Понятие об электромагнитном экранировании
Быстрое затухание электромагнитной волны в проводящей среде происходит за счет размагничивающего действия вихревых токов – тех токов проводимости, которые возникают в поверхностном слое проводника. Если некоторая область пространства окружена проводящей поверхностью, толщина которой ( ) обеспечивает затухание электромагнитных волн заданных частот
( ≥ ), то внутри этой области переменное электромагнитное поле заданных частот отсутствует. Говорят, что данная область экранирована от переменного электромагнитного поля с помощью проводящего экрана.
Сопротивление провода при резком появлении поверхностного эффекта.
Постоянный ток (ω = 0) при протекании по проводнику распределяется по его сечению равномерно, т.е. плотность тока во всех точках сечения одинакова .
Поверхностный эффект возникает на переменном тока и считается «резким» если поперечные размеры проводника намного больше длины электромагнитной волны в этом проводнике.
Рассмотрим случай кругового цилиндрического проводника с током . Если обратный провод удален на значительное расстояние, то поле прямого провода обладает цилиндрической симметрией.
R
R
R
r |
r |
Электромагнитную волну в проводнике считаем плоской если R>> .
В этом случае комплексы напряженности электрического и магнитного поля на поверхности проводника связаны соотношением:
|
|
|
|
|
|
|
(1 j) |
|
|||
E m 0 |
|
H m 0 |
|||
|
|
|
2 |
||
Проникая внутрь проводника, электромагнитная волна затухает, следовательно, плотность тока на поверхности максимальна и уменьшается к центру проводника
Напряжение на участке проводника длиною l определяется из соотношения:
|
|
U m |
Edl |
l
Так как поле плоскопараллельное, то во всех точках вдоль оси проводника напряженность электрического поля на поверхности одинакова, тогда:
|
|
|
|
U m |
Em l l(1 j) |
|
H m 0 |
|
|||
|
|
2 |
|
На основании закона полного тока:
iHdl 2 r H me
ив силу осевой симметрии поля можем записать для комплексов:
|
|
I m |
2 r H me |
Отношение напряжения к току позволит определить комплексное сопротивление проводника. Оно состоит из вещественной части - активного сопротивления R и мнимой части - реактивного сопротивления, которое определяется лишь магнитным потоком в теле проводника – т.е. внутренним магнитным потоком или внутренней индуктивностью. Это сопротивление называется внутренним реактивным сопротивлением – Xвнутр.. Комплексное внутреннее сопротивление определяется соотношением:
|
|
|
|
l |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Z внутр . |
|
U m |
|
(1 j) |
|
R jX |
внутрю |
|||
I m |
|
|
||||||||
|
|
|
2 r |
2 |
|
|||||
Представим активное сопротивление R в форме:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R |
l |
|
|
|
|
|
l |
|
l |
|
, |
2 r |
|
2 r |
s / |
|
|||||||
|
|
|
2 |
|
|
||||||
s/ – эквивалентное сечение проводника, определяющее его активное сопротивление на переменном токе при резком поверхностном эффекте. Площадь сечения равна площади кольца длиной 2 r и шириной, равной , которая называется эквивалентной глубиной проникновения и определяется из соотношения:
= |
2 |
|
1 |
|
|
k |
|||
|
|
На эту глубину реально проникает в проводник электромагнитное поле, и в основном по этому сечению идет переменный ток. Учитывая, что длина волны в проводящей среде определяется выражением:
|
|
|
2 |
|
|
|
2 |
|
2 |
|
, |
можем записать: |
= |
|
|
|
|
|
|
k |
|
||||||||
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|||||||
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– эквивалентная глубина проникновения примерно в 6 раз меньше длины волны
впроводнике.