Материал: 736

50

ройств СВЧ диапазона (волноводные, рупорные, линзовые, зеркальные) излучают из раскрывов (апертур) плоской формы. Для получения высокой направленности размеры раскрыва обычно выбирают значительно больше длины волны (поперечник L >>λ, площадь S >>λ2 ). Их наиболее распространенные формы – прямоугольная и круглая. Круглые раскрывы могут обеспечить более высокую направленность. Распределение источников в раскрыве может быть как непрерывным, так и дискретным.

В декартовой системе координат рассмотрим дискретную систему, образованную N излучателями, расположенными в одной плоскости (см. рис. 2.13). Плоскость раскрыва совпадает с плоскостью xoy , а ось z

Рис. 2.13. К расчету множителя направленности плоского раскрыва

перпендикулярна этой плоскости. Предполагается, что излучатели (элементы) подобны и имеют одинаковые ДН, а амплитудно-фазовое распределение возбуждения на раскрыве известно. Чтобы воспользоваться теоремой о перемножениии диаграмм направленности, нам необходимо найти множитель направленности системы. Для множителя направленности дискретной сис-

ду лучами, выходящими из центра общей сферической системы координат и из центров излучающих элементов.

51

Если элементы в раскрыве расположены непрерывно, то вместо (2.35) следует положить

где I&(x, y) = I (x, y)× eiΦ(x, y ) – амплитудно-фазовое распределение возбуж-

дения, S – площадь раскрыва.

Пусть излучающая система представляет собою отверстие площадью S >>λ2 в бесконечно протяженном плоском экране, совпадающем с плоскостью z = 0 и разделяющем верхнее и нижнее полупространства. Возбуждение отверстия осуществляется из нижнего полупространства плоской электромагнитной волной, распространяющейся в направлении оси z. Пусть ее компоненты будут Ex и Hy = Ex w. Полное электромагнитное поле в

отверстии больших электрических размеров близко к полю не возмущенной плоской волны, а токи на верхней теневой поверхности экрана малы по сравнению с эквивалентными токами в отверстии. Поэтому приближенно отверстие можно заменить излучающим раскрывом S и пренебречь влиянием краевых эффектов и излучением остальных участков плоскости

Элементарная площадка раскрыва представляет собой элемент Гюйгенса, т.е. электрически малую плоскую площадку с постоянным распределением компонент напряженности электрических и магнитных полей, которые между собой связаны через волновое сопротивление среды. В этом смысле элемент Гюйгенса это – малый участок фронта плоской волны. Напряженность электромагнитного поля в дальней зоне, создаваемая элементом Гюйгенса, равна

фазном возбуждении раскрыва максимальное излучение оказывается ориентированным вдоль оси z , где разность хода лучей для всех элементов раскрыва равна нулю.

КНД, КИП и эффективная поверхность синфазного раскрыва

Модуль E в направлении максимума излучения (θ = 0), как следует из (2.37), равен

КНД апертурного излучателя в этом направлении (по отношению к изотропному точечному источнику) можно вычислить как отношение в дальней зоне радиальной составляющей вектора Пойнтинга в направлении максимального

52

излучения Пrmax к среднему значению радиальной составляющей вектора

Пrcp через поверхность сферы радиуса r = const→∞

Пmax

D0 = rcp , r = const→∞. (2.39)

Пr

Очевидно, что

где Sэф – эффективная площадь раскрыва.

Сравнивая эти два выражения, приходим к выводу, что эффективная площадь Sэф плоского синфазного раскрыва с постоянным амплитудным распределением возбуждения в точности равна его геометрической площади

S . Также видно, что увеличивая отношение S λ 2 , можно получить очень высокие значения КНД. Например, квадратный раскрыв со стороной, равной 10λ , имеет D0 ≈ 1250. При неравномерном и несинфазном распределении

Sэф < S и D < D0 .

Коэффициент использования поверхности апертуры (КИП) равен

S

Подчеркнем, что КИП не зависит от формы ДН элемента раскрыва, поэтому вместо компоненты Ex плоской волны может стоять любая функ-

ция распределения возбуждения I(x, y).

Раскрыв прямоугольной формы

Рассмотрим раскрыв прямоугольной формы размером a ×b с разде-

ляющимся АФР, т.е. I&(x, y) = I&(x)× I&(y). Такое распределение обычно и реализуется в антенных системах. Подставив в (2.36), получим

В (2.44) каждый из сомножителей по форме совпадает с множителем направленности ЛНС. В случае синфазного равноамплитудного распределения I(x) = I(y) = const сразу находим

делить видимую область, границы которой соответствуют θ = ±π2, т.е. предельному случаю излучения вдоль плоскости раскрыва. С увеличением размеров раскрыва в видимую область попадает все большее число боковых лепестков. В качестве примера на рис. 2.14 приведен рельеф МН прямоугольного раскрыва. Обычно его рассматривают в двух главных плоскостях xoz и yoz , где он совпадает с МН соответствующих ЛНС. Поэтому все полученные для них результаты можно перенести на апертурные излучатели, естественно с учетом соответствия АФР. Некоторое отличие будет в КНД. Например, для синфазного раскрыва с постоянной амплитудой имеем

54

Рис. 2.14. Рельеф множителя направленности прямоугольного синфазного раскрыва

где согласно формуле (2.8) Dx и Dy – КНД эквивалентных ЛНС с размерами

и b >> λ ; число π можно рассматривать как эквивалентный КНД элемента раскрыва, близкий по значению к КНД элемента Гюйгенса, который равен 3,0.

Положением максимума ДН в пространстве можно управлять, создавая линейно изменяющееся фазовое распределение возбуждения. Зададим в плоском прямоугольном раскрыве АФР в виде суперпозиции двух бегущих волн с одинаковой амплитудой

Фактически эту суперпозицию можно рассматривать как одну бегущую волну, распространяющуюся в плоскости раскрыва в направлении ϕ = arctg(ξy ξx ) и представленной в виде проекции на оси декартовой сис-

темы координат. Подставив (2.47) в (2.36), для множителя направленности после интегрирования получим выражение (2.45), но в котором

В случае синфазного распределения было ξx = ξy = 0 .