С6 ≥ 12 мкФ) = 15 мкФ.
Расчет фильтра
Фильтр предназначен для обеспечения
заданной верхней частоты. При этом fв
определяется по формуле:
,
Где Rвых1 есть R3, R5=5 Ом, тогда С3=16,3 пФ.
Производим расчет С3 с учетом коэффициента частотных искажений на верхней рабочей частоте MВ.
Коэффициент MВ в данной
схеме определяется искажениями вносимыми цепочкой фильтра R5С3
:
,
Выражаем С3 с учетом
заданного коэффициента частотных искажений MВ:
,
С3=12,2 пФ (выбираем 10
пФ).
Расчет разделительных емкостей
Расчет разделительных емкостей
производится с учетом заданного коэффициента искажений на нижней рабочей
частоте:
MН= MН1 MН2 MН3
Пусть доли частотных искажений,
вносимых на нижней частоте в каждом каскаде будут равны:
MН_i= MН1=MН2= MН3,
Тогда
MН_i=0,887.
Формулы для расчета разделительных
емкостей для данной схемы усилителя примут вид:
,
,
,
Подставляя в выражения данные получаем: С1= 1,1 мкФ (выбираем 1 мкФ), С4 = 2,2 мкФ, С5 =10,4 мкФ (выбираем 10 мкФ), С7 = 22,5 мкФ (выбираем 22 мкФ).
Оценка нелинейных искажений
Так как входной и промежуточный каскады работают в режиме малого сигнала то нелинейные искажения обусловлены влиянием выходного каскада. Проведем оценку нелинейных искажений c помощью метода пяти ординат.
При помощи пяти ординат находятся гармонические составляющие. Входной ЭДС Eгm1, Eгm2, Eгm3, по которым рассчитывается коэффициент гармоник:
На нагрузочной прямой наносятся
точки мгновенных значений тока Iк1, Iк2, Iк3,
Iк4, Iк5, соответствующие IKmin, (IK0-IKmin)/2, IK0,
(IKmax-IK0)/2, IKmax, по
выходным характеристикам находятся отвечающие им токи базы Iб1,
Iб2, Iб3, Iб4, Iб5,
и по входным характеристикам находятся мгновенные значения напряжения база-эмиттер
Uб1,
Uб2,
Uб3,
Uб4,
Uб5.
Рассчитываются размахи ЭДС:
,
,
,
,
Далее находим амплитуды первых трех
гармонических составляющих ЭДС:
,
,
,
И рассчитываем коэффициент гармоник каскада:
,
где γ - коэффициент ООС.
Подставляя числовые данные получаем Kг
= 0,69 %, что не превышает заданного.
2. Модуль 2.
Цифровая схемотехника
2.1 Задача №1.
Устройство демультиплексирования кодов
Проектирование демультиплексора
кодов 1 на 64.
Рис. 3 - Принципиальная электрическая схема демультиплексора
кодов 1х64
Таблица 1 Перечень
элементов
Поз.
обозначение
Наименование
Кол.
Примечание
DD1
К555ИД4
1
микросхема
DD2-DD5
К555ИД3
4
микросхема
Демультиплексор работает следующим образом: при
выставлении на шину адреса двоичного кода, соответствующего номеру
подключаемого выхода, входной сигнал передается на этот выход.
Таблица 2 Таблица адресации демультиплексора
Расчет энергопотребления всего устройства и
времени задержки по одному каналу.
Среднее время задержки К555ИД3 = 33нс, Тср.
К555ИД4 = 34 нс.
Время задержки по одному каналу:
Тобщ = Тср. К555ид3 +Тср. К555ид4=67 нс.
Потребляемая мощность микросхемы К555ИД3 = 250
мВт, К555ИД4= 50 мВт. Общее энергопотребление устройства Pобщ
=4*250+50= 1,050 Вт.
2.2 Задача №2.
Коммутатор параллельных кодов
Проектирование коммутатора параллельных кодов с
10 источниками сигналов (словами) по 5 разрядов в каждом слове.
Рис. 4 - Коммутатор параллельных кодов (10 слов
по 5 разрядов)
Таблица 3 Перечень элементов
Поз.
обозначениеНаименованиеКол.Примечание
DD1-DD5
К155КП1
5
микросхема
Коммутатор работает следующим образом: на вход
устройства подается 10 информационных слов. В зависимости от выбранного адреса
на выход подается одно из входных слов при подаче стробирующего сигнала.
Таблица 4 Таблица коммутации
Расчет энергопотребления всего устройства и
времени задержки - для одного слова относительно адресных сигналов.
Среднее время задержки К155КП1 =17 нс.
Время задержки по одному каналу Т=17 нс.
Потребляемая мощность микросхемы К155КП1 = 390
мВт. Общее энергопотребление устройства Pобщ
= 390*5= 1,95 Вт.
.3 Задача №3. Устройство параллельного ввода
слов в регистры
Проектирование устройства параллельного ввода
слов в регистры (7 слов по 8 разрядов в каждом слове, частота ввода слов 650
кГц)
Рис. 5 - Устройство параллельного ввода слов в
регистры (7 слов по 8 разрядов)
Таблица 5 Перечень
элементов
Поз.
обозначение
Наименование
Кол.
Примечание
DD1
К555ЛА3
1
микросхема
DD2, DD5 2
микросхема
DD3
К555ИЕ5
1
микросхема
DD4
К555ИД7
1
микросхема
DD6-DD12
К555ИР23
7
микросхема
VD1
КД522Б
1
диод
R1,
R2
1 кОм (МЛТ-0,125)
2
резистор
С1
47
нФ (К73-9)
1
конденсатор
Устройство параллельного ввода слов в регистры
работает следующим образом: на вход устройства подаются импульсы ввода с
частотой 650 кГц. При каждом положительном импульсе в регистре с номером,
соответствующим номеру импульса защелкивается информационное слово. После
запоминания 7 слов в регистрах цикл повторяется (при наличии разрешающего
сигнала)
Диаграмма напряжений
Рис. 6 - Диаграмма напряжений
Расчет времени ввода всех слов в регистры.
Период повторения импульсов ввода T
= 1/f = 1,54 мкс.
Время задержки одного такта счетчика tсч
= 17 нс.
Время задержки дешифратора tдш
= 41 нс.
Время задержки элемента И-НЕ tИНЕ
= 15 нс.
Время задержки элемента НЕ tНЕ
= 15 нс.
Время задержки регистра tRG
= 28 нс.
Время ввода слова в регистр t1слово
= tИНЕ + tсч
+ tдш + tНЕ
+ tRG = 116 нс.
Время ввода всех слов в регистры tобщ
= 6Т+ t1слово = 9,356 мкс.
.4 Задача №4. Запоминающее устройство (ЗУ) на
ИМС оперативных ЗУ (ОЗУ)
Проектирование устройства ОЗУ (128 слов по 32
разряда)
Рис. 7 - Принципиальная электрическая схема ОЗУ
128х32
Таблица 6 Перечень
элементов
Поз.
обозначение
Наименование
Кол.
Примечание
DD1
К555ИД7
1
микросхема
DD2-DD65
К531РУ8
64
микросхема
R1
1
кОм (МЛТ-0,125)
1
резистор
Таблица 7 Таблица работы ЗУ
Список литературы
1.
Полупроводниковые
приборы: Транзисторы./В.Л.Аронов и др.; под общ. ред. Н. Н. Горюнова.-М.:
Энергоатомиздат, 1985.-904с., ил.
2.
Шило,
В.Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник/ В.Л.Шило.- М.: Радио и связь,
1989.- 352 с.
3.
3.
Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В трех томах. Т.1 - М.: Мир, 1993.
- 413 с
4.
4.
Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника. - СПб.: БХВ - Санкт Петербург, 2004. 528
с.
5.
3.
Партала, Олег Наумович. Цифровая электроника. - СПб.: Наука и техника, 2000. -
208с.: ил.
6.
4.
Мамонкин И.Г. Усилительные устройства.-М.: Связь, 1977.-360 с. : ил.
широкополосный усилитель
демультиплексирование искажение Таблица 8 Перечень элементов широкополосного
усилителя
Поз.
обозначение
Наименование
Кол.
Примечание
VT1
КТ315В
1
транзистор
VT2
КТ385А
1
транзистор
VT3
КТ624В
1
транзистор
R1
12
кОм (МЛТ-0,125)
1
резистор
R2
5,6
кОм (МЛТ-0,125)
1
резистор
R3
2,7
кОм (МЛТ-0,125)
1
резистор
R4
960
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R5
5
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R6
360
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R7
1,5
кОм (МЛТ-0,125)
1
резистор
R8
320
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R9
100
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R10
910
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R11
180
Ом (МЛТ-0,125)
1
резистор
R12
62
Ом (МЛТ-0,5)
1
резистор
R13
9,1
Ом (МЛТ-0,5)
1
резистор
C1 1
конденсатор
C2
33
мкФ (К53-8)
1
конденсатор
C3
10
пФ (КМ-1)
1
конденсатор
C4
2,2
мкФ (К53-8)
1
конденсатор
C5
10
мкФ (К53-8)
1
конденсатор
C6
15
мкФ (К53-8)
1
конденсатор
С7
22
мкФ (К53-8)
1
конденсатор