Основные характеристики фотоэлементов – это световая, т.е. зависимость фототока от освещенности IФ=f(Ф); спектральная – зависимость чувствительности S
от длины волны падающих лучей S =f( ); вольт-амперная – зависимость фототока от величины напряжения на фотоэлементе IФ=f(U). Фотоэлементы с внешним фотоэффектом (рис. 4.3а) представляют собой вакуумную лампу 1, на внутреннюю стенку которой нанесен фоточувствительный слой, служащий катодом 2. Под действием светового потока, падающего на катод, последний испускает электроны, которые под действием электрического поля перемещаются к аноду 3, создавая внутри фотоэлемента ток (фототок).
Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (рис. 4.3б) – фоторезисторы, принцип действия которых состоит в том, что свободные электроны, образующиеся под действием светового потока в слое светочувствительного проводника 2 резко изменяют его сопротивление. Светочувствительный материал наносится на изоляционную подложку 3 и сверху покрыт защитной тонкой прозрачной пленкой 1. Широко применяются сернисто-кадмиевые (ФС-К), сер- нисто-свинцовые (ФС-А), сернисто-висмутовые (ФС-Б) и селини- сто-кадмиевые (ФС-Д) фоторезисторы. Фотоэлементы с вентильным фотоэффектом (рис. 4.3в) на основе p-n перехода, в котором под воздействием светового потока происходит генерация пар электрон-дырка в области p-n перехода. Электрическое поле p-n перехода разделяет электроны и дырки. Генерация пар электрондырка приводит к увеличению обратного тока фотодиода при наличии обратного напряжения и к появлению напряжения между анодом и катодом при разомкнутой цепи. На рис. 4.3г показана схема включения фототранзистора с ОЭ, где Rн – сопротивление в цепи коллектора, U1 – напряжение питания, U2 – напряжение смещения. Выходные характеристики фототранзистора в этой схеме подобны выходным характеристикам обычного биполярного транзистора, но их положение определяется не током базы, а величиной светового потока.
4.3. Радиотехнический датчик
144