Перейдем
теперь к рассмотрению гистерезиса инжекционного типа (рис. 3.2). Для простоты
будем предполагать, что диэлектрик МДП-структуры не обладает диэлектрическим
гистерезисом. При подаче достаточно большого положительного напряжения в
полупроводнике образуется обогащенный основными носителями заряда слой. Однако
часть заряда из ОПЗ полупроводника инжектируется в диэлектрик и захватывается
ловушками в близи границы раздела с полупроводником (рис. 3.2а). Емкость всей
структуры при этом велика и практически совпадает с емкостью диэлектрика (рис.
3.2.г). При уменьшении внешнего напряжения до некоторой величины VFB, зависящей от величины накопленного в диэлектрике
заряда, внешнее поле будет компенсировать поле ловушечного заряда, так что
заряд и изгиб зон в полупроводнике будут отсутствовать (рис. 3.2б). При этом
емкость всей структуры будет равна емкости плоских зон CFB.
При снятии внешнего напряжения накопленный в диэлектрике отрицательный
ловушечный заряд будет вызывать обеднение и инверсию в полупроводнике (рис.
3.2в). При подаче достаточно большого отрицательного напряжения ловушки
диэлектрика перезарядятся, а в полупроводнике по-прежнему сохранится обеднение
и инверсия. При этом емкость структуры будет мала и определяться емкостью
обедненного слоя полупроводника (рис. 3.2г). Таким образом, в случае
гистерезиса инжекционного типа изменения емкости структуры происходят при
уменьшении внешнего напряжения, т. е. на обратном ходе его развертки.
СПИСОК
ЛИТЕРАТУРЫ
1. Барфут Дж., Тейлор Дж., Полярные диэлектрики и их применение.-М.: Мир, 2011.-с.528 с илл.
. Бонч-Бруевич В.П., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 2007. - 672 с., ил.
. . Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. П/р Ржанова А.В. - М.: Наука, 2006. - 280с., ил.
. Поплавко Ю.А. Физика диэлектриков. Киев: Высшая школа, 1980г., с.400.
. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Москва. Мир, 1984г., т.1, с.456.