При приложении симметричного сигнала Uвх между входами транзисторов VT1 и VT2 входные напряжения получают одинаковые приращения разных полярностей в результате ток коллектора одного транзистора увеличивается на Iк, а другого уменьшится на столько же. При этом результирующий ток через резистор Rэ останется без изменения, постоянным будет и падение напряжения на нем. Следовательно, резистор Rэ в данном случае не влияет на усиление дифференциального сигнала.
В этом случае дифференциальный усилительный каскад (ДУ) (рис. 2.91а) можно представить в виде двух каскадов ДУ с ОЭ (рис. 2.91б). На рис. 2.91в приведена эквивалентная схема одной половины дифференциального каскада.
в)
Рис. 2.91
Приращения коллекторного напряжения каждого из транзисторов схемы определяются коэффициентом усиления каскада с ОЭ по напряжению без обратной связи.
Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ можно найти по формуле
218
|
|
КUЭ |
U вых |
|
|
|
|
|
|
iб h21э Rк |
|
|
|
h21э Rк |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
U |
|
|
|
i |
1 |
|
R h |
|
|
R / 2 h |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
вх |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
б |
|
r |
11э |
|
|
|
r |
|
11э |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
Приращения коллекторных напряжений на транзисторах |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
VT1 и VT2 будут: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
U вх |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U вх |
), |
где Кuэ |
|
|
|
h21ЭRк |
. |
|
|
|
|
||||||
|
U к1д |
К uэ |
|
; U |
|
КUэ ( |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
К 2д |
|
|
|
Rr / 2 h11Э |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
2 |
2 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
Определим коэффициент усиления по напряжению диффе- |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ренциального сигнала |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
K |
|
|
Uвых |
; |
U |
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
U |
|
|
К |
|
( |
Uвх |
|
Uвх |
) К |
|
U |
|
, |
|||||
uд |
|
вых |
|
к1д |
|
|
|
к 2д |
UЭ |
|
|
UЭ |
вхд |
||||||||||||||||||||
|
Uвхд |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
2 |
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кuд |
|
|
|
Кuэ Uвхд |
Кuэ . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвых |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Выходное сопротивление каскада с ОЭ можно определить на основании эквивалентной схемы (рис. 2.92 ) при нулевом входном сигнале, подав на выходные зажимы переменное напряжение
Uвых.
Рис. 2.92
Считаем, что ток коллектора, ответвляющийся в цепь базы ничтожно мал, поэтому выходной ток распределяется по двум параллельным ветвям, одна из которых содержит резистор Rк, а другая rэ и r*к. Так как r*к>> rэ, Rк, получим
Rвых э= Uвых
r*к||Rк=Rк
r*к/(Rк+r*к) Rк.
iвых
219
Так как, ДУ представлено в виде двух каскадов, то его выходное сопротивление, если пренебречь сопротивлением коллекторного перехода, в два раза выше, чем каскада с ОЭ:
Rвых 2Rк.
Входное сопротивление для разностного сигнала (дифференциальное сопротивление каскада) так же в два раза больше, чем у каскада с ОЭ.
Входное сопротивление каскада с ОЭ определяется из его эквивалентной схемы (рис.2.91в).
Так как входное напряжение Uвх складывается из падений напряжений на сопротивлении rб и rЭдиф, то можно записать так:
Uвх=U rб+Urэ=iб rб+rЭ (1+h21э) iб,
Rвх= |
Uвв iб rб |
rэ(1 h21э) |
rб |
rэ диф(1 h21э) . |
|||
|
|
|
|
||||
iб |
iб |
||||||
|
|
|
|||||
Таким образом, входное сопротивление для ДУ:
Rвх=2 rб+rЭ диф (1+h21э) =2h11э.
Входное сопротивление ДУ невелико и для его повышения можно включить в цепь эмиттера каждого транзистора равные по значению сопротивления резисторы R0 так, чтобы rЭ диф= rЭ диф+R0 . Снижение коллекторных токов также увеличивает rЭ диф, но при этом уменьшается коэффициент усиления.
При подключении нагрузки Rн к точкам 3 и 4 средняя точка будет всегда иметь нулевой потенциал, так как потенциалы симметричных точек Rн изменяются на одно и тоже значение, но в противоположном направлении.
Поэтому каждый из каскадов ОЭ симметричной балансной схемы будет нагружен на резистор R2н , при этом дифференциаль-
ный коэффициент усиления определяется
220
|
h |
(R || |
Rн |
) |
|
|
|
|
. |
||||
Кд |
21э |
к |
2 |
|
||
|
|
|
|
|||
Rr / 2 |
h11э |
|
||||
|
|
|||||
Как видно из формулы, дифференциальный коэффициент при подключении нагрузки уменьшается.
Так как действие синфазного сигнала приводит к одинаковому изменению коллекторных токов и напряжений транзисторов, то коллекторы транзисторов в схеме (рис. 2.91а) можно объединить, представив работу каскада эквивалентной схемой (рис. 2.93б).
а) |
б) |
Рис. 2.93
Тогда из эквивалентной схемы (рис. 2.93б) коэффициент усиления синфазного сигнала будет равен:
|
|
U к.сф |
|
iк |
Rк |
|
|
h21Э |
iб |
Rк |
|
|
К |
|
|
2 |
|
|
2 , |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
и.сф |
Uвх.сф |
|
iб Rвх.сф |
|
iб |
Rвх.сф |
|||||
|
|
|
|
|||||||||
где Rвх.сф - входное сопротивление схемы для синфазных сигналов, которое также найдем из эквивалентной схемы (рис. 2.93б)
R |
rб |
h |
(rэ |
R ) . |
вх.сф |
2 |
21э |
2 |
э |
Так как
Rэ
rэ,h21э Rэ
rб , то Rвх.сф h21э Rэ .
Подставим значение Rвх.сф в выражение, получим
221
Ки.сф |
Rк |
|
2Rэ |
||
|
Для оценки степени усиления дифференциального и синфазного сигналов применяют коэффициент подавления синфазного входного напряжения Кп.сф. Отношение коэффициента усиления дифференциального сигнала Кд к коэффициенту усиления синфазного сигнала Кс называется коэффициентом подавления синфазных сигналов Кп.сф (КООС):
Kп.сф |
Кд |
|
Кс |
||
|
Значения коэффициента подавления достигают 10000 – 100000, т.е.
80 100 дБ.
Чем выше входное сопротивление дифференциального каскада, тем меньше входной ток синфазного сигнала, тем меньше изменения выходных напряжений Uвых1 и Uвых2. Для повышения входного сопротивления каскадного входа синфазному сигналу необходимо увеличивать Rэ. Однако Rэ нельзя брать слишком большим, т.к. через этот резистор проходит ток покоя обоих транзисторов и при чрезмерно большом Rэ падение напряжения питания будет чрезмерно велико. Для устранения этого недостатка вместо резистора Rэ включают транзистор по схеме с ОЭ, у которого сопротивление переменному току много больше сопротивления постоянному току (рис. 2.94).
Такая схема называется генератором стабильного тока (ГСТ). Основным функциональным звеном, обеспечивающим в ГСТ определенное и стабильное значение выходного тока I0 и высокоомное сопротивление является выходная цепь транзистора VT3, включенного по схеме ОЭ или ОИ.
222