а б
Рис. 10
а. C [Ф] = C0 + Cк1 + Cк1, C0 = e0ervl/h,
Cк1 = (0,5e0l) [120pZв(v, h, 1)/Z2в(v, h, er) - erv/h],
Cк2 = (0,5e0v) [120pZв(l, h, 1)/Z2в(l, h, er) - erl/h], l, v, h [м].
б. C [Ф] = C0 + Cкр,
C0 = eэфe0pr20/h, Cкр = 2eэфe0r0[ln(pr0/2h) + 1,7726],
r0, h [м].
Емкость конденсатора с учетом краевого эффекта дает погрешность результатов, получаемых по данным формулам, при 2h/v £ 1 около 1 %; при 2h/v £ 2 » 2 % и 2h/v £4 » 20 %.
На рис. 11 представлена зависимость
емкости прямоугольного конденсатора от отношения v/l при различных значениях параметра l/h, er и толщины
подложки. Например, емкость при er = 2,5 равна среднему
арифметическому ее значений при er = 2,3 и 2,7. Наличие двух значений er позволяет
оценить влияние разброса er на емкость.

Рис. 11
На рис. 12 представлены зависимость eэф от отношения r0/h при
различных значениях er и
зависимость емкости конденсатора круглого сечения от тех же параметров при v = 2r0.
Рис. 12
Преимущества сосредоточенных конденсаторов на подложке: простота изготовления; возможность получения с достаточной точностью требуемой емкости, так как при обычно используемых толщинах подложек емкость на единицу площади невелика (для подложек с eг = 10 около 0,1 пФ/мм2); высокое пробивное напряжение; возможность реализовать высокую добротность, так как нет ограничений на материал обкладок и их толщину в пределах используемой технологии; возможность точной подстройки простыми технологическими способами. Недостатки: относительно большая площадь элементов; невозможность достижения больших номиналов; усложнение конструкции при последовательном включении конденсаторов в линию из-за необходимости использовать отверстия и т.п.
Несмотря на универсальность, многослойная пленочная конструкция конденсатора обладает недостатками; трудно создать высокочастотные конденсаторы с высокой удельной емкостью (получены удельные емкости до 30 - 50 пФ/мм2); появляются дефекты (проколы) при изготовлении диэлектрических слоев; из-за малой толщины диэлектрического слоя не удается достичь высокого пробивного напряжения. Для создания конденсаторов небольшой емкости нередко используют конструкции без дополнительных диэлектрических слоев. К таким конденсаторам относятся торцевой зазор в полоске, гребенчатый зазор.
Последовательную емкость выполняют в виде
планарной (гребенчатый) штыревой структуры, изображенной на рис. 13, которая
имеет величину, определяемую как
C [пФ/ед.
длины]
= (er + 1) e0b[2A1(N
- 1) + A2],= 0,614(h/s)0,25(t/h)0,439,= 0,775t/(2N - 1)(t + s) + 0,408,
N - число секций, h
- толщина подложки.
Рис. 13
Либо в виде зазоров и параллельно расположенных ПЛ, при этом погонная емкость (Сп, пФ/см) между двумя такими обкладками (рис. 14, а) для подложек с er = 10 определяют по графику рис. 14, б. Для подложек с er = 7 - 8 следует значение, полученное из графика, умножить на 0,7.
Добротность конденсатора рассчитывается по
формуле
/QC
= 1/QS + 1/Qd,
где Qs = 3v/2wCl2RS - добротность проводящих пластин; Qd= 1/tgd - добротность диэлектрической пленки.
Погрешность расчета емкости по приведенным
формулам - до 5 %, а добротность может быть оценена и как QС
= 1/wCR,
где R= (4/3)bRS/Nt,
Rs -
поверхностное сопротивление проводника, в котором сформирована емкость. На
частоте 2 ГГц достигнута добротность конденсатора (С = 2,9 пФ), равная 677.
Достоинство конструкции - в ее простоте, несмотря на высокие
требования к качеству изготовления штырей и зазоров, недостатки -
сложность подстройки и малый номинал.
а б
Рис. 14
Навесные конденсаторы постоянной емкости. В полосковых схемах в зависимости от типа конструкции используются: конденсаторы постоянной и переменной емкостей, предназначенные для относительно низкочастотных цепей, если они сохраняют свойства сосредоточенных элементов в СВЧ диапазоне; конденсаторы, разработанные специально для СВЧ диапазона. Номиналы конденсаторов соответствуют стандартным, но существуют более высокие классы точности: 0 (±2 %), 00 (±1 %), 05 (±0,5 %), 02 (±0,2 %), 01 (±0,1 %). По отклонению ТКЕ конденсаторы разделяются на две подгруппы: I - керамические, стеклокерамические и стеклянные на номинальное рабочее напряжение до 1600 В, изолированные емкостью до 47 пФ, незащищенные и неизолированные емкостью до 20 пФ; II - керамические, стеклокерамические и стеклянные на номинальное рабочее напряжение до 1600 В, изолированные емкостью больше 47 пФ, незащищенные и неизолированные емкостью больше 20 пФ, керамические, стеклокерамические и стеклянные на номинальное рабочее напряжение выше 1600 В.
Конденсаторы типа К10-9, К10-17, К10-42, К10-43
и т.п. представляют собой миниатюрные керамические параллелепипеды (рис. 15, б,
слева (а) изображены бескорпусные резисторы), торцы которых металлизированы и
облужены. Конденсаторы с помощью пайки крепятся к контактным площадкам схем.
Габаритные размеры этих конденсаторов соответственно: К10-9 2x2x1,2;
2x4x1,2;
4x4x1,2;
2,5x5,5x1,2
мм; К10-17: 1,5x1,4x1,2;
2x1,9x1,2;
4x3x1,2;
5,5x4,6x2,0
мм; К10-42: 1,5x1,4x1,2
мм; К10-43: 4x2,9x2,4,
5,5x3,2x2,7;
8x6,8x2,4;
12x10,6x2,4
мм, а номиналы: К10-9 номиналы 2,2 - 47 000 пФ (допуск
на емкость ±5 и ±10 %, ТКЕ + 33×10-6 (ПЗЗ), -
47×10-6
(М47)), рабочее напряжение - до 25 В; К10-17 номиналы 22 -
330 000 пФ (допуск на емкость ±5 и ±10 %, по ТКЕ относятся к группам МЗЗ, М47,
М75), рабочее напряжение - до 25 В; К10-42 номиналы 1 -
22 пФ (допуск от ±0,25 пФ до ±0,5 пФ для емкости 4,7 -
10 пФ и ±5; ±10; ±20 % для емкостей больше 10 пФ, по ТКЕ (-
47 ± 30)×10-6
группа М47); рабочее напряжение 50 В, tgd
< 15×10-4.
а б
Рис. 15
Конденсаторы К10-43 имеют номиналы 21,5 пФ - 0,0442 мкФ с допуском ±1, ±2, ±5 %; ТКЕ (0 ± 30)×10-6 (группа МПО); рабочее напряжение 25 В tgd £ 15×10-4. Конденсаторы К10-42 имеют наименьшие габаритные размеры и разработаны специально для применения в ГИС СВЧ на частотах до 2 ГГц.
В полосковых схемах можно использовать как малогабаритные переменные конденсаторы, не предназначенные для СВЧ техники, до 0,5 ГГц, так и конструкции, специально разработанные для СВЧ диапазона. Конденсаторы типа КТ4-25 (рис. 8.14, а) имеют габаритные размеры 8,5x4,5 (для номинального напряжения 250 В), 5х3,5 (100 В); 5х5x3,5 (100 В); 8,5х8,5х4,5 мм (250 В) и т.д. Они обеспечивают диапазоны изменения емкостей 1 - 5; 2 - 10; 5 - 25; 6 - 30 (100 В); 0,4 - 4; 2 - 20; 1 - 8; 5 - 40 пФ (250 В); ТКЕ (0 + 30)×10-6 (группа МП0), - (75 ± 30)×10-6 (группа (М75) и - (750 ± 100)×10-6 (группа М750); tgd £ 2×10-4. Конденсаторы выдерживают до 100 перестроек, масса - не более 0,6 г. На частотах до 100 - 300 МГц можно применять малогабаритные пластинчатые конденсаторы с воздушным диэлектриком типа КПВ-1, обеспечивающие диапазоны изменения емкости 2 - 12 пФ. Однако из-за относительно больших для СВЧ цепей размеров и массы (15 - 20 г) эти типы конденсаторов используются редко.
Для диапазона СВЧ предназначены конденсаторы КТ4-22, имеющие размеры 8,5х8,5х4,5 мм и перестраиваемые от 0,21 до 2; от 1 до 5; от 2 до 10; от 3 до 15 и от 4 до 20 пФ. Номинальное напряжение конденсаторов 250 В; tgd £ 20×10-4; ТКЕ - (75 ± 75)×10-6; масса - не более 0,7 г.
Конденсаторы типа КТ4-27 выдерживают до 50 циклов перестройки, разработаны, в частности, для ИС СВЧ и работают при номинальных напряжениях 25 и 50 В. Габаритные размеры 2,8х2,6х1,2 (25 В) и 5х4,7х1,8 мм. (50 В), диапазоны перестройки 0,4 - 2, 1 - 5 (25 В), 1 - 5, 2 - 10, 3 - 15, 4 - 20 пФ (50 В); ТКЕ - (75 ± 125)×10-6; tgd £ 20×10-4. Масса 0,07 г (25 В) и 0,2 г (50 В).
В диапазоне до 5 ГГц находит применение
миниатюрный плоский конденсатор, обеспечивающий при габаритных размерах 5х1х0,5
мм перестройку 0,1 - 2,5 пФ. На частоте 1,4 ГГц потери
0,04 дБ.
. Индуктивности
Индуктивность при номиналах единицы нГн - это отрезки полосковых линий. Плоские, спиральные элементы применяются в качестве дросселей и индуктивностей с номиналом от единиц нГн до сотен мкГн.
Такие элементы находят применение в полосковых схемах на органических и неорганических диэлектриках и являются по существу отрезком линии передачи, что упрощает технологию изготовления. Погрешности при реализации такие же, как при изготовлении проводников. Недостатки: большие габаритные размеры и отсутствие возможности простой подстройки.
С помощью прямоугольного проводника можно
реализовать индуктивности малых номиналов (до единиц нГн). Рассмотрение
прямоугольного отрезка, как короткозамкнутого отрезка линии передачи позволяет
вывести как выражение для полного сопротивления такого элемента:
Z = Rl
+ jwLl,
где R
-
погонное активное сопротивление; L
-
погонная индуктивность; l
- длина рассматриваемого отрезка линии, так и добротности индуктивности
QL = wL/R.
При этом сопротивление прямоугольной полоски
можно определить как
R = nRSl/2(v
+ t),
где Rs
-
поверхностное сопротивление, Ом; n -
поправочный коэффициент, учитывающий неравномерное распределение тока в
полоске. Отрезок проводника (рис. 16) в качестве индуктивности употребляется
редко, но следует помнить, что отрезок линии передачи со свойствами
последовательной индуктивности имеет индуктивность L металлической полоски
шириной v
и длиной l (без учета влияния металлического основания подложки) определяемую
формулой
Рис. 16
где L - величина индуктивности; l, v, t - длина, ширина и толщина полоски, мм.
Геометрические размеры индуктивностей величины L
в структуре в виде полоски или “меандра” (рис. 17, а и б) можно определить из
графика (рис. 17, а) (без учета металлического основания и подложки).

а б
Рис. 17
Величину индуктивности L полосковой линии
шириной v,
высотой t и длиной l (рис.
18) с учетом влияния металлического основания подложки определяют по формуле
L = 0,46l×lg(8t/v)
+ (v/4t)
»
0,2l ln(8t/v) + (v/4t).
В случае, если параметры ПЛ заданы в виде
волновых сопротивлений (рис. 19), индуктивность следует определять как:
L [Гн] » Z1l(eэф)0,5/с, Z0 << Z1, c = 3 1011 мм/с, l, мм, l < l/8, Z0,Ом.

Рис. 18 Рис. 19 Рис.
20
Для цилиндрического проводника, применяемого
крайне редко (рис. 20) ввиду низкой технологичности индуктивность равна
L [нГн] = 0,2l[ln(l/d)
+ 0,386], d, мм, l,
мм.
Круглая одиночная петля (рис. 21) обладает
индуктивностью:
Рис. 21 Рис. 22 Рис. 23
L [нГн] = 0,2l[ln(2l/(v + t)) - 2,451],
v, t и l - ширина, толщина витка и его периметр, мм.
Квадратная петля и равносторонний
треугольник (рис. 22, 23) имеют индуктивности, соответственно:
L [нГн]
= 0,2l[ln(2l/v + t) -
2,853],[нГн]
= 0,2l[ln(2l/v + t) -
3,197],
где l, v, t - сторона квадрата или треугольника, ширина и толщина витка, мм.
Значение индуктивности, выполненной в форме
круглой спирали (рис. 24), определяют по формуле
L = 5 (D
+ d)2 N2
/(15D
-
7d),
если заданы D, d - внешний и
внутренний диаметры (стороны) спирали, мм; N - число
витков.
Рис. 24
Либо при задании R1, R2 - внутреннего
и внешнего радиусов, мм, N - числа
витков, и величины а = 0,5(R1 + R2), c = R2 - R1
L [нГн]
= 0,4pN2a[(ln8a/c
- 0,5) + (c/a)2(ln8a/c + 3,583)/24] - 2,853],[нГн]
= 10N2(R1 + R2)2/(15R2 -
7R1),[нГн]
= 39,3(0,8a2N2)/(6a + 10c).
Индуктивность плоской квадратной
спирали (рис. 25) определяется по одной из формул
L [нГн]
= 2,41aN5/3ln(8a/c),[нГн]
= 8,5S0,5N5/3 (R1 = 0),[нГн]
= 0,27D8/3r-5/3(1
+ q/)-5/3,
где а = 0,5(R1 + R2), c = R2 - R1, S - площадь,
см2, r - ширина
витка, мм, q - ширина
зазора, мм, D - сторона
квадрата, мм.
Рис. 25
Если параметры плоской спирали
заданы через внешний диаметр, то расчет ее индуктивности можно провести по
формуле
L = 6 (D
+ d)2 N2
/(15D
-
7d).
Внешний диаметр (сторону) спирали определяют по
формуле
D = d
+ (2N
- 1)s
+ 2v,
где s - шаг спирали и v - ширина спиральной полоски, мм.
Число витков спирали определяют по формуле
N = [(D
+ s) -
(d + 2v)]/2s.
Добротность пленочных катушек индуктивности определяют (в общем случае как QL = wL/R, где сопротивление прямоугольной полоски R = 0,5nRsl/(v+t), Rs - поверхностное сопротивление, n - поправочный коэффициент (рис. 26, а), учитывающий неравномерное распределение тока в полоске) по формулам:
- для индуктивности в форме круглой
спирали
Q = 2×103
v(D
+ d) f1/2/(15D
- 7d);