Материал: Моделирование технологических процессов производства изделий микроэлектроники. методические указания к лабораторным работам. Питолин А.В

Необходимые для расчета данные по проективному пробегу Rp и его дисперсии Rp приведены в таблице 4.1. Разброс боковых пробегов ионов RT определяем расчетным путем по уравнению, приведенному в программе. Боковой пробег также является функцией энергии иона.

Получаемые эквиконцентрационные зависимости распределения бора в кремнии после имплантации показан на рис. 10.

Рис. 10. Эквиконцентрационные зависимости распределения бора в кремнии после имплантации

3.Лабораторное задание

1.В результате выполнения лабораторной работы необходимо рассчитать характеристики распределения заданной примеси под краем маски при имплантации в кремний; подобрать параметры имплантации той же примеси в кремний для создания скрытого слоя на требуемой глубине и заданной толщины. Варианты заданий приведены в таблице 7.

34

Таблица 7 Варианты заданий

Порядок выполнения работы

1.Получить задание у преподавателя.

2.Запустить программу MathCAD щелкнув указателем мыши по соответствующей пиктограмме.

3.Открыть файл «Двумерная имплантация». Ввести в соответствующие ячейки следующие данные: энергию иона, дозу имплантации, ширину окна и концентрацию примеси в исходном кремнии.

4.Выбрать из таблицы и рассчитать по

соответствующим уравнениям параметры Rp, Rp, Rx для заданной энергии и примеси и ввести их в соответствующие ячейки.

5.Получить профиль распределения примеси в 3-d координатах, а также эквиконцентрационные зависимости в 2- d координатах с шагом через один порядок.

6.Графическим способом рассчитать максимальную глубину залегания p-n перехода и положение p-n перехода под краем маски. Для этого из меню «Format» вызвать функцию

«Trace».

7.Сделать проверку полученных результатов путем сравнения с расчетными.

8.В соответствии с заданием получить скрытый слой требуемой толщины и максимальной концентрации.

9.Внести график распределения эквиконцентрационных зависимостей и полученные результаты в отчет.

35

4. Указания по оформлению отчета и контрольные вопросы

Отчет должен содержать:

1.Наименование и цель лабораторной работы.

2.Исходные данные для моделирования двумерного распределения примесей под краем маски.

3.Численные результаты моделирования двумерного распределения примеси.

4.Графики полученных распределений эквиконцентрационных зависимостей.

5.Выводы по проделанной работе.

Контрольные вопросы

1.В чем отличие методов расчета двумерного распределения имплантированной примеси, преимущества и недостатки?

2.В чем заключается расчет двумерного распределения имплантированной примеси по методу моментов?

3.Как рассчитать максимальную глубину залегания p-n перехода и смещение p-n перехода под край маски?

4.Как рассчитать максимальную концентрацию примеси в имплантированном слое и глубину ее залегания?

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов [Текст] / П. Антонетти, Д. Антониадис, Р. Даттона, У. Оулдхема. М.: Радио и связь, 1988.

2.Броудай, И. Физические основы микротехнологии [Текст] /И. Броудай, Дж. Меррей. - М.: Мир, 1985.

3.Елинсон, М.И. Технология тонких пленок [Текст]: справочник / М.И. Елинсон, Г. Г. Смолко. М.: Сов. Радио, 1977.

4.Курносов, А.И. Технология производства

полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [Текст] / А.И. Курносов, В.В. Юдин. - М.: Высш. шк., 1979.

5. Бубенников, А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем [Текст]: учеб. пособие / А.Н. Бубенников. – М.: Высш. шк., 1989.

36