Материал: Усиление узкополосных сигналов. Останков А.В

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

ПРИМЕР РАСЧЕТА СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ СИГНАЛА НА ОСНОВЕ ТЕОРЕМ О СПЕКТРАХ

Пусть в соответствии с заданием на курсовую работу огибающая амплитуд радиосигнала А1(t) описывается аналитическим выражением

4AS1 t/TS1,0 t TS1/4,

A

 

,T /4 t 3T

 

/4,

 

 

S1

 

S1

S1

 

/4 t T ,

(П3.1)

A1(t) 4A

 

(T

t)/T

,3T

 

S1

S1

S1

 

S1

S1

 

0,t [0,TS1],

 

 

 

 

где AS1, TS1 – пиковая амплитуда и длительность огибающей, которые соответствии с заданием равны AS1 =1 B, TS1 =1 мс. Огибающая амплитуд радиосигнала А1(t), определяемая выражением (П3.1), изображена на рис. П3.1.

А1(t),В

1.0

0.5

0

¼TS1 ¾TS1 TS1 t,мс

0 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25

Рис. П3.1. Огибающая амплитуд радиосигнала А1(t)

Для определения комплексной спектральной плотности такого трапецеидального сигнала вместо вычисления прямого преобразования Фурье от функции А1(t) целесообразно воспользоваться теоремами о спектрах.

Действительно, сигнал А1(t) может быть рассмотрен как результат интегрирования (с коэффициентом 4/TS1) показанной на рис. П3.2 совокупности s(t) двух прямоугольных импульсов

68

разной полярности. Тогда в соответствии с теоремой об интегрировании сигнала [1] искомая комплексная спектральная плотность GA1( ) определяется как

 

4G

( )

 

4

 

 

GA1( )

S

 

 

 

 

GS(0) ( ),

(П3.2)

j T

 

T

 

 

S1

 

S1

 

 

гдеGS(0)–площадь интегрируемого сигнала s (t). Из рис. П3.2 видно, что площадь сигнала s(t) равна нулю:GS(0)=0.

s(t),В

1.0s11(t)

 

 

¼TS1

¾TS1

TS1 t,мс

0

0.25

0.50 0.75

1.00 1.25

s12(t)

–1.0

Рис. П3.2. Производная огибающей амплитуд

Известно, что комплексная спектральная плотность прямоугольного импульса rect(t/ ) (рис. П3.3) описывается простым выражением, содержащим функцию sinc: sinc( /2) [1].

1

rect(t/ )

 

 

 

0

 

t

–½

½

Рис. П3.3. Импульс типа rect

Тогда спектральная плотность импульса s11(t) положительной полярности (см. рис. П3.2) амплитудой AS1 длительности ¼TS1, запаздывающего на время ⅛TS1 относительно на-

69

чала координат, согласно теоремам запаздывания и подобия [1] может быть определена как

GS11( ) AS1

 

TS1

 

TS1

 

 

TS1

 

 

 

sinc

 

 

exp

j

 

.

4

 

 

 

 

 

8

 

 

8

 

Спектральная плотность импульса отрицательной полярности s12(t) (см. рис. П3.2), смещенного относительно t=0 на величину ⅞TS1, записывается по аналогии как

GS12

( ) AS

TS1

 

TS1

 

 

j 7

TS1

 

 

sinc

 

 

exp

 

.

4

 

8

 

 

 

8

 

 

 

 

Спектральная плотность сигнала s (t) есть сумма спектральных плотностей составляющих его импульсов:

GS( ) AS T4S sinc T8S1 exp j T8S1 exp j 7T8S1 ,

которая после несложных преобразований принимает вид

G

( ) j 3A

TS1

2

 

 

TS1

 

 

TS1

 

 

 

 

 

 

sinc

 

 

 

 

sinc

 

3

 

 

 

 

 

 

 

S

 

S1

 

4

 

 

8

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(П3.3)

 

 

 

TS1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

exp

j

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На основе полученного выражения с учетом формулы (П3.2) искомая комплексная спектральная плотность сигнала А1(t) как функция циклической частоты определяется следующим выражением

GA1

(f )

3AS1 TS1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

TS1

 

 

 

TS1

 

(П3.4)

 

sinc

 

f

sinc

 

3 f

exp( j fT ).

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

4

 

S1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Спектральная плотность амплитуд рассматриваемого сигнала как модуль его комплексной спектральной плотности

70

GA1

(f )

3AS TS

 

 

f

TS

 

3 f

TS

 

 

 

sinc

 

sinc

 

 

(П3.5)

4

4

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изображена графически на рис. П3.4. Наиболее важные значения спектральной плотности амплитуд огибающей амплитуд радиосигнала приведены в табл. П3.1.

GA1(f), В/кГц

0.8

0.6

0.4

0.2

f, кГц

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

Рис. П3.4. Спектральная плотность амплитуд огибающей амплитуд радиосигнала А1(t)

Таблица П3.1–Значенияспектральнойплотности амплитуд огибающей амплитуд радиосигнала А1(t)

f, кГц

0.00

0.50

1.00

1.33

1.84

2.67

3.09

GА1(f), В/кГц

0.750

0.573

0.203

0.00

0.110

0.00

0.023

Спектр фаз огибающей амплитуд радиосигнала А1(t) как аргумент комплексной спектральной плотности описывается

выражением:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A1( f ) fTS1

 

 

 

T

 

 

 

T

 

 

 

 

(П3.6)

 

 

 

 

 

sinc

 

 

 

 

 

 

 

 

1 sign

sinc

f

S1

3 f

S1

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

4

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где sign(n)

1,n 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,n 0.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

71

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

АППРОКСИМАЦИЯ ВАХ НЕЛИНЕЙНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ КУСОЧНО-ЛИНЕЙНОЙ ФУНКЦИЕЙ

При теоретическом анализе нелинейных радиотехнических цепей (усилителей, модуляторов, детекторов и др.), работающих в режиме большого сигнала (с отсечкой тока), возникает необходимость в аппроксимации ВАХ нелинейного сопротивления (диода, транзистора), на основе которого реализована цепь, кусочно-линейной функцией.

Рассмотрим численную реализацию методики аппроксимации ВАХ нелинейного сопротивления кусочно-линейной функцией с одним изломом:

i 0,u UН

S (u UН), u UН,

где UН – напряжение, соответствующее точке излома, S – крутизна характеристики на возрастающем участке. Задача аппроксимации будет решена, если удастся найти пару значений S, UН, обеспечивающую наилучшее совпадение истинной ВАХ элемента и аппроксимирующей функции. Критерием приближения является минимум среднеквадратической ошибки.

Для численного решения задачи требуется располагать значениями ВАХ нелинейного элемента: множеством значений воздействующего напряжения и соответствующих им значений токов. Такой массив данных может быть получен (в статическом режиме) экспериментальным путем или на основе имитационного моделирования в схемотехническом симуляторе, библиотека компонентов которого содержит модель рассматриваемого элемента.

Итак, пусть имеется массив данных о ВАХ нелинейного элемента: um и im, где m = 0…N, N – объем данных (число выбранных точек ВАХ). Тогда алгоритм решения задачи аппрок-

72

симации, описанный в [10], может быть математически формализован следующим образом:

1) полагая, что напряжение излома UН последовательно принадлежит интервалу от uM–1 до uM (M = 1,2...), выполнить в каждом таком случае линейную аппроксимацию характеристикидлявсех контрольных точек, удовлетворяющих неравенству um uM; оптимальные параметры такой линейной аппроксимации могут быть рассчитаны по приведенным ниже формулам:

um im (1/K) um im

S=

m M

m M

m M

 

 

2

2

 

um (1/K) um

 

m M

m M

 

1

 

 

1

 

 

 

, UH

 

 

um

 

im

,

 

 

 

K m M

S m M

 

 

где K – число учитываемых контрольных точек (удовлетворяющих условию um uM);

2) оставить для дальнейшего рассмотрения лишь те варианты, для которых расчетное значение UН оказалось соответствующим сделанному предположению, и рассчитать для каждого из них величину среднеквадратической ошибки приближения по формуле:

 

[im S (um UH)]2

im2 .

 

um uн

um uн

3) из всех рассмотренных в предыдущем пункте вариантов выбрать один – с наименьшим значением итоговой погрешности .

Решим задачу аппроксимации статической проходной ВАХ транзистора 2N3904, включенного по схеме с общим эмиттером. Пусть дополнительно в цепь эмиттера транзистора включеносопротивлениеобратнойсвязи.На рис.П4.1показана схема измеренияпроходнойВАХрассматриваемого транзистора, реализованная в симуляторе Electronics Workbench. Источник V1 обеспечивает подачу на базу входного постоянного напряжения, источник V2 – питание коллекторной цепи. В цепи

73

 

 

–100 V/V

 

 

 

K

5

 

 

0.01Ohm

 

 

2N3904

 

 

V1

100Ohm

V2

 

1.5V

12V

 

 

 

Рис. П.4.1. Схема измерения проходной ВАХ транзистора в симуляторе Electronics Workbench

коллектора имеется малое по величине сопротивление, напряжение с которого снимается и подается на вход усилителя "K". Коэффициент усиления последнего подобран так, чтобы значение напряжения на его выходе с точностью до размерности совпало со значением тока коллектора. В ноде 5, таким образом, величина напряжения численно равна величине постоянного коллекторного тока.

В целях автоматизации процесса снятия проходной ВАХ достаточно активировать команду "Parameter Sweep..." меню "Analysis". При ее выполнении в соответствии с параметрами, указанными на рис.П4.2,а напряжение источника V1 автоматически изменяется от 0.3 до 1.2 В с шагом 0.001 В; при этом каждый раз производится измерение постоянного напряжения в ноде 5. Результат выполнения команды выводится в окне, показанном на рис. П4.2,б. Для сохранения результатов моделирования достаточно нажать кнопку "Save As" панели окна "Analysis Graphs". Симулятор автоматически формирует файл (в ASCII-кодах) с расширением "txt", содержащий текстовый комментарий и числовые данные в двух столбцах. В первом столбце приводятся значения варьируемой величины (входного напряжения), во втором указываются значения напряжения (в данном случае – выходного тока) в заданной ноде. Создан-

74

ParameterSweep

 

 

Sourse1

 

 

Simulate

Component

V1

 

 

Accept

Parameter

Voltage

 

 

 

Analysis

 

 

Cancel

 

 

 

Start value

 

0.3

V

End value

 

1.5

V

Sweep type

 

Linear

 

Increment step size

0.001

V

Output node

 

5

 

Sweep for

 

 

 

DC Operating Point

Set transient options

Transient Analysis

 

AC Frequency Analysis

Set AC options

AnalysisGraphs

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

5m

 

 

 

 

4m

 

 

 

(V)

3m

 

 

 

Voltage

2m

 

 

 

 

 

 

 

 

1m

 

 

 

 

0

 

 

 

 

300.0m

600.0m

900.0m

1.2

 

 

V1 Voltage (V)

 

а б

Рис. П4.2. Иллюстрация к автоматизации процесса снятия проходной ВАХ транзистора в симуляторе Workbench

ный симулятором файл следует открыть, удалить текстовый комментарий (первые пять и последние три строки файла) и сохранить вновь как текстовый файл с расширением "prn".

На основе представленных выше аналитических соотношений разработана программа в системе компьютерной математики MathCAD (рис. П4.3). Для проведения численной аппроксимации достаточно создать файл с указанной программой, сохранить его в ту же папку, что и текстовый файл с результатами моделирования ВАХ и произвести расчет.

Искомые значения напряжения излома ВАХ (UН) и крутизны наклонного луча(S)выводятся программой на экран как "Unn"и "Sn". Из рис.П4.3 видно, что значения UН,S, обеспечивающие наилучшее совпадение ВАХ транзистора, показанной на рис.П4.2,б, и аппроксимирующей функции, составляют 644 мВ и 8.69 мА/В соответственно. Если постоянное напряжение смещения, обеспечивающее положение рабочей точки на проходной ВАХ транзистора, равно UБ0 =0.5В, а на базу транзис-

75

Matrix: READPRN("Res.prn") u: Matrix 0 i: Matrix 1

N: rows(u)

 

 

 

j: 0,2..N 3

 

N 1

 

 

 

 

 

 

1

N 1

 

N 1

 

um im

 

 

um im

 

 

 

 

Sj:

m j

 

 

 

 

N j m j

 

m j

N 1

 

 

 

 

 

 

1

 

N 1

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(u

 

2

 

 

 

 

 

u

 

 

 

m

)

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m j

 

 

 

 

 

 

N j m j

 

 

 

 

 

1

 

N 1

 

 

 

1

 

 

N 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Un

:

 

 

 

 

u

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

N j

 

 

m

 

 

 

 

m

 

 

 

m j

 

 

 

Sj m j

 

 

 

N 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

j: [im Sj (um Unj)]2 (im)2

m j m 0

n:

max( )

 

 

for j 0,2..N 3

 

 

 

n j if j

 

 

 

 

n

 

j if

j

 

 

 

Sn 8.69 10 3

Unn 0.644

Рис. П4.3. Программа поиска оптимальных параметров аппроксимации ВАХ

тора подано гармоническое колебание амплитудой UБ =0.25 В, то угол отсечки тока будет равен 55 . При таких условиях амплитуда первой гармоники IK1 коллекторного тока составит

8.690.25 1(55 ) 340 мкА. Данный результат на18%лучше результата 450 мкА, полученного непосредственно по ВАХ графическим методом трех ординат.

76

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

ЧИСЛЕННЫЙ РАСЧЕТ СПЕКТРА ОТКЛИКА НЕЛИНЕЙНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

Как известно, при воздействии напряжения негармонической формы на нелинейное сопротивление спектр отклика (тока) чрезвычайно богат и содержит помимо гармоник с частотами, кратными частотам воздействия, бесконечное число комбинационных составляющих. Аналитический расчет спектра тока крайне усложняется при обогащении спектрального состава воздействующего напряжения и учетом истинной формы ВАХ сопротивления, которая в пределах рабочего участка не может быть точно описана простыми аппроксимациями (полиномиальной или полигональной). В большинстве практически важных случаев численный расчет является единственно возможным способом изучения спектра тока.

На рис. П5.1 приведена программа для численного расчета спектра тока нелинейного сопротивления, реализованная в системе компьютерной математики MathCAD. Программа позволяет производить расчет при сколь угодно сложном воздействии и ВАХ любой (произвольной) формы. Исходными данными для расчета являются:

1)значения напряжений um и соответствующих им токов im в конечной совокупности точек (m = 0…N) ВАХ нелинейного сопротивления; данные считываются из текстового файла, имеющего структуру, подобную описанной в прил. 4; методика получения массива данных о ВАХ имитационным моделированием в симуляторе Electronics Workbench (на примере транзистора) изложена в прил. 4;

2)аналитическое выражение воздействующего на нели-

нейное сопротивление напряжения u (t), представляющего собой сумму постоянного напряжения смещения и меняющегося

77

Источник: https://studfile.net/preview/16568669/