5. Обнаружена и объяснена зависимость эффективного g* - фактора от концентрации и магнитного поля для структуры inas/alsb с несколькими заполненными прк.
6. Показано, что доминирующие механизмы рассеяния в селективно легированных структурах alsb(д-te+)/inas/alsb(д-te+) определяются пространственным распределением зарядов и шероховатостями гетерограниц.
7. Предложен новый метод идентификации экстремумов, который позволяет выявить особенности в уширении уровней ландау, связанных с относительным расположением подуровней вблизи уровня ферми основной и возбужденной прк.
8. Большая величина g-фактора ( > 60) второй прк определяется интенсивным межподзонным e - e взаимодействием.
Основные результаты диссертации
1. Афанасова м.м., горбунова ю.н., устинов а.м. особенности проявления межподзонной е - е релаксации в фурье-спектрах осцилляций магнитосопротивления шубникова - де гааза// труды ix конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, владивосток. - владивосток, 2005 - с. 29-32 (0,2 п.л.).
2. Кадушкин в.и., афанасова м.м., горбунова ю.н., устинов а.м. резонансная модуляция е - е релаксации квантующим магнитным полем// материалы 2-ой международной конференции «физика электронных материалов», калуга. - калуга, 2005. - т. 1. - с. 248-251 (0,2 п.л.).
3. Кадушкин в.и., афанасова м.м. низкотемпературный магнитотранспорт 2d и 3d электронов// рязанский государственный университет им. С.а. есенина.-рязань, 2006.-21 с.,ил., библ.20.- рус.-деп. В винити 17.05.06 №667-в2006(1.3 п.л.)
4. Афанасова м.м. механизмы рассеяния в сильно легированных структурах alsb()/inas/alsb() с вырожденным 2d электронным газом// электроника: сборник научных трудов. Рязань. Ргрту. 2006.с. 108-120.(0.8 п.л.)
5. Афанасова м.м. эффективный g*-фактор спектроскопического расщепления в нелегированных и селективно легированных структурах alsb/inas// электроника: сборник научных трудов. Рязань. Ргрту. 2006. С.99 -107.(0.5 п.л.)
6. Афанасова м.м., степанов в.а. аномалии затухания квантования ландау в гетероструктурах alsb(те+)/inas/alsb (те+) с вырожденным 2d электронным газом // материалы 5-ой всероссийской конференции «фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников и источников света», -саранск.- 2007.- с. 60 (0.1 п.л.)
7. Кадушкин в.и., афанасова м.м., горбунова ю.н. эффективный g*-фактор спектроскопического расщепления в селективно легированных гетероструктурах algaas/gaas и alsb/inas// zhurnal.gpi.ru/articles/2006/ 205.pdf (0.6 п.л.)
8. Афанасова м.м., степанов в.а. особенности фурье-спектров осцилляций шубникова де гааза в гетеросистеме inas/alsb// вестник рязанского государственного университета имени с.а. есенина. Рязань. 2007, №2. С.114 - 120. (0.5 п.л.)
9. Афанасова м.м., степанов в.а. роль электрон - электронного взаимодействия в явлениях низкотемпературного магнитотранспорта вырожденных 2d электронов// вестник рязанского государственного университета имени с.а. есенина. Рязань. 2007, №3.- с. 91 - 93. (0.3 п.л.)
10. Афанасова м.м., степанов в.а. сравнительный анализ параметров и свойств вырожденного двумерного электронного газа в структурах inas/alsb alxga1-xas/gaas// вестник рязанской радиотехнической академии. Ргту. Рязань. 2007. Вып. 22. С. 52 - 59. (0.5 п.л.)