МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Воронежский государственный технический университет»
Кафедра радиотехники
ЭЛЕКТРОНИКА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к самостоятельной работе для студентов направления 11.03.01
«Радиотехника» (профиль «Радиотехнические средства передачи, приема и обработки сигналов»)
заочной формы обучения
Воронеж 2021
УДК 621.396 ББК 32.85
Составитель канд. техн. наук, доц. Р. П. Краснов
Электроника: методические указания к самостоятельной работе для студентов направления 11.03.01 «Радиотехника» (профиль «Радиотехнические средства передачи, приема и обработки сигналов») заочной формы обучения / ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»; сост.: Р. П. Краснов. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2021. 16 с.
В методических указаниях представлены требования к выполнению самостоятельной работы по дисциплине «Электроника». Кроме того, изложены домашние задания для подготовки к итоговому контролю. Представлены контрольные вопросы и приведены ссылки на рекомендуемую литературу.
Предназначены для студентов направления 11.03.01 «Радиотехника» (профиль «Радиотехнические средства передачи, приема и обработки сигналов») заочной формы обучения
Табл. 2. Библиогр.: 5 назв.
УДК 621.396 ББК 32.85
Рецензент – А. В. Володько, канд. техн. наук, доцент кафедры радиоэлектронных устройств и систем ВГТУ
Печатается по решению редакционно-издательского совета Воронежского государственного технического университета
2
1. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Цель преподавания дисциплины – обеспечение студентов базовыми знаниями, навыками и представлениями в области электронной техники.
Для достижения цели ставятся задачи:
1.Изучение элементной базы современной радиоэлектроники и основных направлений ее развития.
2.Ознакомление с характеристиками радиокомпонентов РЭА, электронных приборов и интегральных микросхем.
3.Получение навыка правильного выбора схемотехнических решений при разработке радиоэлектронной аппаратуры.
В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
Знать: основные типы активных элементов, их модели и способы количественного описания при использовании в радиотехнических цепях и устройствах.
Уметь: выбирать проектные решения для данных технического задания.
Владеть: приемами использования современной элементной базы.
Темы и содержание лекций
Полупроводниковые биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Режимы работы. Схемы включения. Дифференциальные параметры. Транзистор как четырехполюсник. Статические вольтамперные характеристики.
Режим покоя. Цепи смещения. Параметры усилительного каскада. Обратная связь. Виды обратной связи.
Виды усилительных каскадов. Каскад с ОЭ. Каскад с ОБ. Каскад с ОК.
Полевые транзисторы. ПТ с управляющим pn-переходом. Параметры ПТ. Схема включения с ОИ. Схема включения с
3
ОС. МДП-транзисторы. МДП-транзистор с индуцированным каналом. МДП-транзистор со встроенным каналом.
Операционные усилители. Внутренняя структура ОУ. Схемы включения ОУ: дифференциальное включение, инвертирующее включение, неинвертирующее включение.
Схемы включения ОУ: интегратор, дифференциатор. Усилитель-сумматор.
Диодные и транзисторные тиристоры. Симметричные тиристоры.
Основные понятия. Гибридные ИМС. Полупроводниковые ИМС. Биполярные и МДПинтегральные транзисторы
Базовые технологические операции: эпитаксия, легирование, осаждение пленок, травление, литография. Технологии изготовления ИМС, технологии формирования транзисторов.
Общие принципы функционирования элементов вакуумной электроники. Вакуумный диод. Виды накала. Особенности построения схем с применением элементов вакуумной электроники.
Вакуумный триод. ВАХ, параметры, схемы включения. Вакуумный тетрод, пентод. Схемы включения, работа с дополнительными сетками.
Пьезоэлектрические преобразователи. Отражатели объемных волн. Акустические волноводы. Концентраторы.
Кварцевые резонаторы |
|
|
Оптоэлектроника. |
Полупроводниковые |
лазеры. |
Инжекционные лазеры. Полупроводниковый лазер с электронной накачкой. СИД.
Приемники излучения. Фоторезисторы. Фотодиоды. p-i-n фотодиоды. Лавинные фотодиоды. Фототранзисторы. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью. Оптроны.
4
2. КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ
2.1. Подготовить краткий отчет по одному вопросу из нижеприведенного списка. Номер вопроса должен соответствовать сумме последних двух цифр номера зачетной книжки.
1. Полупроводниковые диоды. Полупроводники, собственные и примесные полупроводники. рn-переход в равновесном и неравновесном состоянии.
2.Полупроводниковые диоды. Параметры диодов. Вольтамперная характеристика диода. Уравнение ЭберсаМолла.
3.Полупроводниковые биполярные транзисторы. Устройство и принцип действия. Режимы работы. Схемы включения.
4.Дифференциальные параметры биполярных транзисторов. Транзистор как четырехполюсник. Статические вольтамперные характеристики.
5.Виды усилительных каскадов: ОЭ, ОБ, ОК. Режим покоя. Цепи смещения. Параметры усилительного каскада.
6.Полевые транзисторы. ПТ с управляющим pn- переходом. Параметры ПТ. Схемы включения. Цепи смещения.
7.МДП-транзисторы. МДП-транзистор с индуцированным каналом. Режимы работы. Схемы включения. Цепи смещения.
8.МДП-транзисторы. МДП-транзистор со встроенным каналом. Режимы работы. Схемы включения. Цепи смещения.
9.Обратная связь. Виды обратной связи. Обратная связь в усилителях.
10.Дифференциальный каскад. Режим усиления синфазного и противофазного сигнала, работа с закороченным входом.
11.Операционные усилители. Внутренняя структура ОУ. Схемы включения ОУ: дифференциальное включение, инвертирующее включение, неинвертирующее включение.
12.Схемы включения ОУ: интегратор, дифференциатор.
5