Материал: Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Основы технологии электронной компонентной базы». Липатов Г.И

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Для оценки реального разрывного усилия рассчитаны определенные коэффициенты, на которые умножают измеренное значение усилия. Значения данных коэффициентов и их зависимость от угла натяжения приведены в табл. 1.

В том случае, когда одна точка сварки выше другой по уровню, для получения реального разрывного усилия необходимо сдвинуть крючок в сторону сварки, расположенной выше по уровню, и, таким образом, выровнять углы натяжения проволоки.

Лабораторное задание

Таблица 2

Результаты испытаний проволочных микросоединений выбранных случайным образом тестовых образцов

Номер образца

Прочность соединения Р, гс

Характер разрушения

(на кристалле или корпусе)

1. На установке тестирования определить прочность полученных при выполнении предыдущей лабораторной работы микросоединений. При испытаниях фиксировать прочность микросоединений и характер разрушения контактов. Результаты испытаний свести в таблицу в форме, представленной в табл. 2.

2. Построить гистограмму и интегральное распределение прочности.

Содержание отчета

1. Цель работы.

2. Краткие теоретические сведения.

3. Лабораторное задание.

4. Результаты выполнения работы в виде таблицы, гистограммы и графика.

5. Выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. Что влияет на деградацию соединений проволоки с пленкой?

2. Каковы наиболее вероятные места разрушения проволочных микросоединений?

3. Какова причина разрушения контактов из-за явления «пурпурной чумы»?

4. Каков порядок проведения испытаний сварного соединения на обрыв?

Библиографический список

1. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.

2. Черняев В.М. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В.М. Черняев. М.: Радио и связь, 1987. 464 с.

3. Блинов И.Г. Оборудование полупроводникового производства / И.Г Блинов, Л.В. Кожитов. М.: Машиностроение, 1986. 264 с.

4. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10-и кн. — М.: Высш. шк., 1989.

5. Липатов Г.И. Технология материалов и изделий электронной техники: учеб. пособие. В 4-х частях / Г.И. Липатов. Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», 2005—2010.

СОДЕРЖАНИЕ

Лабораторная работа № 4 1

ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК 1

Лабораторные работы № 5, 6 17

ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 17

Лабораторная работа № 7 39

ИЗУЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРИВАРКИ ПРОВОЛОЧНЫХ ВЫВОДОВ 39

Лабораторная работа № 8 48

ОЦЕНКА ПРОЧНОСТИ СОЕДИНЕНИЙ ВНУТРЕННИХ ВЫВОДОВ 48

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 53

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к выполнению лабораторных работ № 4—8 по дисциплине «Основы технологии электронной компонентной базы» для студентов направления подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (профиль «Электронное машиностроение»)

очной формы обучения

Составитель Липатов Геннадий Иванович

В авторской редакции

Компьютерный набор Г.И. Липатова

Подписано в печать 24.02.2016.

Уч.-изд. л. 3,0.

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный

технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

Источник: https://studfile.net/preview/16569169/