ПРИЛОЖЕНИЯ
1. Секция Physics для диффузионно-дрейфовой модели
Physics{ eQCvanDort
EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom ) Mobility(
DopingDep
eHighFieldsaturation( GradQuasiFermi )
hHighFieldsaturation( GradQuasiFermi ) Enormal
)
Recombination( SRH( DopingDep )
)
}
1. Параметр eQCvanDort включает использование модели ван Дорта. Для того чтобы включить эффекты квантования в классическую модель,
Sentaurus Device вводит псевдоквантовый потенциал в классической формуле для концентрации.
2.Параметр EffectiveIntrinsicDensity (OldSlotboom) включает использо-
вание модели Slotboom.
3.Параметр DopingDep означает использование Doping-dependent mobility degradation (учитывает изменение подвижности носителей заряда от концентрации примесей).
В легированных полупроводниках рассеивание носителей заряженными примесными ионами ведёт к уменьшению подвижности носителей. Sentaurus Device поддерживает две модели для учёта этого эффекта. Если конкретная модель не задана, то Sentaurus Device использует модель по умолчанию, в зависимости от материала, например: для кремния – модель Masetti, для GaAs – модель Arora.
4.Параметры eHighFieldsaturation и hHighFieldsaturation. При больших напряженностях электрического поля дрейфовая скорость носителей заряда не пропорциональна электрическому полю. Скорость насыщается до конечного значения. Sentaurus Device поддерживает различные модели для описания этого эффекта.
46
Включая параметры eHighFieldSaturation и рHighFieldSaturation, исполь-
зуем модель Canali.
5.Параметр Enormal. Для некоторых моделей (модели van Dort и модели Lombardi) электрическое поле на переходе "полупроводник-диэлектрик" принимается нормальным к границе раздела.
6.Recombination(SRH) – рекомбинация Шокли– Рида– Холла. Рекомбинацию на глубоких дефектах в запрещённой зоне обычно называют Шокли– Рид– Холл(SRH)-рекомбинацией.
2. Секция Physics для гидродинамической модели
Physics{
Hydrodynamic( eTemperature )
Mobility ( DopingDep Enormal eHighFieldsat(CarrierTempDrive) hHighFieldsat(GradQuasiFermi) ) Recombination( SRH(DopingDep) eAvalanche(CarrierTempDrive) hAvalanche(Eparallel) )
EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))
}
1.Параметр Hydrodynamic (eTemperature) включает использование гидродинамической модели только для электронов. Для дырок используется диффузионно-дрейфовая модель.
2.Параметры Mobility (DopingDep Enormal) были рассмотрены в прил. 1.
3.Параметр hHighFieldSaturation (GradQuasiFermi) учитывает насыще-
ние скорости дырок и был рассмотрен в прил. 1.
4.Параметр eHighFieldSaturation (CarrierTempDrive) учитывает насыще-
ние скорости электронов. При включении параметра CarrierTempDrive рассчитывает тянущее поле (см. прил. 1).
5.Параметр Recombination (...) определяет модели генерации и рекомбинации носителей заряда.
47
Содержание |
|
I. Моделирование приборов ................................................................................ |
3 |
Лабораторная работа 1. Исследование ВАХ и частоты отсечки |
|
в зависимости от свойств буферного слоя ПТШ ................................................. |
3 |
II. Моделирование технологических процессов.............................................. |
8 |
Лабораторная работа 2. Выращивание слоя SiO2 в сухом O2 на кремнии ....... |
8 |
Лабораторная работа 3. Выращивание эпитаксиального |
|
слоя кремния на кремнии ..................................................................................... |
13 |
Лабораторная работа 4. Ионное легирование кремниевой |
|
структуры бором.................................................................................................... |
18 |
III. Приборно-технологическое моделирование ........................................... |
22 |
Лабораторная работа 5. Приборно-технологическое |
|
моделирование МОП-структуры......................................................................... |
22 |
ПРИЛОЖЕНИЯ..................................................................................................... |
46 |
1. Секция Physics для диффузионно-дрейфовой модели .................................. |
46 |
2. Секция Physics для гидродинамической модели ........................................... |
47 |
Перепеловский Вадим Всеволодович, |
|
Михайлов Николай Иванович, |
|
Марочкин Владислав Викторович |
|
Приборно-технологическое моделирование |
|
транзисторных структур |
|
Электронный лабораторный практикум |
|
2-е издание, дополненное
Редактор И. Г. Скачек, Н. В. Лукина
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– |
––––––– |
Подписано в печать 29.12.14. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать цифровая. Печ. л. 3,0.
Гарнитура «Times New Roman». Тираж 10 экз. Заказ 247.
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– |
––––––– |
Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» |
|
197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5 |
|
48