,
(5.10)
где
Выразим
через коэффициент
использования коллекторного напряжения
в критическом режиме ζкр
= uk
кр
/ек.
Учитывая, что
,
получаем
и соответственно
.
(5.11)
Графики на рис. 18.2 построены в предположении, что критический режим наступает при Θкр = 180° и ζкр = 0,8. В этом случае KПД режиме молчания ηэ мол = 31,4 %, а в максимальном режиме, соответствующем (-cosΘ) = 0,5 (Θ = 120°), ηэ тах = 42,5 %.
Для более эффективного использования АЭ по мощности целесообразно настраивать усилитель на критический режим в максимальной точке линейного участка модуляционной характеристики Iк1 (ес), например при (-cosΘKp) = 0,5 (Θкр = 120°). Этого можно добиться двумя способами: снижением напряжения питания (как показано на рис. 18.1) или увеличением высоты импульса тока iк.м при постоянном Ек. В первом случае зависимости Iк1 , Iк0 (Ec) изменяются только в перенапряженном режиме (штриховые линии на рис. 18.1), мощность P1 остается неизменной, а мощность Р0 уменьшается из-за снижения напряжения питания (назовем новое значение ек.н). Можно показать, то при ζкр = 0,8 в исходном режиме и переходе в КР при Θ = 120° получим ек/екн =1,19 (см. задачу 4 в контрольных вопросах к этой главе). Это означает, что электронный КПД возрастет в 1,19 раза и составит 50 % в КР и 37 % в режиме молчания.
Во втором случае, чтобы
настроиться в КР при прежнем значении
Ек,
увеличим высоту
импульса тока iк
м
в точке Θ=120° до значения iк.м.кр
соответствующего Θ = 180° в исходном
режиме. В этом случае значения
и
остаются прежними, а электронный КПД
согласно (4.8) увеличивается в
раза и достигает 39 % в режиме молчания
и 53 % в максимальном (критическом)
режиме.
В процессе модуляции
постоянная составляющая тока коллектора
и силу слабой нелинейности модуляционной
характеристики Iк0
мод (Ec)
практически не
меняется, так что можно принять Iк0
мод
= Iк0
мол
и соответственно Рк0
мод = Рк0
мол.
В то же время колебательная мощность
за счет мощности боковых составляющих
увеличивается
и, следовательно, согласно принципу
баланса мощностей на то же значение
уменьшается мощность, рассеиваемая
на коллекторе:
,
(5.12)
Таким образом, мощность, рассеиваемая на коллекторе в режиме молчания, больше, чем при модуляции, и в этом режиме следует проводить оценку теплового режима АЭ. Электронный КПД при модуляции повышается:
(5.13)
однако при среднестатистическом значении тср = 0,3...0,5 это увеличение незначительно.
Низкое значение КПД в режимах молчания и модуляции является существенным недостатком модуляции смещением. Это обусловлено тем, что при молчании режим недонапряженный и коэффициент использования коллекторного напряжения в 1,6... 1,7 раза меньше критического. Кроме того, в критическом режиме усилитель работает при угле отсечки 120°, не оптимальном в энергетическом отношении.
При выборе АЭ по номинальной мощности, как упоминалось ранее, исходят из значения мощности Р1 тах = Р1 мол(1 + т) 2 . Здесь т = 0,6...0,7 — максимальная глубина модуляции коллекторного тока при модуляции смещением. В максимальной точке модуляционной характеристики выбирают режим критический, рассчитывают все показатели режима и проверяют выполнение условий по максимально допустимым значениям тока коллектора (iк.м < iк.доп) и напряжения между коллектором и эмиттером (ек.э.max = Ек max + Uк.кр < ек.э.доп).
В режиме молчания оценивают
мощность рассеяния на коллекторе и
сравнивают ее с допустимой: Ррас.мол
= Р0
мол – Р1
мол <
Рк.доп.
В минимальном режиме
определяют модуль обратного пикового
напряжения на эмиттерном переходе и
проверяют соотношение
Нагрузкой выходного каскада модулятора служит входная цепь АЭ модулируемого каскада. Поскольку гармоника входного (базового) тока модулирующей частоты IΩб в десятки раз меньше выходного тока Iк1 мол, а напряжение на входе UΩ на порядок меньше амплитуды напряжения на коллекторе Uк.мол , мощность модулятора составляет несколько процентов Р1 мол. В этом достоинство модуляции смещением по сравнению с рассматриваемыми далее системами коллекторной и комбинированной модуляции.
Усиление модулированных колебаний (УМК), или модуляция возбуждением, применяется в тех случаях, когда модуляция смещением выполнена в одном из промежуточных каскадов передатчика. Это позволяет заметно снизить требования к модулятору и путем углубления модуляции при усилении довести коэффициент модуляции в выходной ступени до требуемого значения т = 1. Модуляция возбуждением применяется в однополосных передатчиках систем связи, в мощных каскадах телевизионных передатчиков изображения и др.
При усилении АМ-колебаний на вход каскада (на базу транзистора) подается напряжение возбуждения высокой частоты с коэффициентом модуляции тв
. (5.14)
Неискаженное усиление АМ-колебаний возможно в линейном режиме при Ес> Е' + Uб mах и при работе в недонапряженном режиме с углом отсечки Θ = 90° (Ес = Е'). Первый вариант не применяется из-низкого электронного КПД в режиме молчания ηэ мол ≤10 %. Во втором случае, поскольку ЕС = Е', угол отсечки Θ = 90° не зависит от U6. Модуляционные характеристики токов Iк1(Uб), Iк0 (U6) кусочно-линейной модели АЭ в этом случае представляют собой прямые линии:
,
выходящие из начала координат и переходящие в почти горизонтальные линии в перенапряженном режиме (рис. 4.5). Реальные характеристики из-за нижнего загиба статических характеристик iк(иб) имеют аналогичный нелинейный участок при малых токах. Однако нелинейные искажения оказываются достаточно малыми, чем и обусловлено широкое применение этого режима при усилении модулированных и однополосных колебаний.
При запирающем смещении Ес < Е' ток появляется в точке Uб min = Е' - Ес , в которой Θ = 0. Далее с ростом Uб высота импульса и угол сечки резко увеличиваются, так что модуляционные характеристики на всем протяжении, кроме начального пологого участка, близки к линейным. Как видно из рис. 19, во избежание перемодуля-
Рис. 19. Нормированные модуляционные характеристики первой гармоники коллекторного тока при усилении AM колебаний для разных значений напряжения смешения:
ции выходного сигнала коэффициент модуляции входного напряжения должен быть не выше
,
(5.15)
где
— напряжение отсечки кусочно-линейной
функции, аппроксимирующей зависимость
Iк1(Uб).
Выразив отношение U’б/Uб
max
через угол отсечки в
критическом режиме U'6/U6m!iX
= a
cosΘкp,
где а = 1,2
при чебышевском критерии близости
аппроксимации, получим
(5.16)
Заметим, что а
= 1, если U'6
= U6min
= Е'
- Ес
(так как cosΘкp
=
) и
а=4/π если U'6
соответствует
прямой, проведенной по касательной
в точке Iк1
кр
модуляционной характеристики.
На основании (5.16) можно решить обратную задачу — найти требуемый угол отсечки Θкр, если задана глубина модуляции входного сигнала:
(5.17)
Например, при значениях тв
= 0,6...0,7, характерных
для модуляции смещением, получаем
cosΘкp
= 0,20...0,147 (Θкр
= 78...82°). Таким образом, рассмотренный
режим можно применять в каскаде, стоящем
непосредственно после каскада,
модулируемого смещением. Энергетические
показатели в режиме усиления АМ-колебаний
получаются примерно такими же, как при
модуляции смещением. АЭ выбирают исходя
из пиковой мощности
.
Режим в пиковой точке
близок к критическому: ζmах
= (0,95... 1 )ζкр.
При ζmах
= 0,8 и Θ = 90° имеем η
э max
=0,63. В режиме
молчания уменьшаются вдвое при т
= 1. В режиме модуляции
согласно (5.13) КПД повышается. Таким
образом, наибольшая мощность рассеивается
на коллекторе в режиме молчания.
Значение Uб
max
определяют в максимальном режиме,
при этом U6
мол
= U
б
mах/
(1 + тв).
При модуляции смещением и усилении АМ-колебаний постоянная составляющая входного тока зависит от коэффициента модуляции, поэтому следует применять фиксированное смещение от источника с малым внутренним сопротивлением.
Общий КПД передатчиков при модуляции смещением и последующем усилении АМ-колебаний получается низким, что препятствует их применению в радиовещании и системах профессиональной связи.
Этот вид модуляции осуществляется изменением коллекторного напряжения в такт с модулирующим низкочастотным сигналом иΩ = cosΩt. Модулирующее напряжение вводится последовательно с напряжением питания Ек мол, определяющим режим молчания:
,
(5.16)
где
модуляция
реализуется в перенапряженном
режиме. В максимальной
точке режим АЭ критический. Импульс
тока, определяемый входным
высокочастотным напряжением uб
= Uб
cos
ωt
и фиксированным смещением Ес,
имеет постоянный
нижний угол отсечки
.
Остаточное напряжение
на коллекторе ек
min
кр
= Ек
max
- Uк.mах.
По мере уменьшения Ек
в импульсе
появляется и величивается провал. При
Ек
< ек
min
кр импульс из-за
отсечки на уровне SKpEK
становится
трапецеидальным, а верхний угол отсечки
Θ! стремится к Θ.
Рис. 20. Временные диаграммы формирования импульсов коллекторного тока при коллекторной модуляции (представленные формы импульсов тока коллектора соответствуют точкам 1—4 на рис. 21)
Рис. 21. Статические
модуляционные характеристики Iк0
(Eк),
Iк1,(Eк)
(в амперах) и отклонение характеристики
Iк1
Iк1
(Eк)
от линейной
(в амперах)
Процесс формирования импульсов тока iк(ωt) иллюстрируется на рис. 4.6. Зависимость Iк1 (Ек) близка к линейной, характеристика Iк0 (Ek) существенно нелинейная (рис. 4.7). В режиме молчания, в котором отклонение от линейной зависимости близко к максимальному, ∆ Iк1/ Iк1mах = 0,068, а для постоянной составляющей ∆ Iк0/ Iк0 max= 0,16, т.е. в 2,3 раза больше (численные данные относятся к значению ζкр = 0,8).
Расчет модуляционных характеристик. Примем кусочно-линейную модель безынерционного АЭ и рассчитаем сначала зависимость Iк1 (Ек). Расчет выполним двумя способами. Первый, основанный на графическом решении трансцендентных уравнений, предложен СИ. Евтяновым [5].
По условию задачи напряжения Ес, U6, cosΘ= -(ЕС- E')/U6 и сопротивление коллекторной нагрузки RK считаются постоянными. В результате ток Iк1 в ПР является функцией только напряжения на коллекторе: