Материал: 4w6ruoSS8h
*--Band structure/Composition BandGap BandGapNarrowing Affinity
ConductionBand ValenceBand eQuantumPotential
}
Math {
Extrapolate
Iterations=20
Notdamped =100
RelErrControl
ErRef(Electron)=1.e10
ErRef(Hole)=1.e10
}
Solve {
*- Build-up of initial solution: NewCurrentFile="init" Coupled(Iterations=100){ Poisson } Coupled{ Poisson Electron }
*- Bias drain to target bias Quasistationary( InitialStep=0.01 Increment=1.35 MinStep=1e-5 MaxStep=0.2
Goal{ Name="gate" Voltage= 3 } ){ Coupled{ Poisson Electron } }
*- gate voltage sweep NewCurrentFile=""
Quasistationary(
InitialStep=1e-3 Increment=1.35
MinStep=1e-5 MaxStep=1.1
41
Goal{ Name="drain" Voltage= 5 }
){ Coupled{ Poisson Electron }
CurrentPlot(Time=(Range=(0 1) Intervals=20))
}
* none
}
В командной строке набираем sdevice DD_des.cmd и нажимаем Enter. При этом Sentaurus Device потребуется некоторое время для того, чтобы закончить вычисления.
Результаты расчёта можно посмотреть в программе Tecplot. В командной строке набираем команду tecplot_sv, при этом запускается программа Tecplot.
Построение ВАХ. Выбираем в меню
File -> Load и загружаем нужные файлы: для этого выбираем мышью нужный файл n3_des.plt (справа в окошке Files) и нажи-
маем Add (рис. 5.7). После того как все файлы выбраны, нажимаем ОК.
Далее задаём оси. В поле X axis Dataset выбираем OuterVoltage(drain OuterVo-
ltage). В поле Field list выбираем TotalCur- Рис. 5.7. Окно открытия файла в Tecplot rent (drain TotalCurrent).
Получившийся график (рис. 5.8) можно сохранить в формате .jpg. Для этого выбираем в меню File -> Export -> Image. В появившемся окне в поле Export Format выбираем JPEG и нажимаем ОК. Далее задаём имя файла и нажимаем ОК.
Затем очищаем рабочую область. Кликаем по рамке графика (там, где написано имя файла) и нажимаем Delete, на вопрос отвечаем ОК.
Просмотр эквипотенциалей, электрических полей и концентраций электронов. Выбираем в меню File -> Load и загружаем файл n3_des.tdr . Для этого выбираем мышью нужный файл (справа в окошке Files) и нажимаем Add, затем ОК.
Для просмотра эквипотенциалей в поле Field list выбираем ElectrostaticPotential, а в поле Tool buttons выбираем Contour Line and Flood (рис. 5.9).
Изображение можно сохранить вышеописанным способом.
42
Рис. 5.8. ВАХ
Рис. 5.9. Распределение потенциала в структуре
Для просмотра распределения концентрации электронов в структуре необходимо в поле Field list выбрать eDensity (рис. 5.10). Изображение также необходимо сохранить.
43
Рис. 5.10. Распределение концентрации электронов вблизи затвора
Рис. 5.11. Распределение электрического поля вблизи затвора
Для просмотра распределения модуля электрического поля необходимо в поле Field list выбрать Abs (ElectricField) (рис. 5.11). Изображение также необходимо сохранить.
44
5.3. Содержание отчёта
1.Цель работы.
2.Основные положения приборно-технологического моделирования.
3.Текст программы.
4.Выводы.
5.4.Контрольные вопросы
1.Расскажите о ионном легировании.
2.Назовите программы, используемые в данной работе, и их назначение.
3.В чем состоит назначение переходного файла?
45