Материал: Методические указания к лабораторным работам № 1-4 по курсу «Тонкопленочные материалы и устройства» для студентов направления 223200.68 «Техническая физика». Янченко Л.И., Каширин М.А

Если образец многофазный, то построением графиков зависимости ~ можно разделить все кубические фазы, так как для каждой фазы точки будут лежать на своих прямых с угловым коэффициентом лежать на своих .

При работе с монокристаллическими образцами известной структуры индицирование точечной электронограммы можно произвести путем сопоставления ее с электронограммами построенными для различных ориентировок монокристалла относительно электронного луча. Построение и индицирование электронограммы для данной uvw обратной решетки и исключению узлов, запрещенных структурным фактором.

Для всех узлов hkl, принадлежащих плоскости uvw, выполняется условие hu + kv + lw = 0 (*). Построение начинается с выбора двух узлов h₁k₁l₁ и h₂k₂l₂ с малыми индексами, удовлетворяющему соотношению (*). Третий узел определяется как (h₁ – h₂, k₁ – k₂, l₁ –l₂). Векторы обратной решетки, соответствующие этим узлам, определяются из значений межплоскостных расстояний: g_hkl  = 1 / d_hkl.

Для кубических кристаллов удобно выбирать второй узел с малыми индексами таким, чтобы было . Его индексы определяются из условия перпендикулярности двух векторов: h₁h₂ + k₁k₂ + l₁l₂ = 0.

Повторением ячейки, образованной тремя найденными узлами и нулевым, во всех направлениях образуется полная плоскость (uvw). При этом необходимо дополнить электронограмму пропущенными узлами и исключить узлы, запрещенные структурным фактором.

Неизвестную электронограмму от известного вещества можно проиндицировать непосредственно, не пребегая к набору известных электронограмм. Последовательность индицирования сводится к следующему:

1. По поликристаллическому эталону и таблице межплоскостных расстояний d_hkl определяются индексы трех узлов р₁, р₂, р₃, образующих вместе с нулевым узлом параллелограм;

2. Методом проб и ошибок определяются знаки индексов так, чтобы выполнялось равенство .

3. Плоскость (uvw) обратной решетки кристалла определяется из условия принадлежности к ней узлов р₁, р₂, то есть

h₁u + k₁v + l₁w = 0

h₂u + k₂v + l₂w = 0, или .

Это выражение определяет ориентировку кристалла, то есть направление , параллельное электронному лучу.

Порядок выполнения работы

1. Получить у преподавателя фотографию электронограммы.

2. Измерить радиусы дифракционных колец, данные занести в табл.

3. По справочнику найти соответствующие межплоскостные расстояния d_hkl.

4. Рассчитать постоянную прибора L.

Определить тип и постоянную решетки объекта. Результаты свести в таблицу.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Горелик С.С. Рентгенографический электроннооптический анализ / С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. – М.: Металлургия, 1970. – 620 с.

2. Эндрюс К. Электронограммы и их интерпретация / К. Эндрюс, Л. Лайсон, С. Киоди. – М.: Мир, 1971. – 510 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1 1

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 8

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 20

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4 28

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к лабораторным работам № 1 - 4

по курсу «Тонкопленочные материалы и устройства»

для студентов направления 223200.68 «Техническая физика» (магистерская программа подготовки «Прикладная физика твердого тела») очной формы обучения

Составители:

Янченко Лариса Ивановна

Каширин Максим Александрович

В авторской редакции

Подписано к изданию 27.03.2013.

Уч.-изд.л. 2,1.

ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный технический

университет" 394026 Воронеж, Московский просп., 14

2