121
R 100 |
|
|
|
|
|
|
ρ , A-3 |
|
|
|
|
|
(а) |
e |
0,8 |
||
10-1 |
|
|
|
|
|
0,7 |
||
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10-2 |
|
|
|
|
|
|
|
0,5 |
10-3 |
|
|
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
|
|
|
|
|
0,3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10-4 |
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
10-5 |
|
|
|
|
|
|
|
0,1 |
0,06 |
0,08 |
0,10 |
0,12 |
0,14 |
|
0,0 |
||
0,04 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
q, A-1 |
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
(б) |
ρe, A-3 |
|
R 10 |
|
|
|
|
|
|
0,8 |
|
10-1 |
|
|
|
|
|
|
|
0,7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
10-2 |
|
|
|
|
|
|
|
0,5 |
10-3 |
|
|
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
0,3 |
10-4 |
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
10-5 |
0,06 |
0,08 |
0,10 |
0,12 |
0,14 |
|
0,1 |
|
0,04 |
|
0,0 |
||||||
|
|
|
|
|
|
q, A -1 |
|
-80 |
воздух |
|
пленка |
|
подложка-Si |
|
|
|
|
|
-40 |
0 |
40 |
80 |
120 |
z, A
воздух |
пленка |
подложка-Si |
|
|
|
||
0 |
80 |
160 |
240 |
z, A
0 |
|
|
|
|
|
ρ , A-3 |
|
R 10 |
|
|
|
|
(в) |
e |
0,8 |
|
|
|
|
|
|||
10-1 |
|
|
|
|
|
0,7 |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
10-2 |
|
|
|
|
|
|
0,5 |
10-3 |
|
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
|
|
|
|
0,3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10-4 |
|
|
|
|
|
|
0,2 |
10-5 |
|
|
|
|
|
|
0,1 |
0,06 |
0,08 |
0,10 |
0,12 |
0,14 |
|
0,0 |
|
0,04 |
|
||||||
|
|
|
|
|
q, A-1 |
|
|
воздух |
пленка |
|
-40 0 40 80
Si-подложка
120 160 z, A
0 |
|
|
|
|
|
|
ρ , A-3 |
|
|
|
|
|
|
R 10 |
|
|
|
|
|
(г) |
e |
1,0 |
|
|
|
|
|
10-1 |
|
|
|
|
|
|
0,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
10-2 |
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
воздух |
верхнийслой |
|
нижнийслой |
Si-подложка |
10-3 |
|
|
|
|
|
|
|
0,4 |
|
||||
10-4 |
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
пленка |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
10-5 |
|
|
|
|
|
|
|
0,0 |
|
|
|
|
|
0,04 |
0,06 |
0,08 |
0,10 |
0,12 |
0,14 |
|
|
0 |
100 |
200 |
300 |
||
|
|
|
|
|
|
q, A -1 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
z, A |
Рисунок 7.9. Зависимости коэффициентов отражения рентгеновского излучения R от переданного волнового вектора q и распределение электронной плотности ρe по толщине пленки z (отсчет ведется от поверхности пленки) для образцов пленок 20Pt_80Si_1 (а),
20Pt_80Si_3 (б), 60Pt_40Si_1 (в) и 60Pt_40Si_3(г).
122
Методика обработки рефлектометрических данных заключалась в вычислении зависимости R (q), т.е. решение рефлектометрической задачи сводилось к восстановлению профиля электронной плотности ρe по толщине пленки z. На рисунке 7.9 справа приведены восстановленные глубинные профили электронной плотности для пленок различного состава.
Подгонка расчетных зависимостей R(q) для большинства платиносодержащих кремнеземных пленок дает достаточно хорошее согласование с экспериментальными данными даже с применением простой однослойной модели (рисунок 7.9. а-в). Для серии пленок, полученных из золей с существенно более высоким содержанием платины (60 масс.% в пересчете на PtO2) и более высокой концентрацией ТЭОС (3 об.%), то есть для высоколегированных пленок бóльшей толщины, необходимо использовать модель, состоящую не менее чем из двух слоев, с различными значениями электронной плотности (рисунок 7.9. г). Параметры моделей исследованных образцов приведены в таблицах 7.1 и 7.2. Характер кривых и изменение значений электронной плотности в области толщины пленки позволяют оценить, изменения концентрации платины по всей толщине пленки от поверхности (контакт с воздухом) и до кремниевой подложки.
Таблица 7.1. Параметры однослойной модели для платиносодержащих силикатных пленок различного состава и толщины
Условное обозначение |
Толщина слоя d, Å |
Электронная |
Среднеквадратичное |
образца |
|
плотность слоя ρe, |
отклонение, |
|
|
Å-3 |
характеризующее |
|
|
|
шероховатость |
|
|
|
поверхности слоя σ, |
|
|
|
Å |
|
|
|
|
20Pt/80Si/3 |
256±10 |
0.618±0.046 |
16±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/3-450 |
198±16 |
0.643±0.046 |
15±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/3-550 |
205±7 |
0.629±0.043 |
14±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/3-old |
417±8 |
0.575±0.054 |
16±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/5 |
422±10 |
0.614±0.050 |
16±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/10 |
830±28 |
0.646±0.464 |
10±2 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/1 |
80±17 |
0.618±0.464 |
12±3 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/1-450 |
62±36 |
0.679±0.054 |
8±3 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/1-550 |
57±12 |
0.625±0.039 |
16±3 |
|
|
|
|
20Pt/80Si/1-old |
132±16 |
0.654±0.050 |
10±3 |
|
|
|
|
123
60Pt/40Si/1 |
141±25 |
0.686±0.039 |
19±2 |
|
|
|
|
60Pt/40Si/1-450 |
<45 |
- |
~12 |
|
|
|
|
60Pt/40Si/1-550 |
62±11 |
0.582±0.043 |
6±3 |
|
|
|
|
60Pt/40Si/1-old |
163±30 |
0.675±0.043 |
21±2 |
|
|
|
|
Таблица 7.2. Параметры двухслойной модели для платиносодержащих силикатных пленок состава 60Pt_40Si_3
Условное |
Толщи |
Электронная |
Среднеквад |
Толщи |
Электронная |
Среднеквадр |
обозначение |
на |
плотность |
ратичное |
на |
плотность |
атичное |
образца |
верхне |
верхнего |
отклонение |
нижнег |
нижнего |
отклонение |
|
го слоя |
слоя ρe 1, Å-3 |
(шероховат |
о слоя |
слоя ρe 2, Å-3 |
(шероховато |
|
d1, Å |
|
ость |
d2, Å |
|
сть границы |
|
|
|
поверхност |
|
|
раздела |
|
|
|
и верхнего |
|
|
верхнего и |
|
|
|
слоя) σ1, Å |
|
|
нижнего |
|
|
|
|
|
|
слоя σ1, Å |
|
|
|
|
|
|
|
60Pt/40Si/3 |
103±6 |
0.975±0.096 |
23±2 |
215±5 |
0.600±0.125 |
70±2 |
|
|
|
|
|
|
|
60Pt/40Si/3-450 |
47±14 |
1.643±0.211 |
16±3 |
201±54 |
0.732±0.496 |
27±14 |
|
|
|
|
|
|
|
60Pt/40Si/3-550 |
66±10 |
1.640±0.211 |
15±2 |
224±17 |
0.829±0.236 |
21±9 |
|
|
|
|
|
|
|
60Pt/40Si/3-old |
~150 |
|
~15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Из данных на рисунке 7.9 а - в и таблицы 7.1 следует, что толщина образующейся пленки пропорциональна содержанию ТЭОС в исходном растворе. Достаточно высокие значения электронной плотности верхнего слоя в более толстой пленке (~30 нм) с высоким содержанием платины (60 масс. % в пересчете на PtO2) позволяют сделать предположение о повышенной концентрации атомов Pt в приповерхностном слое пленки этого состава (рисунок 7.9 г и таблица 7.2). Дополнительная термообработка при температуре 450 и 550°C приводит к заметному уменьшению толщины синтезируемых пленок (таблица 7.1 и 7.2), что связано с их уплотнением. Особенно это явление выражено для слоя, обогащенного платиной (верхний слой, пленка 60Pt_40Si_3) – толщина слоя уменьшается с 10 нм до 5-7 нм. Резкое увеличение электронной плотности после термообработки при 450 и 550°C, особенно для верхнего слоя, обогащенного платиной, по-видимому, связано с уменьшением толщины этой пленки, уплотнением в результате уменьшения пористости.
124
Для серии образцов с расчетным соотношением PtO2:SiO2 в пленке 20:80 масс% можно оценить пористость получаемых пленок. Используя среднее измеренное значение электронной плотности для серии образцов ρe = 0.629 Å-3, вычислим среднюю измеренную плотность пленки ρср = 2.15 г/см3. С другой стороны расчетная плотность пленки расчетного состава 20PtO2:80SiO2 масс.%, исходя из принципа аддитивности и значений удельной плотности для оксидов платины и плавленого кварца (ρPtO2 куб = 10,2 г/см3 и ρSiO2 = 2,6 г/см3 [198, 199]), равна ρрасч = 2.70 г/см3. Отсюда, можно оценить пористость P по формуле [200]:
|
ρ |
|
|
|
2.15 |
г см |
3 |
|
|
|
P = 1− |
|
100% |
= 1− |
|
|
100% ≈ 20% . |
(7.1) |
|||
|
|
|
3 |
|||||||
|
|
|
|
|
2.70 |
г см |
|
|
|
|
|
ρрасч |
|
|
|
|
|
|
|||
Значение пористости 20 % хорошо коррелирует со значением пористости ранее исследованных [45, 196] кремнеземных платиносодержащих пленок с таким же соотношением платины и кремния, но бóльшей толщины, полученных из золей с концентрацией ТЭОС 7 об.%, и термообработанных при 550°С.
Для проверки полученных моделей распределения концентрации платины по толщине пленок был привлечен метод спектрометрии обратного резерфордовского рассеяния. Были получены глубинные профили концентраций атомов Pt и Si, которые представлены на рисунке 7.10. Видно, что концентрация Pt в высоколегированной пленке 60Pt_40Si_3 изменяется резким скачком по ее толщине, следовательно, в этом случае вполне правомерно описывать распределение концентрации платины по толщине пленки двухслойной моделью. В низколегированной пленке 20Pt_80Si_3 концентрация платины существенно ниже и изменяется плавно. Видимо, поэтому концентрационных границ раздела слоев по содержанию платины в этой серии образцов обнаружить не удалось, и для рефлектометрических расчетов наиболее применительна оказалась однослойная модель.
at% |
100 |
|
|
|
|
|
5 |
at% |
Si,at% |
100 |
|
|
|
1.0at% |
|
|
|
|
|
|
|
4 |
90 |
|
|
|
|
Pt, |
|||
КонцентрацияSi, |
90 |
|
|
|
|
|
|
КонцентрацияPt, |
Концентрация |
|
|
|
0.8 |
||
80 |
|
|
|
|
|
|
80 |
|
|
|
|
Концентрация |
|||
|
70 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
70 |
|
|
|
|
|
|
60 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
60 |
|
|
|
0.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0.2 |
||||
|
50 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
50 |
|
|
|
||
|
40 |
|
|
|
|
|
0 |
|
|
40 |
|
|
|
0.0 |
|
|
30 |
0 |
200 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
|
|
0 |
500 |
1000 |
1500 |
2000 |
|
|
|
|
|
h, 1015 at cm-2 |
|
|
|
|
|
|
h, 1015 at cm-2 |
|
|
||
Рисунок 7.10. Глубинные профили концентраций атомов Si и Pt для кремнеземных пленок с различным содержанием платины: 60Pt_40Si_3 (а) и 20Pt_80Si_3 (б).
125
Для Pt/Pd-содержащих кремнеземных пленок было определено изменение их толщины в зависимости от времени созревания золя. На рисунке 7.11. приведены примеры экспериментальных рентгеновских зависимостей R от q и расчётных рефлектометрических кривых R(q) для Pt- и Pd-содержащих кремнеземных пленок, полученных из золей выдержанных в течении 2 недель и 1 года, и термообработанных при 130 и 250°С.
R 105 |
|
|
20Pt/1Pd/79Si |
|
||
|
|
|
|
|||
103 |
|
|
52 weeks, T =250 Ñ |
|||
101 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
10-1 |
|
|
52 weeks, T =130 Ñ |
|||
10-3 |
|
|
2 weeks, T =250 Ñ |
|||
10-5 |
0,04 |
0,06 |
0,08 |
0,10 |
0,12 |
0,14 |
0,02 |
||||||
|
|
|
|
|
|
q, A-1 |
R 105 |
|
|
1Pt/20Pd/79Si |
|
||
|
|
|
|
|||
103 |
|
|
52 weeks, T =250 С |
|||
101 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
10-1 |
|
|
52 weeks, T =130 С |
|||
10-3 |
|
|
2 weeks, T =250 С |
|||
10-5 |
0.04 |
0.06 |
0.08 |
0.10 |
0.12 |
0.14 |
0.02 |
||||||
|
|
|
|
|
|
q, A-1 |
R 105 |
|
|
1Pd/99Si |
|
|
ρe, A-3 |
|
|
20Pt/10Pd/70Si/3 |
|
||
103 |
|
|
|
|
|
|
0,8 |
|
|
|
||
|
|
52 weeks, T =250 С |
0,7 |
|
|
2 недели, T = 250°C |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
101 |
|
|
0,6 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
воздух |
|
|
|
подложка-Si |
||
10-1 |
|
|
52 weeks, T =130 С |
0,5 |
|
|
пленка |
|||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
0,4 |
|
|
|
|
||||||
10-3 |
|
|
2 weeks, T =250 С |
0,3 |
|
|
|
|
|
|||
|
|
0,2 |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-5 |
0.04 |
0.06 |
0.08 |
0.10 |
0.12 |
0.14 |
0,1 |
|
|
|
|
|
100.02 |
0,0 |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
q, A-1 |
-50 |
0 |
50 |
100 150 |
200 |
|
|
|
|
|
|
|
-100 |
||||||
z, A
Рисунок 7.11. Рефлектометрические кривые, полученные для силикатных пленок, допированных наночастицами Pt и Pd, из золей различного состава и зрелости (кривые разнесены путем умножения на постоянный коэффициент) и распределение электронной плотности ρe по толщине пленки z (отсчет ведется от поверхности пленки) для образца пленки 20Pt_10Pd_3 (а).
В процессе фитирования была использована однослойная модель пленки, которая характеризовалась тремя изменяемыми параметрами: усредненной толщиной пленки d, ее электронной плотностью ρe, и среднеквадратичным разбросом точек по поверхности σ относительно средней линии раздела фаз пленка/воздух (шероховатость поверхности). Параметры пленок, представлены в таблице 7.3.