троотрицательности атомов в подгруппе, связано с увеличением их поля-
ризуемости по мере возрастания радиуса атома. Большая поляризуемость атома способствует лучшей делокализации отрицательного заряда и по-
вышению стабильности сопряженного основания.
При одинаковой природе атома при кислотном центре сила кислоты определяется его структурным окружением. Увеличению силы кислоты способствует делокализация отрицательного заряда в сопряженном осно-
вании (анионе) и его рассредоточение на большем количестве атомов.
Так, карбоновые кислоты – одни из самых сильных органических кислот. Их сила обусловлена стабилизацией карбоксилат-аниона за счет делокализации отрицательного заряда в сопряженной системе. В результа-
те отрицательный заряд в карбоксилат-анионе рассредоточен между двумя атомами кислорода, а обе связи С-O абсолютно равноценны:
Фенолы являются более сильными кислотами, чем спирты, за счет резонансной стабилизации фенолят-аниона, отрицательный заряд которого делокализован по ароматическому кольцу:
В результате по силе органические OH-кислоты могут быть расположены в следующий ряд:
ROH |
< H2O |
< |
ArOH < |
RCOOH |
pKa 16-17 |
15,7 |
|
8-11 |
4-5 |
Введение заместителя в связанный с кислотным центром углеводо-
родный радикал влияет на силу кислоты. Электроноакцепторные замести-
тели увеличивают, а электронодонорные - уменьшают кислотность. Влия-
ние электроноакцепторных заместителей связано с их способностью дело-
кализовать отрицательный заряд и, тем самым стабилизировать сопряжен-
91
ное основание (анион). Влияние электронодонорных заместителей, напро-
тив, приводит к дестабилизации аниона.
Электроноакцепторные заместители увеличивают силу алифатиче-
ских и ароматических карбоновых кислот, электронодонорные заместите-
ли действуют в противоположном направлении:
Cl-CH2-COOH H-COOH |
CH3-COOH |
|
pKa 2,8 |
3,7 |
4,7 |
+M > -I |
|
-M и –I |
pKa 4,47 |
4,20 |
3,43 |
Аналогичное влияние оказывают заместители на кислотность спир-
тов и фенолов.
Основания Бренстеда.
При одинаковом структурном окружении для элементов одного пе-
риода с ростом электроотрицательности атома при основном центре ос-
новность соединений уменьшается:
аммониевые основания > оксониевые основания
ROH |
RNH2 |
~2 |
~10 |
Снижение основности связано с тем, что более электроотрицатель-
ный атом прочнее удерживает неподеленную пару электронов, которую он должен отдать на образование связи с протоном.
Увеличения s-характера гибридных орбиталей приводит к снижению основности:
Для элементов одной подгруппы с возрастанием заряда ядра основ-
92
ность уменьшается:
оксониевые основания > сульфониевые основания Введение электронодонорных заместителей увеличивает, а введение
электроакцепторных - понижает основность. Так, электронодонорные за-
местители увеличивают основность алифатических и ароматических ами-
нов, увеличивая склонность электронной пары азота к атаке протона.
Электроноакцепторные заместители, напротив, снижают электронную плотность неподеленной пары электронов азота и делают ее менее воспри-
имчивой для атаки протоном:
9,2 |
10,6 |
10,7 |
Если свободная пара электронов азота находится в сопряжение с двойной связью или ароматическим кольцом, основность снижается. Так, в
анилине свободная пара электронов азота сопряжена с ароматическим кольцом.
Протонирование анилина приводит к нарушению сопряжения и энергетически менее выгодно, чем протонирование алифатических аминов.
10,6 |
4,6 |
0,9 |
Амиды карбоновых кислот являются очень слабыми основаниями из-
за сопряжения пары электронов азота с карбонильной группой. В результа-
те атом азота приобретает частичный положительный, а атом кислорода –
93
частичный отрицательный заряд, и протонирование амидов происходит,
как правило, по атому кислорода.
Основность азотсодержащих гетероциклических соединений также определяется доступностью пары электронов азота для атаки протона. Вы-
сокой основностью обладают насыщенные азотсодержащие гетероциклы, в
которых атом азота находится в состоянии sp3-гибридизации. Основность пиридиниевого атома азота (sp2-гибридизация) ниже. Наконец, пирроль-
ный атом азота практических лишен основных свойств, так как его прото-
нирование означает разрушение ароматической гетероциклической систе-
мы:
pKa |
11,27 |
5,2 |
- 0.3 |
Кислоты и основания Льюиса
Дж. Льюисом была предложена более общая теория кислот и осно-
ваний. Основания Льюиса – это доноры пары электронов (спирты, алкого-
лят-анионы, простые эфиры, амины и т.д.). Кислоты Льюиса – это акцеп-
торы пары электронов, т.е. соединения, имеющие вакантную орбиталь (ион водорода и катионы металлов: H+, Ag+, Na+, Fe2+; галогениды элементов второго и третьего периодов BF3, AlCl3, FeCl3, ZnCl2; галогены; соединения олова и серы: SnCl4, SO3).
Таким образом, основания Бренстеда и Льюиса – это одни и те же частицы. Однако основность по Бренстеду - способность присоединять только протон, в то время как основность по Льюису – понятие более ши-
рокое и означает способность к взаимодействию с любой частицей, имею-
щей низколежащую свободную орбиталь.
94
Кислотно-основное взаимодействие по Льюису - доноро-
акцепторное взаимодействие и любую гетеролитическую реакцию можно представить как взаимодействие кислоты и основания Льюиса:
Единой шкалы для сравнения силы кислот и оснований Льюиса не существует, так как их относительная сила будет зависеть от того, какое вещество взято за стандарт (для кислот и оснований Бренстеда таким стан-
дартом является вода). Для оценки легкости протекания кислотно-
основного взаимодействия по Льюису Р. Пирсоном была предложена каче-
ственная теория «жестких» и «мягких» кислот и оснований (табл. 4.1).
Табл. 4.1
Жесткие и мягкие кислоты и основания
Жесткие |
Промежуточные |
Мягкие |
|
|
|
|
Кислоты |
|
|
|
|
H+, Na+, K+, Mg2+, Ca2+, |
Cu2+, Fe2+, Zn2+, R3C+ |
Ag+, Hg2+, I2 |
Al3+, Fe3+, BF3, AlCl3, |
|
|
RC+=O |
|
|
|
|
|
|
Основания |
|
|
|
|
H2O, OH-, F-, ROH, RO-, |
ArNH2, Br-, C5H5N |
R2S, RSH, RS-, I-, H-, |
R2O, NH3, RNH2 |
|
C2H4, C6H6 |
|
|
|
Жесткие основания обладают высокой электроотрицательностью и низкой поляризуемостью. Они трудно окисляются. Их высшие занятые молекулярные орбитали (ВЗМО) имеют низкую энергию.
Мягкие основания имеют низкую электроотрицательность и высо-
кую поляризуемость. Они легко окисляются. Их высшие занятые молеку-
лярные орбитали (ВЗМО) имеют высокую энергию.
95