Материал: Laboratorni_roboti_z_tverdotiloyi_elektroniki_new_format_Lyubiviy

Таблиця 1.1

5. Зібрати схему для зняття зворотної гілки ВАХ напівпровідникового діода, що досліджувався у попередніх пунктах (рис. 1.2). Діод підпаюють до правої пари контактів 16, 17 комутаційної плати у зворотній полярності (тобто анодом до "−" правого джерела а катодом до "+". Величину обмежувального опору зробити мінімальною.

Рисунок 1.2  Схема для зняття зворотної гілки ВАХ діода

Користуючись методикою п. 4, зняти гілку ВАХ кремнієвого діода Д226 або його зарубіжного аналога. Взявши до уваги, для діодів цього типу а , напругу на ньому змінювати від 0 до 40 В, вимірювати цифровим вольтметром 19, а струм вимірювати мікроамперметром. Результати вимірювань занести до таблиці 1.2.

Таблиця 1.2

6. Замінивши кремнієвий діод Д226 на германієвий діод Д7, або його зарубіжний аналог, зняти для нього пряму і зворотну гілку ВАХ згідно з методикою, розкритою у пунктах 3, 4, 5.

При цьому врахувати, що максимальна пряма напруга (спад напруги) на германієвому діоді досягає 0,3  0,4 В.

7. Застосувати для дослідження діод Шоткі і зняти для цього пряму і зворотну гілку ВАХ згідно з методикою пп. 3, 4, 5. Звернути увагу на різницю між ВАХ діодів: кремнієвого, германієвого та Шоткі.

8. Накреслити зняті ВАХ на міліметровому папері. При цьому бажано пряму і зворотну гілки діодів зображати у спільних осях координат у різних масштабах для зручності спостереження за зростанням зворотного струму . Зробити висновки.

9. Зібрати схему (рис. 1.3) для дослідження напівпровідникового стабілітрона з відомим маркіруванням.

Рисунок 1.3 Схема для дослідження стабілітрона

10. Зняти зворотну гілку ВАХ, використовуючи методику п. 5.

При наближенні до ділянки стабілізації крок вимірювань слід значно зменшити для більш точного відображення ВАХ стабілітрона. При цьому, збільшуючи зворотну напругу , треба слідкувати, щоб струм стабілітрона не перевищував величини .

Результати дослідження записати в таблицю 1.3.

Таблиця 1.3

Отриману напругу стабілізації порівняти з аналогічним довідниковим параметром цього приладу.

11. За результатами виконання пункту 10 накреслити ВАХ дослідженого стабілітрона.

За графіком визначити:

- напругу стабілізації ;

- струм стабілізації ;

- ширину ділянки стабілізації .

Для точки (,) на робочій ділянці ВАХ, задаючись приростом струму , визначити диференціальний опір стабілітрона

і порівняти його з довідниковим значенням.

12. На додатковій комутаційній платі з випрямними діода­ми, яку видає викладач, за допомогою паяльника і провідників змонтувати навісним монтажем схему параметричного стабілізатора (рис. 1.4), яку слід через провідники 2 і 4 підєднати до джерела змінної напруги 10 В комбінованого блока живлення (контактні гнізда 20 на лицьовій панелі лабора­торної установки). Резистор та видається додатково.

Рисунок 1.4 – Схема параметричного стабілізатора

За допомогою осцилографа зняти осцилограми у контрольних точках схеми рисунка 1.4:

- у точках 2, 4 – вхідної напруги ;

- у точках 1, 3 – вихідної випрямленої напруги ;

- у точках 1, 5  напруги стабілізації .

Одержані результати у формі часових діаграм напруг , і зарисувати в одній системі координат за зразком рисунка 1.5. Проаналі­зувати і зробити висновки.

Рисунок 1.5 – Часові діаграми роботи стабілітрона при змінній напрузі

Зміст звіту

1. Тема роботи.

2. Мета роботи.

3. Схеми рисунків 1.1, 1.2, 1.3 для зняття статичних ВАХ діодів і схема параметричного стабілізатора (рис. 1.4).

4. Заповнені таблиці 1.1, 1.2, 1.3.

5. Графіки залежності та для всіх діодів і стабілітрона.

6. Часові діаграми напруг схеми рисунка 1.4.

7. Загальні висновки до роботи. Вони мають містити короткий опис проведених досліджень і їх аналіз.

Лабораторна робота 2

Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільною базою

Мета роботи  поглибити знання принципу дії та характеристик біполярних транзисторів (БТ), їх режимів роботи та схем вмикання.

Підготовка до роботи

1. Вивчити лекційний матеріал про будову, принцип дії та режими роботи біполярних транзисторів (БТ).

2. Ознайомитися із контрольними запитаннями.

Перелік контрольних запитань

1. Схема БТ p-n-p типу зі спільним емітером у режимі відсічки.

2. Схема БТ n-p-n типу зі спільним емітером в активному режимі.

3. Схема БТ p-n-p типу зі спільною базою в режимі насичення.

4. Схема БТ n-p-n типу зі спільним колектором у режимі відсікання.

Порядок виконання роботи

1. Зібрати схему (рис. 2.1) для зняття сім’ї статичних характеристик біполярного транзистора зі спільною базою.

Увага! На схемі відображений активний режим БТ p-n-p типу провідності. При цьому емітерний перехід (ЕП) включається в прямому напрямку, колекторний перехід (КП) включається у зворотному напрямку.

У разі, якщо викладач видав транзистор з провідністю n-p-n, полярність напруг і слід змінити на протилежну.

Рисунок 2.1 – Схема для знімання характеристик транзистора

Розміщення електродів транзистора і його тип провідності слід визначити за довідником. Працездатність транзистора можна перевірити за допомогою тестера, вимірявши опори переходів (рис. 2.2). Якщо прямі опори переходів становлять десятки Ом, зворотні – сотні кілоом і більше, а опір між емітером і колектором максимальний, то біполярний транзистор є працездатним.

а) б) в)

Рисунок 2.2 – Схема перевірки працездатності транзистора

Значення обмежувальних опорів та задає викладач. Для збирання схеми використовувати з’єднувальний провідник між контактами 15 та 17 комутаційної плати. Після перевірки викладачем схеми увімкнути лабораторну установку.

2. Зняти статичні вхідні характеристики транзистора

.

Для цього виставити напругу за допомогою потенціометра правого блока живлення.

Далі, змінюючи напругу потенціометром лівого блока живлення у межах від 0 до 1 В, треба стежити за зміною вхідного струму транзистора .