31
3. Скласти програму для розрахунку по співвідношенню (4.4) значень вхідного комплексного опору на частотах fн , f0 , fв
с представленням результатів в алгебраічній та показній формах:
Zвх (f )= Re Zвх (f )+ j Im Zвх (f ),
Zвх (f )= |
|
Zвх (f ) |
|
e |
j argtg[Im Zвх(f ) Re Zвх(f )] |
|
|
||||
|
|
|
При складанні програм можна використовувати символ x на
панелі інструментів Calculator для обчислення модуля комплексного числа, а на панелі інструментів Matrix для обчислення визначника матриці. Набір вбудованих операторів і функцій для роботи з тригонометричними функціями і комплексними числами вказується у вікні вставки вбудованих функцій, які викликаються командою Function, що знаходиться в меню Insert, а також за допомогою кнопки f(x).
4.4 ЗМІСТ ЗВІТУ
1.Короткі теоретичні відомості, розрахункові формули, еквівалентні схеми.
2.Графіки АЧХ і ФЧХ коефіцієнта посилення транзистора по напрузі, причому АЧХ у вигляді залежностей K(f ) і Kдб (f ).
3. Значення частот fн , f0 , fв . Значення коефіцієнта підсилення
K0 .
4.Графіки АЧХ при збільшенні крутизни S в 2 рази, зменшенні ємності Cб′к в 2 рази.
5.Значення комплексного вхідного опору Zвх (f ) транзистора на частотах fн , f0 , fв з представленням даних у алгебраічній та показовій формах.
6.Висновки по виконаній роботі.
32
4.5 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1.Намалюйте гібридну П-образну малосигнальну модель транзистора.
2.Яку фізичну суть мають параметри gб,б , gб,э , Cб′э ? Яку фізичну суть мають параметри gб′к , gкэ , Сб,к ?
3.Яку фізичну суть має джерело струму, кероване напругою
Uб, э ?
4.Поясніть, як складена матриця провідності в рівнянні (4.2) ?
5.Поясніть метод Крамера рішення лінійних алгебраічних рівнянь.
6.Поясніть, що таке АЧХ і ФЧХ?
7.Поясніть переклад комплексних чисел з алгебраїчної форми уявлення в показову і навпаки ?
8.Запишіть формулу для представлення коефіцієнта підсилення
вдБ?
9.Складити формулу для коефіцієнта підсилення схеми.
10.Складити формулу для вхідного опору схеми.
5 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 5 АНАЛІЗ ЕЛЕКТРОННОЇ СХЕМИ З ЗАЛЕЖНИМ
ДЖЕРЕЛОМ СТРУМУ
5.1 МЕТА РОБОТИ
Вивчення основних операцій з матрицями на прикладі складання методом вузлових потенціалів системи рівнянь лінійної електронної схеми.
5.2 ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ
Математична модель схеми складається на підставі топологічних і компонентних рівнянь. Компонентні рівняння визначають зв'язки між струмами і напругою елементів схеми. Топологічні рівняння склада-
33
ються по законах Кірхгофа для струмів і напруги і описують з'єднання елементів в схемі.
У системах комп'ютерного аналізу електронних схем найбільше застосування отримав метод вузлових потенціалів. Формування топологічних рівнянь математичної моделі схеми в цьому методі проводиться згідно із законом Кірхгофа для струмів. У матричній формі ці рівняння записуються у вигляді
A I = 0, |
(5.1) |
де A- матриця з'єднань (інціденцій) гілок схеми,
I – вектор, складений із струмів гілок графа схеми.
Матриця з'єднань складається з 0, +1, -1 і має m рядків і n стовпців, причому m – число незаземлених вузлів, а n – число гілок (елементів) графа схеми. Якщо k-та гілка входить в i-й вузол, то на перетині k-го стовпця і i-го рядка занотовуватимемо +1, якщо виходить, то
-1.
При виведенні розрахункової формули методу вузлових поте-
нціалів топологічне рівняння (2.1) на підставі уявлення |
I =[Iв , J ] |
перетворюється до вигляду: |
|
AвIв = −Aj J , |
(5.2) |
де Iв - вектор, складений зі струмів в гілках схеми, що не містять
незалежні джерела струму;
J - вектор, складений зі струмів незалежних джерел струму; Aв , Aj - підматриці матриці А, відповідні векторам Iв і J.
Компонентне рівняння в методі вузлових потенціалів пов'язує вектор струменів гілок Iв з вектором Uв падіння напруги на них:
YBUB = IB , |
(5.3) |
34
де YB - матриця, складена з провідності гілок, які відповідні всім
елементам схеми, окрім незалежних джерел струму.
Зв’язок між напругою гілок і вузловими потенціалами ϕ визначається таким чином:
UB = ATϕ , |
(5.4) |
U j = AjTϕ |
(5.5) |
де UB - вектор напруги на гілках, що не містять незалежні джерела струму;
U j - вектор напруги на гілках, відповідних незалежним джерелам струму;
Т– символ транспонування матриці.
Зрівнянь (2.2) - (2.4) слідує формула методу вузлових потенціалів:
|
AY |
Atϕ = −A |
J |
(5.6) |
|
B |
j |
|
|
або |
|
|
|
|
|
|
Yn ϕ = Jn , |
(5.7) |
|
де |
Yn – матриця вузлових провідностей схеми, |
|
||
|
Jn = −Aj J B - вектор вузлових задаючих струмів. |
|
||
Перед складанням компонентної матриці YB необхідно елеме-
нти схеми представити в базисі вузлових потенціалів. У цьому базисі k-тою гілкой графа схеми може бути:
1. Провідність yk , що описується рівнянням
ik = yk uk ; |
(5.8) |
2. Залежне джерело струму, кероване напругою m-ної гілки,
35 |
|
|
ik = ykmum ; |
|
(5.9) |
3. Незалежне джерело струму величиною |
jk . |
|
При складанні компонентної матриці YB |
провідність |
yk запи- |
сується на перетині k-го рядка і k-го стовпця, а провідність |
ykm – на |
|
перетині k-го рядка і m-го стовпця матриці.
Для перетворення елементів схем в допустимий до методу вузлових потенціалів тип використовується еквівалентна заміна. Незалежні джерела напруги замінюються джерелами струму. Залежні джерела напруги, керовані напругою або струмом, а також залежні джерела струму, керовані струмом, перетворяться в залежні джерела струму, керовані напругою.
Алгоритм складання математичної моделі еквівалентної схеми методом вузлових потенціалів складається з наступних кроків.
1.Представити елементи схеми в базисі вузлових потенціалів.
2.Вказати позитивний напрям струмів і напруги в гілках схеми, пронумерувати вузли схеми, привласнивши 0 загальному вузлу.
3.Скласти матрицю з'єднань А, виділивши в ній підматриці Aв і
Aj .
4.Скласти з провідності гілок компонентну матрицю YB .
5.Знайти матрицю вузлової провідності Yn = AYB AT .
6.Скласти вектор J із заданих джерел струму.
7.Знайти вектор вузлових задаючих струмів Jn = −Aj J .
8.Знайти вектор вузлових потенціалів, вирішивши систему рів-
нянь (2.7).
9.Знайти по співвідношеннях (5.3) – (5.5) вектори напруг і струмів вітвей схеми.
Порядок перерахування елементів у матрицях Aв і YB , а також у матриці Aj та векторі J повинен співпадати.
Досліджувана в лабораторній роботі схема транзисторного підсилювача представлена на рис. 5.1,а. При заміні транзистора малоси-