Материал: Ершова Теория и моделирование структуры и характеристик 2012

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

где

 

 

 

 

 

– компоненты тензора деформации,

 

 

 

α, β ={1,2,3}, u1 ≡ ux, u2 ≡ uy, u3 ≡ uz; x1 ≡ x, x2 ≡ y, x3 ≡ z.

Полученное выражение справедливо как для изменения энергии идеальной системы, так и для изменения энергии системы с дефектом (в том числе и для случая, когда атом находится в седловой позиции) в поле напряжений.

В случае гидростатического давления P:

εαα = – P/3K0; εαβ = 0 (α β). Подставляя Ed (изменение энергии системы с дефектом) и E0 (изменение энергии идеальной систе-

мы) в уравнение (1.26), получаем выражение для первого слагаемого в объеме образования дефекта, связанного с зависимостью энергии системы от внешнего давления:

, (1.30)

где K0 – модуль всестороннего сжатия, Rijd – расстояние между атомом i и атомом j в системе с дефектом, Rij0 – расстояние между атомом i и атомом j в идеальной системе (без дефекта).

1.4. Влияние давления на энергию системы с атомом в седловой позиции и обусловленный этим эффектом вклад в величину объема миграции

Объем миграции так же, как и объем образования, представляет собой сумму двух частей. Первая часть обусловлена разным влиянием давления на энергию системы с атомом в седловой и основной позициях, а вторая – связана с изменением объема системы как целого при миграции дефекта:

. (1.31)

Согласно Глайду [11] частоты скачков атомов в разных направлениях определяются следующим выражением:

21

,

(1.32)

где Гi – частота скачков атомов в направлении i; Qi = Ew-E0 – активационный барьер перехода атома в направлении i; νi – частотный множитель. Поле напряжений в общем и давление в частности меняют атомную конфигурацию окружения дефекта. Причем следует отметить, что здесь учитываются не только изменения расстояний между перескакивающим атомом и его соседями, но и изменения расстояний между остальными атомами системы (например, расстояния, обозначенные пунктирными линиями на рис. 1.1).

Рис. 1.1. Схема скачка атома в вакансию. ОЦК структура. Голубой шарик изображает вакансию

Следовательно, локальная величина активационного барьера перескока атома также изменяется в соответствии с изменением атомной конфигурации: Q = Qi - Qi0 = Ew – Ed, где Qi0 – активационные барьеры в системе с дефектом в отсутствие внешнего поля. Изменения в поле напряжения энергий систем с дефектом в основной и седловой позициях определяются выражением (1.19). По-

22

где RijW, Rijd

сле подстановки в уравнение (1.21) и преобразований, аналогичных описанным в разделе 1.2, можно получить [8,9,12,13]:

, (1.33)

– расстояние между атомом i и атомом j в системе с вакансией, когда перескакивающий атом находится в седловой позиции и когда перескакивающий атом находится в исходной позиции соответственно.

Следующие разделы посвящены применению известных теоретических подходов и моделей для расчета диффузионных характеристик точечных дефектов (в частности характеристик, описывающих влияние давления на диффузию).

2. РАСЧЕТ ОБЪЕМА ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТА, ОСНОВАНЫЙ НА ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ

Финнис (Finnis) и Сачдев (Sachdew) [14] получили общее выражение для объема образования. Полагая температуру равной нулю, полная энергия, необходимая для создания вакансии, может быть записана:

. (2.1)

Здесь – ключевая величина их теории, представляет собой энергию образования вакансии при постоянном объеме (различие не существенно, когда давление обращается в ноль, но оно весьма значимо при взятии производной по объему). Тогда свободная энергия Гиббса:

,

(2.2)

и, используя стандартное термодинамическое выражение для объема образования [13], получим:

23

.

(2.3)

Это выражение подходит для любых расчетов, в том числе с ис-

пользованием теории псевдопотенциала второго порядка Поповича и др. (PCP) [15], которую применяли Финнис и Сачдев [14].

Финнис и Сачдев для своих расчетов использовали модель с жесткими граничными условиями и расчетные ячейки, содержащие менее 500 атомов. Изменяя на ±3%, строя зависимость энергии образования точечного дефекта от и определяя угол наклона этой зависимости в точке, соответствующей реальному объему, приходящемуся на атом для данного металла при нулевом давлении, они рассчитывали объем образования точечного дефекта, используя уравнение (2.3). При этом релаксация атомов расчетной ячейки проводилась с использованием метода сопряженных градиентов.

Авторы рассчитали энергии образования для натрия и алюминия и объемы образования по полученному ими выражению (2.3) для тех же металлов, используя псевдопотенциал (объемозависимый), теорию Поповича и др. [15] (PCP) и стандартный жесткий парный потенциал (в гармоническом приближении). Описанный выше теоретический подход примечателен тем, что в нем объем образования не рассматривается как разность объемов каких-то состояний системы, а определяется исходя из общих термодинамических соотношений. Однако сами авторы отмечают, что их результаты не являются полностью удовлетворительными (так объем образования для натрия, рассчитанный с использованием жесткого парного потенциала, оказался отрицательным), и что необходимо использовать более надежные потенциалы, а также разработать более самосогласованную модель для расчетов.

В дальнейшем некоторые авторы стали использовать подобное выражение и для расчета объема миграции, строя зависимости энергии от объема, приходящегося на атом, и для случая активированного состояния системы, хотя использование уравнения (2.3) для неравновесного процесса является необоснованным.

24

3. МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ СТАТИКИ

Эта глава посвящена описанию одного из основных методов моделирования на атомном уровне – методу молекулярной статики. Этот метод изначально развивался как метод нахождения атомарной структуры в ближайшей окрестности дефекта и в ряде случаев структуры самого дефекта путем минимизации энергии системы, содержащей дефект, посредством варьирования координат составляющих систему атомов. В связи с указанным математическим аппаратом метод на начальных этапах развития назывался вариационным. В этой главе вначале приводятся в кратком изложении некоторые элементы классической линейной теории упругости, используемые в дальнейшем в алгоритмах рассматриваемых здесь моделей, затем подробно описывается одна из получивших широкое распространение при использовании метода молекулярной статики модель – модель Джонсона, и далее приводятся полученные с ее помощью результаты, касающиеся атомарной структуры и характеристик наиболее значимых точечных дефектов.

3.1.Некоторые элементы теории упругости

Вклассической теории упругости дефект рассматривается как

центр дилатации системы. Если дефект введен в любую точку внутри замкнутой поверхности S, проведенной в бесконечной матрице, то элемент поверхности dS с нормалью n смещается и проходит объем undS, где u (вектор смещения) определяется при реше-

нии уравнения равновесия статической изотропной теории упруго-

сти [16,17]:

.

(3.1)

Здесь λ – модуль Ламе, μ – модуль сдвига. Решение этого уравнение представимо в виде ряда по сферическим функциям, имеющего, вообще говоря, бесконечное число слагаемых, зависит от сферических координат, и если центр системы отсчета совпадает с центром дилатации, то, прежде всего, от расстояния до центра дилатации (т.е. дефекта) [17]. Так, например, первое слагаемое ряда,

обладающее сферической симметрией, имеет вид [16,17]:

 

,

(3.2)

25

Источник: https://studfile.net/preview/16708760/