Материал: 4w6ruoSS8h

*Задание координат прямоугольника

(position 0.0 Ymin 0.0)

(position Xmax Ymax 0.0))

(sdedr:define-submesh-placement "SubMesh_R" "SubMesh" "Win.RightHalf" "Replace"

"AttachPoint" (position 0 0 0) "ToPoint" (position 0 0 0) )

;--- Poly Doping ------------------------------------------------------

*Задание профайла с параметром концентрация бора

(sdedr:define-constant-profile "Const.Gate" DopPol PolyDop )

(sdedr:define-constant-profile-region "PlaceCD.Gate" "Const.Gate" "R.Polygate" 0 "Replace")

*Const.Gate - содержит информацию о концентрации и типе материала, *R.Polygate - информация об области

;- Silicon

*Задание профайла с необходимыми параметрами

(sdedr:define-refinement-size "RSize.Silicon" (/ Xmax 4.0) (/ Ymax 16.0)

(/ Xmax 8.0) (/ Ymax 18.0) ) (sdedr:define-refinement-material "RPlace.Silicon" "RSize.Silicon" "Silicon" )

;- Source/Drain area

*Задание сетки под контактами

(define YSDref (* 1.5 Xj)) (sdedr:define-refinement-size "RSize.SD" (/ (- Xmax Xg) 6.0) (/ (- YSDref Ygox) 8.0) PNres PNres )

(sdedr:define-refinement-function "RSize.SD" "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 1) (sdedr:define-refinement-window "RWin.SD" "Rectangle"

31

(position Xg 0.0 0.0)

(position Xmax YSDref 0.0) )

(sdedr:define-refinement-placement "RPlace.SD" "RSize.SD" "RWin.SD" )

; Junctions under the gate (sdedr:define-refinement-size "RSize.GD" (* 1.0 PNres) (* 1.0 PNres) 0.0

(* 0.8 PNres) (* 0.8 PNres) 0.0)

; Gate-Drain Junction

(sdedr:define-refinement-window "RWin.GD" "Rectangle"

(position (- Xgdo dXext) Ygox 0.0)

(position (+ Xgdo dXext) (+ Ygox (* 0.35 (- Xj Ygox))) 0.0) ) (sdedr:define-refinement-placement "RPlace.GD" "RSize.GD" "RWin.GD" )

; Channel Multibox

*Задание внутри сетки ещё одной, более мелкой

(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel" "Rectangle"

(position 0.0 Ygox 0.0)

(position (* 1.1 Xgdo) (* 0.5 Xj) 0.0) ) (sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel" (/ Xg 4.0) (/ (- Xj Ygox) 4.0)

(/ Xg 8.0) 2e-4 -1.45 1.45 )

(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel" "MBSize.Channel" "MBWindow.Channel" )

; Gate Multibox

(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Gate" "Rectangle"

(position 0.0 Ymin 0.0)

(position Xg Ypol 0.0) ) (sdedr:define-multibox-size "MBSize.Gate"

32

99 (/ (- Ypol Ymin) 4.0)

66 3e-4

0.0 -1.75 )

(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Gate" "MBSize.Gate" "MBWindow.Gate" )

*Пересохранение файлов для возможности дальнейшего их использования

;--- Saving BND file --------------------------------------------------

; Saving BND file

(sdeio:save-dfise-bnd (get-body-list) "n25_half_msh.bnd")

;----------------------------------------------------------------------

; Save CMD file

(sdedr:write-cmd-file "n25_half_msh.cmd")

;----------------------------------------------------------------------

; Build Mesh

(sde:build-mesh "mesh" "-F tdr" "n25_half_msh")

;----------------------------------------------------------------------

; Reflect device

(system:command "tdx -mtt -x -M 0 -S 0 -ren drain=source n25_half_msh n25_msh")

4.Обработка переходного файла. Находясь в своём рабочем каталоге, набираем sde. При этом запускается Sentaurus Structure Editor. Это займёт некоторое время. В появившемся окне нажимаем ОК.

В меню выбираем File -> import -> выбираем файл n25_dvc.cmd. После этого

впапке программа создаст 2 файла, необходимые для дальнейшей работы.

5.Расчёт транзистора

Sentaurus Device – всесторонний пакет, способный моделировать электрические, тепловые и оптические характеристики приборов. Программа работает с геометрическими моделями 1D, 2D и 3D в широком диапазоне. Файл входных данных программы Sentaurus Device состоит из нескольких командных секций (или блоков). По умолчанию расширение входного файла _des.cmd,

например, DD_des.cmd.

33

Примечание. Большинство ключевых слов, используемых в командном файле, могут быть заменены сокращениями. Ссылки на внешние имена, как, например, имена файлов и имена контактов, должны быть заключены в кавычки.

Входной командный файл состоит из следующих секций: File; Electrode; Physics; Plot; Math; Solve.

∙ Секция File. В секции File задаются имена входных и выходных файлов, например:

File {

* Входные файлы

Grid = "nmos_msh.tdr"

Parameter = "nmos.par"

* Выходные файлы

Current = "n1_des.plt"

Plot = "n1_des.tdr"

Output = "n1_des.log"

}

Входной файл (параметр Grid, TDR-формат) содержит два типа информации: 1) геометрия устройства – включает информацию о регионах и материалах, положении контактов и информацию о сетке; 2) такой тип информации, как профили легирования.

Входной файл параметров (параметр Parameter, расширение .par) содержит все используемые для расчётов в той или иной физической модели переменные, которые пользователь может изменить при необходимости.

Выходной файл (параметр Plot в секции File, TDR формат) содержит конечное пространственное решение для всех переменных структуры, например, распределение электронов.

Выходной файл (параметр Current в секции File, расширение .plt.) содержит такие данные, как токи, напряжения и заряды на каждом электроде.

Выходной файл (параметр Output в секции File, с расширением .log) содержит отчёт о работе программы Sentaurus Device во время выполнения вычислений, включая информацию о том, какие физические модели и переменные были использованы. Здесь также содержатся сообщения об ошибках.

На рис. 5.6 изображена диаграмма, которая представляет организацию потока входных и выходных файлов в программе Sentaurus.

34