Материал: Физические основы защиты информации от технических средств разведки. Бабурин А.В., Чайкина Е.А

4.4. Методический подход к оценке эффективности защиты информации от фотографической разведки

Для оценки эффективности ЗИ от ФР рассмотрим зависимость вероятности обнаружения от отношения с/ш (рис. 4.8)

Рис.4.8. Зависимость вероятности обнаружения от отношения сигнал/шум

На основании рассчитанного выше значения qв находим ве-

роятность обнаружения Pобн . Исходя из оптимальности приемника,

вычисляется нормированное значение вероятности Pнорм .

Далее сравнивается Pобн с Pнорм и делается вывод:

1)Если Pобн < Pнорм - объект защищен;

2)Если Pобн > Pнорм - нужны дополнительные средства за-

щиты.

Во втором случае формулируются требования к защите и выбирается совокупность не противоречащих средств, которые реализуют защиту. Для этого воспользуемся критерием Розелла – Виль-

сона /26/.

В отличие от случая сигнальной разведки в ФР окончательное звено – это глаз (зрительный анализатор). Но так как это индивиду-

61

ально для каждого человека, то нельзя решить формально задачу описания. Поэтому ограничиваются набором статистик.

Эксперименты, проведенные с целью изучения эффективного решения задачи обнаружения, свидетельствуют о том, что кривая

зависимости вероятности обнаружения Pобн от воспринимаемого

отношения с/ш (рис. 4.9) однозначно аппроксимируется интегральным законом распределения гауссовой плотности вероятности (нормальный закон) и иллюстрирует критерий Роззела-Вильсона.

Рис. 4.9. Иллюстрация критерия Роззела-Вильсона

В данном случае Q в - это усредненное значение воспринимаемого отношения с/ш (по множеству экспериментов). Данная кривая показывает: величина при заданном воспринимаемом отношении с/ш - есть вероятность того, что сигнал, сложенный с

то, если проинтегрировать это выражение, получим идеальный критерий Роззела-Вильсона, который иллюстрируется на рис.4.10.

P(q в )

Рис. 4.10. Иллюстрация идеального критерия Роззела-Вильсона

Если значение qв больше порогового значения 3,2, то объект

обнаружен.

В реальном случае кривая на рис.4.10 стремится к кривой на рис.4.9.

При проведении экспериментов использовались танграммы – фигуры разной геометрической формы, но имеющие одинаковую площадь. Было показано, что вероятность обнаружения не зависит от контура фигуры.

63

5. ТЕЛЕВИЗИОННАЯ РАЗВЕДКА. МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЗАЩИТЫ ИНФОРМАЦИИ ОТ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ РАЗВЕДКИ

5.1. Основные характеристики каналов утечки информации применительно к телевизионной разведке

Под телевизионной разведкой (ТВР) понимается добывание информации с помощью аппаратуры, осуществляющей прием сигналов в видимом и ближнем инфракрасных (ИК) диапазонах, отраженных объектами и предметами окружающей среды, с последующим преобразованием и обработкой принятых сигналов с целью формирования изображения объектов и местности. Электрические сигналы, соответствующие изображению местности, передаются по радиоканалу в центр сбора и обработки данных, где формируется изображение объектов и местности, над которыми пролетает носитель.

Представим обобщенный канал утечки информации при телевизионной разведке (рис.5.1).

Внешний источник освещения

Рис.5.1. Канал утечки информации при ТВР

Объект характеризуется размером и спектральным коэффициентом яркости.

Телевизионная аппаратура (ТВА) характеризуется ЧКХ объектива, ТВС структурой относительно отверстия, временем экспозиции, фокусом, чувствительностью.

ТВР во многом схожа с ФР, однако существует ряд принципи-

64

альных различий. В ТВС существует электронный блок усиления изображения (в отличие от фоторазведки), за счет этого ТВА может работать при низких условиях освещенности. Рассмотрим основные отличия ТВР от ФР.

1.Принцип регистрации изображения. В ФР - пленка, в ТВР -

матрица на основе приборов зарядовой связи (ПЗС). Структура ПЗС представлена на рис. 5.2.

2.В ТВР имеется блок усиления сигналов.

3.ТВА в ТВР может работать при уровнях освещенности ниже, чем в ФР. Существует аппаратура, которая работает только ночью.

qi~Е

Рис.5.2. Структура ПЗС

На рис. 5.3 представлен пример работы ТВР при малых освещенностях объекта, которая заключается в следующем. Пластины из полупроводника, нанесены на диэлектрик и от каждой идет съемная шина. Уровень заряда q пластины пропорционален освещенности пластины. Размер пластины- 5-7 микрон.

объек-

Рис.5.3. Освещение аппаратуры телевизионной разведки

Фактически матрица проецируется на изображение, то есть на

65