Расчет емкостей плоскопараллельных проводников удобно выполнить методом конформных отображений.
Формула
для расчета емкости конденсатора без учета эффекта проникновения поля в
подложку
,
.
Сравнение
этих формул дает количественную оценку ошибки в интерпретации значения
диэлектрической проницаемости пленки:
,
где ε - значение диэлектрической проницаемости пленки, без учета проникновения поля в подложку.
Таким
образом при
ошибка будет находиться в пределах (45...50) %.
Структура “диэлектрическая подложка - сегнетоэлектрическая пленка” может быть использована в качестве диэлектрического заполнения объемного резонатора. Резонансная частота резонатора зависит от диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической пленки и эта зависимость, может быть математически точно найдена для конкретного типа резонатора. Собственная добротность объемного резонатора с сегнетоэлектрической пленкой определяется в основном tgd пленки. Поэтому по экспериментальным значениям резонансной частоты f0 и собственной добротности Q0 резонатора можно рассчитать e и tgd сегнетоэлектрической пленки. Эти же параметры можно определить, используя измерения и расчет в полуволновом щелевом, многощелевом резонаторе, образованном структурой “сегнетоэлектрическая пленка - диэлектрическая подложка” с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами.
Известно, что добротность объёмного резонатора, рассчитывается из
соотношения:
. (2.1)
Реальный
резонатор находится в режиме вынужденных колебаний, и он связан с возбуждающей
линией и нагрузкой, но обычно его рассматривают как систему изолированную,
обладающую максимальной энергией в момент резонанса. В этом случае максимальная
запасённая энергия на частоте резонанса равна энергии электрического или
магнитного поля:
. (2.2)
Однако,
соотношение для реального резонатора приблизительно, так как фазовый сдвиг
между векторами
и
отличается
от
, в связи с влиянием элементов связи, обеспечивающих
реальный вынужденный режим резонатора. Поэтому соотношение для
на самом деле относится к случаю идеального
резонатора, в котором колебания происходят на собственных частотах.
Средняя
мощность потерь складывается из двух видов: собственных потерь, вызванных
потерями в металле резонатора
и
диэлектрических потерь
, а также потерь на излучение
через элементы связи. Таким образом, средняя мощность
потерь в резонаторе равна:
. (2.3)
Следовательно,
из (2.1-2.4) следует, что добротность резонатора может быть представлена в
виде:
. (2.4)
где
,
,
.
При
этом можно ввести понятие собственной добротности резонатора:
. (2.5)
Очевидно,
что потери всех видов находятся во взаимосвязи через возмущения полей
резонатора, вызванные соответствующими источниками потерь. Обычно потери малы и
поэтому
вычисляют исходя из распределения поля в отсутствие
потерь, а
и
находят
независимо друг от друга. Таким образом, расчёт добротности можно выполнить при
известном решении задачи о собственных колебаниях объёмного резонатора.
Рассмотрим
сначала собственную добротность резонатора только за счёт потерь в металле.
Модель резонатора для расчёта
представим
в следующем виде: полуволновой резонатор с произвольной формой поперечного
сечения находится в режиме собственных колебаний. Иначе говоря, резонатор образован
двумя идеальными короткозамыкающими плоскостями, образующими короткозамкнутый с
обеих сторон полуволновой отрезок линии передачи. В таком резонаторе существует
колебательный процесс, который можно трактовать как периодическое отражение
потока мощности от идеальных закорачивающих плоскостей.
Обозначим
через
- мощность распространяющуюся по длине резонатора.
Последовательные отражения от идеальных отражающих плоскостей приводят к
колебательному режиму, который затухает во времени за счёт конечной собственной
добротности резонатора. Время «пробега» по длине резонатора определяется
очевидным соотношением
,
где
- полуволновая длина резонатора,
- групповая скорость распространения энергии в
резонаторе. Поэтому запасённую энергию можно определить как
. Коэффициент «два» определяет, что в резонаторе
существует два равноправных потока энергии распространяющихся навстречу друг
другу от одной отражающей стенки к другой. Используя соотношение для
,
запишем
запасённую энергию на резонансной частоте
в виде:
. (2.6)
Потери
в металле резонатора определяются коэффициентом затухания в линии
по соответствующему типу волны. Таким образом,
мощность потерь, возникающая в резонаторе за один период колебания равна:
. (2.7)
Подставив
в соотношение (2.1) соотношения (2.6) и (2.7), найдем собственную добротность
(2.8), вызванную конечной проводимостью в стенках металлического объемного
резонатора:
. (2.8)
Очевидно,
что в этом соотношении следует сделать замену
и
тогда:
. (2.9)
Аналогичное соотношение можно получить исходя из иного подхода к расчёту собственной проводимости резонатора.
Рассмотрим резонансный отрезок линии передачи, закороченный с обеих сторон (рис. 2.1).
Рис.
2.1.
Мнимую
часть постоянной распространения
будем
считать обусловленной потерями в металле. Входное сопротивление линии в
плоскости короткого замыкания АА:
, где
- волновое сопротивление линии. В этом соотношении
, следовательно,
можно
записать, заменив
на
в виде:
(2.10)
Вблизи
резонанса возможно упрощение, так как
и
, значит
и в
знаменателе следует пренебречь квадратом малой величины, что преобразует (2.10)
к виду:
. (2.11)
Введём
малую частотную расстройку
и это
приведет к увеличению резонансной длины резонатора на
, то есть на частоте
длина
.
Тогда
. А так как
,
следовательно,
. С другой стороны
. Поэтому
окончательно
в соотношении (2.11) можно представить в виде:
. (2.12)
Последовательный
колебательный контур при расстройке
имеет
входное сопротивление
. Значит, входное сопротивление резонатора в плоскости
АА (2.12) и входное сопротивление последовательного колебательного контура
имеют одинаковый вид. Следовательно, объёмный резонатор, образованный
полуволновым отрезком линии передачи, закороченной с обеих сторон, можно
представить в виде последовательного колебательного контура с эквивалентными
параметрами: сопротивлением потерь
и
эквивалентной индуктивностью
. Тогда
собственная добротность резонатора, определённая из его эквивалентных
параметров, будет равна:
. (2.13)
Очевидно,
при
соотношение (2.13) переходит в формулу (2.9).
Рассмотрим
составляющую собственной добротности резонатора, вызванную диэлектрическими
потерями. В этом случае, если диэлектрик включен частично в объём резонатора,
то есть диэлектрическое заполнение резонатора неоднородно, то в соответствие с
общим определением собственной добротности
можно
представить в виде:
,
где
в числителе формулы
является функцией координат,
- объём, занимаемый диэлектриком с потерями,
определяемыми значением
.
С
другой стороны, потери, возникающие в объёме резонатора, приводят к комплексной
резонансной частоте
. Постоянная затухания контура
, где
- период
собственных резонансных колебаний, а собственная добротность равна
. Полагая
,
получим, что
. Оценивая собственную добротность только за счёт
диэлектрика, частично включённого в резонатор, можно
записать
. Таким образом,
,
получаем (2.14):
. (2.14)
К
аналогичному результату можно придти, подставив соотношение
определяющее потери в линии за счёт
, в формулу для собственной добротности (2.9):
. (2.15)
Можно
записать (2.15), имея в виду правило дифференцирования сложной функции
, что приведет в свою очередь к виду (2.14).
Используя
переход к эквивалентным
и
параметрам,
объёмного резонатора можно, на основании формулы (2.12) получить, что эквивалентное
емкостное сопротивление объёмного резонатора представлено в виде эквивалентного
последовательного колебательного контура и равно
.
Сопротивление потерь по-прежнему определяется формулой
. Подставляя сюда
получим
. Из эквивалентных параметров собственная добротность
контура, определяемая только потерями в диэлектрике конденсатора, как известно
равна
. Подставляя в эту формулу требуемые величины, учтя,
что
, сразу получим соотношение (2.15).
Рис. 2.2. Поперечное сечение волновода с диэлектрическим заполнением
Добротность
резонатора, вызванная затуханием в его стенках за счет конечной проводимости
равна:
, (2.16)
где
V - объем резонатора, S - поверхность стенок резонатора,
- поверхностное сопротивление;
- глубина скин-слоя в металле стенок резонатора.
Для
LE10 найдем распределение Еy, Hх, Нz на поперечном сечении решив уравнение
(2.17)
, (2.17)
с
учетом граничных условий на металле и диэлектрических границах. В области 0 £ х £ d1
; на поперечном сечении пленки d1£х£d12
; в свободной от диэлектрика области поперечного
сечения d12£ х £ а
. Из уравнений Максвелла найдем составляющие
магнитного поля:
;
,
, (2.18)
,