Материал: fpp lab 4
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждения
высшего образования
«УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Кафедра «Проектирование и технология электронных средств»
Дисциплина «Физика полупроводниковых приборов»
Отчет по лабораторной работе №4:
«Изучение работы полевых транзисторов»
Выполнили: студенты гр.Рбд-21
-
-
-
-
Проверил: профессор, д. т. н.
Смирнов В.И.
Ульяновск
2021
1. Краткое изложение теории.
1.1. Полевой транзистор и типы полевых транзисторов.
1.2. Работа полевого транзистора с управляющим переходом.
1.3. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим переходом.
1.4. Работа МДП-транзистора с индуцированным каналом.
1.5. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом.
2. Результаты моделирования.
Рис.1. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с управляющим переходом»
Рис.2. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ МДП-транзистора с индуцированным каналом»
Рис.3. Выходных ВАХ полевого транзистора с управляющим переходом.
Рис.4. Выходных ВАХ полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом.
Вывод: В данной лабораторной работе были изучены принципы действия полевых транзисторов, а также измерены статические характеристики полевых транзисторов с управляющим переходом и индуцированным каналом. Пороговое напряжение затвор-исток для транзистора с индуцированным каналом составило примерно 3.3 В.