Глава /V Принципы построениядействующихи перспективныхустройствмол. электроники
РИС.4.2.Линейнаязависи
мость скорости измене
ния коэффициента отра жения на длиневолны633 нм от концентрации NOx (Жу и др., 1990 г.)
РИС.4.3. Схема газового
сенсора на основе опто
волоконного интерферо метра Маха-Цендера.
I :I: 10
::s::
:;.
100 1000
Концентрация но; 10-4 %
Оптическое волокно
/ ---------.....
Осветитель
Чувствительная зона
131
Физические основы молекулярной электроники
а
R
с Со
L
измсрительная |
|
Термостатированная |
||||||||
I..··..:~D~~~·····I |
|
|
|
камера |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
, |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерительный |
|
|
Опорный генератор |
|
||||||
|
|
|
|
|
||||||
|
генератор |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
f~ + i1F |
|
|
|
F |
|||||
Смеситель
Система об аботки данных
Гис.4.4. Эквивалентная электрическая схема кварцевого резо натора (а) и схема кварцевых пьезорезонансных микровссов (6)
132
Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспектинныхустройств.\107. электроники
волоконнойоптики. Причемсветоводымогут быть выполненыпо планарноймикротехнологиина поверхностиполупроводниковой подложки, на которой также создается необходимаясхема обра ботки сигнала. Свет разделяется и проходит через два плеча ин терферометра.Одно плечо, покрытое защитным слоем, является опорным,другое- открыто для адсорбции молекул из окружаю щего газа или жидкости. На это плечо может быть нанесена поли мерная или другая органическая пленка, способная селективно адсорбировать те или иные молекулы окружения. Действие сен сора основано на слабом изменении толщины и коэффициента пре ломления или поглощения пленки, нанесенной на активное плечо интерферометра, при адсорбции на нее молекул газа или жидко сти. Интенсивность интерференционной картины на выходе сен сора меняется как при изменении эффективноко коэффициента преломления, так и за счет потлощения излучения. Если измере ния проводятся на одной длине волны, это дает возможность оп ределять концентрацию какого-нибудь одного известного компо нента в окружающей среде. При проведении измерений в широ ком диапазоне ИК волн сенсор работает аналогично инфракрас ному спектрометру. Преимущество оптических сенсоров состоит в их высокой чувствительности, вплоть до 10-3 ррт, независимо сти их работы от электромагнитных помех, а также возможности детектирования нескольких веществ одновременно. Одним из ос
новных недостатков оптического подхода является его чувстви
тельность к "световому шуму" и изменениям окружающей осве
щенности.
4) Сенсоры на основе пьезорезонансных кварцевых весов с чувствительностью до 10-4 рргп могут быть построены на осно
ве пьезорезонаторов, покрытых слоем органических молекул с из
бирательной адсорбционной способностью. Стандартная схема построения дифференциального пьезореэонансного сенсора пред ставлена на рис.4.4, там же изображена эквивалентная электри ческая схема пьезокристалла с металлическими контактами. Диф ференциальный сенсор работает следующим образом. Вакууми рованный резонатор в нем является опорным и используется для
133
Физические основы молекулярной электроники
генерации персменных колебаний с высокостабильной частотой в диапазоне 5 -=- 15 МГц. Измерительный резонатор с близкой ре зонансной частотой имеет активное покрытие и способен адсор бировать молекулы анализируемого вещества. Сигналы от двух
генераторов смешиваются, и выделяется разностная частота, ко
торая может быть измерена с высокой точностью. Малейшее из
менение массы одного из резонаторов приводит к изменению его
эквивалентной собственной частоты: bF/F = дИ/М и к соответ ствующему изменению регистрируемой разностной частоты. В ка честве активных покрытий были использованы различные пара фины, глютаминовая и жирные кислоты, лицетины и амины, в том числе и в виде ПЛБ. Триэтаноламин, например, был использован для детектирования SO:: с концентрацией до 10-3 ррт. На рис. 4.5 для примера привсдена зависимость сдвига разностной частоты сенсора от концентрации SOz в воздухе.
::1 |
350 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
~ |
|
|
000 1 |
|
|
|
|
|
||||||
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
<] |
300 |
|
• |
• |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
250 |
|
• |
• • |
3 |
|
|
|
|
|
|
|||
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
150 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
О""'"t |
---- |
|
|
,-----,-----т |
---- |
,----_ _-~-- |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
о |
|
|
|
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Концентрация S02, 10-4 % |
||||
|
Рис. 4.5 |
Отклик на S02 пьезссенсора с тремя разны |
||||||||||||
ми покрытиями. триэтаноламина (1). "Квадрола"(2), "Армина 2С" (3). (Кормаркер и Гулбалт, 1974 г.)
134
Глава 11· Принципы построения действующих и перспективных устройств мол. злектроники
Приложенный |
а |
Гребенчаты й |
|
||
электрический |
|
прсобразоватсль |
|
|
|
сигнал |
|
|
--'v\r-
-+ - + -
~~--_..-----r..~- |
|
|
пооо |
0000 |
попп |
ПnnО |
ооао |
0000 |
|
Выходной
б
электрический
сигнал
Рис 4 6 Схема работы сенсора на релсевских ПАВ (а) Устройство гребенчатого прсобразовагеля (п)
135