Материал: Презентации лекций какого-то года

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Понятие об электромагнитном экранировании

Быстрое затухание электромагнитной волны в проводящей среде происходит за счет размагничивающего действия вихревых токов – тех токов проводимости, которые возникают в поверхностном слое проводника. Если некоторая область пространства окружена проводящей поверхностью, толщина которой ( ) обеспечивает затухание электромагнитных волн заданных частот

( ≥ ), то внутри этой области переменное электромагнитное поле заданных частот отсутствует. Говорят, что данная область экранирована от переменного электромагнитного поля с помощью проводящего экрана.

Сопротивление провода при резком появлении поверхностного эффекта.

Постоянный ток (ω = 0) при протекании по проводнику распределяется по его сечению равномерно, т.е. плотность тока во всех точках сечения одинакова .

Поверхностный эффект возникает на переменном тока и считается «резким» если поперечные размеры проводника намного больше длины электромагнитной волны в этом проводнике.

Рассмотрим случай кругового цилиндрического проводника с током . Если обратный провод удален на значительное расстояние, то поле прямого провода обладает цилиндрической симметрией.

R

R

R

r

r

Электромагнитную волну в проводнике считаем плоской если R>> .

В этом случае комплексы напряженности электрического и магнитного поля на поверхности проводника связаны соотношением:

 

 

 

 

 

 

 

(1 j)

 

E m 0

 

H m 0

 

 

 

2

Проникая внутрь проводника, электромагнитная волна затухает, следовательно, плотность тока на поверхности максимальна и уменьшается к центру проводника

Напряжение на участке проводника длиною l определяется из соотношения:

 

 

U m

Edl

l

Так как поле плоскопараллельное, то во всех точках вдоль оси проводника напряженность электрического поля на поверхности одинакова, тогда:

 

 

 

U m

Em l l(1 j)

 

H m 0

 

 

 

2

На основании закона полного тока:

iHdl 2 r H me

ив силу осевой симметрии поля можем записать для комплексов:

 

 

I m

2 r H me

Отношение напряжения к току позволит определить комплексное сопротивление проводника. Оно состоит из вещественной части - активного сопротивления R и мнимой части - реактивного сопротивления, которое определяется лишь магнитным потоком в теле проводника – т.е. внутренним магнитным потоком или внутренней индуктивностью. Это сопротивление называется внутренним реактивным сопротивлением – Xвнутр.. Комплексное внутреннее сопротивление определяется соотношением:

 

 

 

 

l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z внутр .

 

U m

 

(1 j)

 

R jX

внутрю

I m

 

 

 

 

 

2 r

2

 

Представим активное сопротивление R в форме:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

l

 

 

 

 

 

l

 

l

 

,

2 r

 

2 r

s /

 

 

 

 

2

 

 

s/ – эквивалентное сечение проводника, определяющее его активное сопротивление на переменном токе при резком поверхностном эффекте. Площадь сечения равна площади кольца длиной 2 r и шириной, равной , которая называется эквивалентной глубиной проникновения и определяется из соотношения:

=

2

 

1

 

k

 

 

На эту глубину реально проникает в проводник электромагнитное поле, и в основном по этому сечению идет переменный ток. Учитывая, что длина волны в проводящей среде определяется выражением:

 

 

 

2

 

 

 

2

 

2

 

,

можем записать:

=

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– эквивалентная глубина проникновения примерно в 6 раз меньше длины волны

впроводнике.

Источник: https://studfile.net/preview/16462682/