Материал: Конспект лекций по общей физики (1-4 семестр)

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

172

Лекция 22

3.3.3. Электрическое поле в диэлектриках (продолжение)

5. Условия на границе раздела двух диэлектриков

Проанализируем, как изменяется электрическое поле при переходе из одной среды (диэлектрика) в другую.

Пусть имеются два изотропных диэлектрика (относительные диэлектрические проницаемости ε1 и ε2), граничащие друг с другом (РИС. 22.1). В среде с ε1 суще-

ствует электрическое поле с напряжённостью E1 и электрическим смещением

D1

. Свободные заряды на границе раздела сред отсутствуют. Найдём векторные

характеристики поля в среде с ε2 – E2

и

D2

тельную τ к поверхности раздела сред).

(в проекциях на нормаль n и каса-

ε1

ε1

1

2

ε2

ε2

4

3

S

L

а

б

Рис. 22.1

1) Dn

Воспользуемся теоремой Остроградского-Гаусса для

DdS q

S

.

S

D

Выберем поверхность интегрирования S в виде цилиндра, основания которого параллельны границе раздела сред, а высота мала (РИС. 22.1А). Поток D

DdS D

S

торц

DdS D

S

торц

1n

2n

S

S

бок

охваченный поверхностью S заряд q 0S 0 , так

нице раздела отсутствуют. Поэтому

D

D

2n

1n

D2n D1n Sторц ;

как свободные заряды на гра-

(22.1)

– нормальная составляющая вектора электрического смещения не претерпевает скачка на границе раздела диэлектриков.

2) En

Связь D

поэтому

и

E

в изотропном диэлектрике

D ε0εE ,

D1n

С учётом условия (22.1)

173

ε0ε1E1n

, D2n ε0ε2E2n .

ε ε E

ε ε E

2n

0 1 1n

0 2

E

ε

2n

2

E

ε

1n

1

(22.2)

– нормальная составляющая напряжённости электрического поля претерпевает скачок на границе раздела диэлектриков.

3) Eτ

Воспользуемся I уравнением Максвелла – условием потенциальности электростатического поля

Edl 0.

L

Выберем контур интегрирования L в виде прямоугольника, одна пара сторон которого параллельная границе раздела сред (стороны 1-2 и 3-4 на РИС. 22.1Б), а дру-

гая мала (стороны

L

2-3 и 4-1).

Edl E

l

1τ 12

Циркуляция

3

Edl E

l

34

2

0

E

E

по контуру L

1

Edl E

l

E

12

4

0

E

0

,

(22.3)

– тангенциальная составляющая напряжённости электрического поля не претерпевает скачка на границе раздела диэлектриков.

4) Dτ

Из связи между

D

и

E

и условия (22.3) получим

D1τ ε0ε1E1τ , D2τ ε0ε2E2τ

D2τ ε1

D1τ ε2

D

D

,

ε

ε

1

2

(22.4)

– тангенциальная составляющая электрического смещения претерпевает скачок на границе раздела диэлектриков.

3.3.4. Проводники в электростатическом поле

Свойства электростатического поля в проводниках54

1.Внутри проводника напряжённость электрического поля равна нулю:

Eвнутри 0.

В противном случае по проводнику будет идти ток, так как в проводнике имеются свободные заряды, свободно перемещающиеся под действием электрического поля.

Демонстрация: Клетка Фарадея

54 Следует отметить, что эти утверждения относятся только к электростатическому полю в проводниках, т. е. к случаю, когда электрический ток отсутствует.

174

2.Напряжённость электрического поля перпендикулярна поверхности проводника:

0

,

E En

.

Если Eτ ≠ 0, то по поверхности проводника будет идти ток.

3.Нескомпенсированный заряд располагается на поверхности проводника:

ρ0 .

Доказательство

Проведём внутри проводника произвольную замкнутую поверхность S (РИС. 22.2). Теорема Остроградского-Гаусса для D

DdS q

S

.

S

Но

D 0

, так как

E 0

,

поэтому DdS 0

и

q

S

0

, т. е.

S

нескомпенсированного заряда внутри проводника нет.

S

Рис. 22.2

Демонстрация: Стекание заряда с острия 4. Поверхность проводника эквипотенциальна (а также весь объём проводника):

φ const

.

Доказательство

Найдём разность потенциалов между точками 1 и 2 на одном проводнике, соединив эти точки кривой, целиком лежащей внутри проводника (РИС. 22.3), и воспользовавшись интегральной связью напряжённости и потенциала электростатического поля:

2

φ12

Edl 0

φ1 φ2

, ч. т. д.

1

2

1

Рис. 22.3

Демонстрация: Распределение заряда на поверхности проводника

5.Нормальная проекция электрического смещения у поверхности проводника равна поверхностной плотности свободных зарядов:

Dn

Доказательство

σ

.

Применим теорему Остроградского-Гаусса для D , выбрав поверхность интегрирования S в виде цилиндра, одно из оснований которого лежит внутри проводника, а другое плотно прилегает к поверхности проводника с внешней стороны (РИС. 22.4):

DdS q

S

;

S

DdS DnSторц ,

S

S

Рис. 22.4

так как внутри проводника D 0 ме внешнего торца, равны нулю;

и потоки D через все стороны цилиндра S, кро-

q S σSторц ,

ПРИМЕРЫ В РАЗ-

175

так как заряд распределён только по поверхности проводника;

D S

торц

σS

торц

n

Dn

σ

, ч. т. д.

3.4. Электрическая ёмкость

3.4.1. Ёмкость уединённого проводника

Уединённый проводник – проводник, удалённый от других тел, так что влиянием их электрических полей можно пренебречь.

Рассмотрим, как изменяются напряжённость электрического поля и потенциал уединённого проводника при изменении его заряда. При увеличении заряда в n раз напряжённость поля и потенциал увеличатся также в n раз (см.

ДЕЛЕ 3.2.4).

Электрическая ёмкость уединённого проводника – характеристика проводни-

ка, равная отношению заряда проводника к его потенциалу:

C

Q

φ

, C Ф .

Ёмкость не зависит от заряда, потенциала и прочих характеристик электрического поля, она зависит от формы и размеров проводника и диэлектрических свойств среды, его окружающей.

ПРИМЕР

Ёмкость шара

Уединённый проводник – металлический шар радиуса R находится в вакууме (РИС. 22.5). Найти ёмкость проводника.

Q

O R

r

A

Рис. 22.5

SМысленно зарядим проводник зарядом Q и рассчитаем потенциал проводника (потенциал отсчитывается от бесконечно удалённой точки).

Сначала найдём напряжённость электрического поля из теоремы Остроградского-Гаусса для E :

q

.

EdS

S

S

ε

0

Поверхность интегрирования S – сфера радиуса r, где r

– расстояние от центра шара до точки, где измеряется поле, концентричная заряженному шару. Поток E

EdS Er 4πr

2

S

(см. ПРИМЕР 1) В РАЗДЕЛЕ 3.2.3), охваченный заряд равен заряду шара Q;

E

4πr

2

Q

r

ε

0

Er

Q

.

4πε r2

0

Потенциал шара найдём из интегральной связи напряжённости и потенциала электростатического поля:

R

R

R

φ Erdr

Q

dr2

Q 1

Q

.

4πε

4πε r

4πε R

r

0

0

0

176

По определению ёмкости

C

Q

φ

4πε

R

0

.

3.4.2. Взаимная ёмкость двух проводников

Рассмотрим систему, состоящую из двух проводников, заря-

–q

ды которых равны по модулю и противоположны по знаку q

(РИС. 22.6). Разность потенциалов между проводниками про-

порциональна модулю их заряда: φ+ – φ– ~ q. Отношение

φ+

φ–

C

q

Рис. 22.6

φ

φ

взаимная ёмкость проводников. Эта величина зависит от размеров, формы, взаимного расположения проводников и диэлектрических свойств среды и не зависит от заряда, потенциала и прочих характеристик электрического поля.

3.4.3. Конденсаторы

Конденсатор – система двух проводников, расположенных настолько близко друг к другу, что, если этим проводникам сообщить одинаковые по модулю, но разные по знаку заряды, электрическое поле будет в основном сосредоточено между этими проводниками – обкладками конденсатора. Модуль заряда каждой из обкладок – заряд конденсатора.

Ёмкость конденсатора – характеристика конденсатора, равная отношению заряда конденсатора к модулю разности потенциалов между его обкладками (напряжению на обкладках):

C

Q

Q

φ

φ

U

.

(22.5)

Ёмкость конденсатора зависит от формы и размеров обкладок, их взаимного расположения, диэлектрических свойств среды между обкладками и не зависит от заряда, напряжения и т. п.

Для расчёта ёмкости любого конденсатора нужно мысленно придать ему заряд, найти напряжение между обкладками, а затем ёмкость по определению (22.5).

В ТАБЛИЦЕ 22.1 представлены конденсаторы простейшей формы и стандартные формулы55 для вычисления их ёмкости. Примеры вывода подобных формул даны

НИЖЕ.

55 Эти формулы относятся к конденсаторам, пространство между обкладками которых заполнено однородным диэлектриком с относительной диэлектрической проницаемостью ε. В других случаях формулы для вычисления ёмкости нужно выводить заново, пользуясь определением ёмкости.

Источник: https://files.student-it.ru/previewfile/285299