СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………3
1.ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
1.1Движение электронов в однородном электрическом поле……...4
1.2Движение электронов в неоднородном электрическом поле…...9
1.3Движение электронов в однородном магнитном поле…………11
1.4Электропроводность полупроводников…………………………14
1.4.1Зонная энергетическая диаграмма твердых тел……………..-
1.4.2Собственная электронная электропроводность…………….18
1.4.3Примесная электропроводность……………………………..25
1.4.4Диффузия носителей заряда в полупроводниках…………..30
1.5Электронно-дырочные и металлополупроводниковые
переходы………………………………………………………………33
1.5.1Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения………………………………………………………………-
1.5.2Электронно-дырочный переход при прямом напряжении..38
1.5.3Электронно-дырочный переход при обратном напряжении.- 1.5.4 Переход металл-полупроводник…………………………….44
1.6Физические процессы в полупроводниковых диодах………….46
1.7Физические процессы в транзисторах…………………………..49
2.СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ И ПРОИСХОДЯЩИЕ В НИХ ПРОЦЕССЫ
2.1Электрические сигналы…………………………………………..55
2.1.1Аналоговые сигналы и их параметры………………………56
2.1.2Импульсные сигналы и их параметры……………………..58
2.1.3Цифровые сигналы и их классификация…………………...62
2.1.4Спектры электрических сигналов…………………………..65
2.1.5Преобразование электрических сигналов………………….69
2.1.6Информационная емкость электрических сигналов……….71
2.1.7Основные параметры сигнала информации………………..75
2.2Усилительные устройства………………………………………..76
2.2.1Классификация усилителей и их основные параметры и характе-
ристики……………………………………………………………...-
2.2.2Обратная связь и ее влияние на характеристики
усилителей………………………………………………………………84
2.2.3Классы усиления……………………………………………...92
2.2.4Усилительный каскад………………………………………...95
2.2.5Физические процессы в усилительном каскаде…………….97
2.2.6Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах…………………………………………………………...102
2.2.7Схемотехника усилительных каскадов на полевых транзисто-
рах………………………………………………………………………111
2.3Эмиттерный повторитель………………………………………117