Материал: ЛР2 отчёт

ln( эксп)

−1

, а по

проводимости полупроводников, откладывая по оси абсцисс параметр

оси ординат – экспериментальные значения

:

а) Si:

= =

−

2∆Э

1.12 1.6 10−19

≈ 6.765 1015

м−3

б) Ge: = 1025√2.74 1.05 −2 1.38 10−23300

в) SiC:

≈ 2.281 1019

м−3

≈ 7,67 м

−3

6

№4. Оценка значений

≈ 7.07 10

24

м

−3

г) InSb:

а) Si:

собственной удельной проводимости в этих

= ( + )

полупроводниках при 300 К:

б) Ge: = 1.6 10

−19

6.765 10 (0.13 + 0.05) ≈ 0.000195 м

15

См

См

≈ 2,117

в) SiС:

м

См

≈ 5,64 10

−20

г) InSb:

См

м

≈ 18773

данными эксп:

м

с экспериментальными

№5.

Сравнение полученных результатов расчётов

Si:

аб)) Ge: эксп −примесная проводимость;

в) SiC: эксп −примесная проводимость;

г) InSb: эксп −примесная проводимость;

все ли примеси ионизированы в исследованном температурном

Оценим, эксп≈−собственная проводимость;

интервале или нет. Рассчитаем энергию тепловой генерации:

−23

;

−23

Дж = 0,036 Эв

а) Si: = 1.38 10 418 = 576.84 10

;

а) Si: 0,01…0,02 эВ<0,036 эВ

– не все примеси ионизированы;

в)

SiC:

0,01 эВ<0,036 эВ

0,04…0,4 эВ>0,036 эВ

№6. Если в полупроводнике не все примеси ионизированы, то:

2

1

( 2)

SiC:

∆Эпр = 2 2

−

1 ln ( 1)

при

2=418 К и 1=298 Кполучим:

7

n(T) =

γn(T) p

20

−3

( 1) =

1.156

q(μ

+ μ )

1.6 10−19

(0.04 + 0.006)

≈ 1.571 10

21

м

−3

( 2) =

11

≈ 1.495 10

м

Пр

1.6 10−19

(0.04 + 0.006)

∆Э

= 2 1,38 10

−23

418 298

(1.495 102120)

)

≈ 0.403 Эв

418 −298 ln(

1.571 10

2

1

эксп≈ :

2

а) InSb:

( 2)

3

∆Э = 2 2

− 1 ln ( 1) −2 ln 1

№7.

Для полупроводников, у которых

№8. Определим

∆Э ≈ 0.122 Эв

Выводы:

В ходе лабораторной работы были рассчитаны удельное сопротивление и

Было проведено сравнение

с

ln( эксп)= ( −1)

удельная проводимость для Si, Ge, SiC, InSb. Для проводимости этих материалов

была построена температурная зависимость

.

рассчитанной собственной

проводимостью

, по которому

были сделаны выводы о проводимости каждого

эксп

полупроводника,

которые были изучены в ходе работы. Как оказалось, InSb