Материал: Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

 

 

3. Интегральный драйвер высокого уровня

 

 

 

 

 

 

При

 

средних

уровнях

питающего

 

 

 

 

 

 

напряжения, обычно для 24- или 48-вольтовых

 

 

 

VDRV

VIN

 

систем, драйвер высокого уровня может быть

 

ШИМ - контроллер

 

 

 

интегрирован

в

ШИМ

-

контроллер,

как

 

 

VCC

 

 

 

показано на рис. 24.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D BST

 

 

 

 

 

до 600В,

 

 

 

 

 

 

Для больших же напряжений,

 

уровня

VBST

 

 

 

выпускаются

отдельные

драйверы

высокого

 

 

 

R GATE

 

уровня (иногда совмещенные с

драйвером

 

сдвига

OUT

 

 

 

 

 

 

низкого уровня),

как правило,

построенные по

 

SRC

 

C BST

 

различным,

уникальным для разных компаний

 

Схема

 

 

 

 

 

 

 

 

схемам

сдвига

уровня.

Что

бы

обеспечить

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

 

низкий уровень рассеиваемой мощности, такие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

драйверы должны иметь очень низкий уровень

 

 

 

 

 

 

тока через схему сдвига уровня при

 

 

 

 

 

 

включенном состоянии силового ключа - ведь

 

 

 

 

 

 

каждый

миллиампер

утечки

 

будет

приводить

 

Рис. 24 Интегрированный бутстрепный драйвер

 

примерно к 0,5Вт рассеиваемой на драйвере

 

 

 

 

 

 

мощности.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VBST

 

В таких случаях чаще всего применяется

 

 

 

 

 

 

схема

сдвига

уровня

 

под

названием

 

 

 

 

 

 

"импульсная защелка" (pulsed latch), блок -

 

 

 

 

 

 

схема которой приведена на рис. 25.

 

 

 

 

ФИЛЬТР

 

 

 

 

Как видно из схемы, входной

сигнал от

 

 

R

Q

 

ШИМ - контроллера преобразуется в

очень

ШИМ

 

S

Q

OUTH

короткие импульсы, на короткое время

 

 

 

 

 

 

открывающие транзисторы, ответственные за

 

 

 

 

 

 

сдвиг уровня напряжения. Соответственно,

 

 

 

 

 

 

плавающая

часть драйвера

тоже содержит в

 

 

 

 

 

SRC

себе устройство, которое восстанавливает из

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

этих

коротких

импульсов

 

первоначальный

 

 

 

 

 

 

сигнал, и обладает некими фильтрующими

 

 

 

 

 

 

свойствами

 

для

исключения

ложных

 

Рис. 25 Бутстрепный драйвер на основе Pulsed Latch

 

переключений

 

под

воздействием

внешних

 

 

 

 

 

 

 

 

 

наводок. В итоге подобная схема имеет

 

 

 

 

 

 

чрезвычайно низкий ток через схему сдвига,

 

 

 

 

 

 

поскольку сигнал передается очень короткое время. Плата за это - пониженная устойчивость к внешним наводкам.

Типичная длительность управляющего импульса для 600-вольтовой схемы составляет порядка 120нс; это время

прибавляется к обычной задержке внутри драйвера и обычно приводится в спецификации на драйвер. Из-за этой

задержки рабочую частоту интегральных драйверов высокого уровня +приходится ограничивать на уровне порядка

пары сотен килогерц.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Некоторые низковольтовые (до 100В) драйверы используют непрерывную схему сдвига уровня напряжения, и

они могут работать на гораздо более высоких частотах.

 

 

 

 

 

4.Процессы переключения драйверов высокого уровня

Применение схемы высокого драйвера для управления n-канальным транзистором приведено на рис. 26. В плане процессов переключения она идентична схеме прямого управления n-канальным полевым транзистором верхнего уровня, рассмотренной ранее.

Наибольшие неприятности вызывает наличие отрицательного выброса на истоке силового ключа при его выключении. Как мы уже выяснили, амплитуда этого импульса пропорциональна паразитной индуктивности между выводом стока и землей, включая паразитную индуктивность возвратного диода, и скорости выключения силового транзистора, определяемой входной емкостью CISS и величиной затворного резистора RGATE. Отрицательный выброс создает особенно серьезные проблемы для выходного каскада драйвера еще и из-за того, что вывод истока силового ключа подсоединен непосредственно к "истоковому" выводу драйвера (обычно называемому SRC или VS), и способен опустить некоторые внутренние компоненты драйвера значительно ниже уровня земли.

21

 

 

 

 

VDRV

 

 

D

BST

 

 

VIN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC

 

 

 

 

VCC

 

 

VB

 

 

 

ШИМконтроллер-

 

 

 

 

 

уровнясдвигаСхема

C BST

 

 

 

 

C

DRV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

OUT

 

 

 

 

IN

 

 

 

OUT

R GATE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

VS

 

 

 

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Драйвер верхнего уровня

 

Выброс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

отрицательного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжения

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 26

Интегральный драйвер верхнего уровня

 

 

Отрицательный выброс может привести еще к одной неприятности, связанной с излишним напряжением на

бутстрепной емкости. Поскольку "нижний" конец конденсатора CBST привязан к истоку силового ключа, а "верхний"

конец - через диод на напряжение питания контроллера VDRV, при выключении силового транзистора амплитуда

отрицательного выброса на его истоке суммируется с VDRV, и напряжение на бутстрепном конденсаторе может

превысить предельно допустимое. Небольшой резистор, включенный последовательно с бутстрепным диодом,

может облегчить эту проблему, но, к сожалению, такое решение ненадежно, да и скорость заряда бутстрепного

конденсатора уменьшается.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схему можно надежно защитить с помощью небольшого диода Шоттки, как показано на рис. 27. Затворный

резистор перенесен в цепь между истоком силового транзистора и выводом SRC драйвера, и добавлен маленький

диод Шоттки с низким падением от вывода SRC

 

 

 

 

на землю. Теперь RGATE выполняет двойную роль

 

 

VDRV

VIN

- во-первых,

как и раньше,

ограничивает скорость

ШИМ - контроллер

переключения силового

транзистора,

во-вторых,

или выходной каскад

 

 

драйвера

 

 

ограничивает

ток

через

 

диод

Шоттки

от

 

 

 

 

VCC

 

 

отрицательного выброса во время переходного

 

D BST

 

 

 

 

процесса выключения. Теперь напряжение на

уровня

VBST

 

 

истоке силового ключа может опускаться на

 

 

 

несколько вольт ниже уровня земли без каких бы

сдвига

OUT

 

 

то ни было неприятностей в работе драйвера.

К

 

C BST

R GATE

тому же, ограничивается напряжение на

Схема

SRC

бутстрепном

конденсаторе

двумя

 

встречно

GND

 

 

включенными диодами.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Можно назвать только один недостаток

 

 

 

 

такого решения - ток заряда конденсатора CBST

 

 

 

 

теперь протекает через резистор RGATE, время

 

 

 

 

заряда CBST увеличивается, и это может

 

Рис. 27 Защита вывода SRC

ограничить

величину

минимально

возможного

 

 

 

 

коэффициента заполнения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

22

5.Питание драйвера верхнего уровня - проблемы запуска и переходных процессов

ШИМ - контроллер

 

VBIAS

 

VDRV

D

BST

 

VIN

 

 

 

 

 

 

 

 

VCC

 

 

 

 

Драйвер верхнего уровня

 

C IN

 

 

 

 

 

 

 

C

 

C

 

 

VCC

VB

C BST

 

BIAS

DRV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R GATE

 

OUT

 

 

 

 

IN

OUT

 

VOUT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

VS

 

C OUT

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 28

Питание драйвера верхнего уровня

 

На рис. 28 показана типовая схема включения драйвера верхнего уровня. Теперь мы рассмотрим выбор одного из самых важных компонентов в этой схеме - бутстрепного конденсатора CBST, поскольку именно он пропускает высокие пиковые токи перезаряда входной емкости силового ключа. При нормальной работе этот конденсатор переносит следующие заряды и токи: суммарный заряд включения силового ключа (QG), заряд восстановления обратного сопротивления (QRR) и ток утечки (ILK,D) диода DBST, ток схемы сдвига уровня (IQ,LS), ток питания драйвера (IQ,DRV) и ток утечки затвора силового транзистора (IGS) (включая ток через резистор, обычно включаемый между истоком и затвором). Некоторые из этих токов протекают только во время включенного состояния силового ключа, а некоторые вообще могут быть равны нулю - в зависимости от конкретной реализации драйвера.

Исходя из этого можно рассчитать необходимую емкость бутстрепного конденсатора в зависимости от

требуемой величины пульсаций

UBST на нем.

 

QG + QRR + IBST ∙

DMAX

 

 

CBST =

fDRV

, где IBST=ILK,D+IQ,LS+IQ,DRV+IGS

UBST

 

 

 

 

 

Для окончательного выбора величины CBST неплохо было бы рассмотреть еще два экстремальных режима работы. При резком изменении нагрузки драйвер должен удерживать ключ в открытом или в закрытом состоянии в течении нескольких циклов, и энергии в конденсаторе CBST должно хватить для удержания напряжения питания верхнего драйвера выше порога его отключения.

При резком увеличении нагрузки контроллер может удерживать силовой ключ в открытом состоянии, пока ток

в дросселе не увеличится до уровня выходного тока. Максимальное время этого открытого состояния (tON,MAX) обычно определяется величиной напряжения на дросселе. В этом случае емкость CBST может быть оценена как:

CBST,MIN =

QG + QRR + IBST ∙ tON,MAX

,

 

 

VBST − VUVLO

где VBST - начальное напряжение на бутстрепном конденсаторе, и VUVLO - порог отключения драйвера при понижении питания. В случае драйвера на дискретных компонентах минимальное напряжение, до которого может опускаться напряжение бутстрепного конденсатора, определяется напряжением надежного открывания полевого транзистора.

При резком уменьшении нагрузочного тока контроллер пропускает несколько импульсов, и когда ток через дроссель прекратится, напряжение на истоке силового транзистора установится на уровне выходного напряжения. В этом случае энергии в CBST должно хватить не только на обычный разряд всех паразитных элементов, но и на включение силового транзистора в первом цикле после паузы. Аналогично предыдущему случаю можно рассчитать необходимую величину бутстрепного конденсатора:

CBST,MIN =

QG + (ILK,D + IQ,LS + IQ,DRV ) ∙ tOFF,MAX

VBST − VUVLO

 

23

ШИМ - контроллер

 

VBIAS

 

VDRV

D

BST

 

 

 

VIN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D START

R START

 

VCC

 

 

 

Драйвер верхнего уровня

 

 

 

C IN

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

C

 

VCC

VB

C BST

D Z

 

 

BIAS

DRV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

OUT

 

 

 

IN

OUT

 

R GATE

Батарейка

 

 

 

 

 

 

VOUT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

VS

 

 

 

C OUT

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 29 Схема запуска бутстрепного драйвера

В некоторых случаях, например в зарядных устройствах, напряжение на выходе присутствует еще до включения самого конвертора. В этом случае исток силового транзистора и нижний вывод CBST находятся под потенциалом выхода, и бутстрепный конденсатор не может зарядиться до напряжения большего, чем разница между напряжением питания контроллера и выходным напряжением. Этого напряжения может не хватить для включения драйвера верхнего уровня в первом цикле.

При достаточно большой разнице входного и выходного напряжений решению этой проблемы может помочь дополнительная цепочка из резистора RSTART, диода DSTART и стабилитрона DZ, включенная в соответствии с рис. 29. Напряжение стабилитрона DZ должно быть чуть больше напряжения на бутстрепном конденсаторе в нормальном режиме работы, и ток через резистор RSTART желательно выбирать минимально возможным для устойчивого запуска при минимальном входном напряжении - это уменьшит дополнительные потери от введения такой цепи.

6.Разводка земли

Следует обратить внимание на три основных момента в разводки цепи земли драйвера высокого уровня n-канального транзистора. Рассмотрим классическую схему включения такого драйвера (рис. 28) и выделим основные пути протекания импульсного тока.

Первый важный момент -

минимизация физической области протекания затворного тока. Но, при

использовании драйвера высокого уровня, пути протекания тока не совсем очевидны. При включении силового ключа все нормально - ток протекает через бутстрепный конденсатор, "верхний" транзистор выходного каскада драйвера, резистор RGATE, вывод затвора и

замыкается в точке соединения вывода стока и бутстрепного конденсатора. При

выключении же силового транзистора затворный ток приходится разбивать на две составляющие. Ток разряда конденсатора CGS протекает через "нижний" транзистор выходного каскада драйвера, резистор RGATE и выводы затвора и стока основного ключа, и этот ток локализован в небольшой области. А вот ток разряда конденсатора CGD течет по более длинному пути: через резистор RGATE, "нижний" транзистор выходного каскада драйвера, через выходной фильтр и, наконец, через входной конденсатор CIN. И при разводке печатной платы все

 

 

VBIAS

 

VIN

контроллер-ШИМ

VCC

VCC

 

VB

 

сдвигаСхемауровня

 

IN

R GATE

 

OUT

 

OUT

 

 

 

 

 

 

GND

 

VS

 

GND

 

 

 

 

 

Драйвер верхнего уровня

 

 

 

VBIAS

 

VIN

 

VCC

VCC

 

VB

 

 

уровня

 

 

 

R GATE

контроллер

 

 

сдвигаСхема

OUT2

HI

HO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VS

ШИМ-

 

 

 

 

 

OUT1

LI

 

LO

 

 

 

 

 

 

GND

 

COM

 

GND

 

Полумостовой драйвер

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 30 Емкостные токи в высоковольтных схемах

24

эти три пути протекания затворного тока должны быть минимизированы по площади.

Вторая проблема заключается в минимизации пути следующего большого импульсного тока - тока заряда бутстрепного конденсатора. Этот путь включает в себя бутстрепный конденсатор, бутстрепный диод, вывод VS драйвера и открытый возвратный диод (или транзистор). Конденсатор CBST периодически подзаряжается через диод DBST от демпфирующего конденсатора CDRV, и происходит это за очень короткое время соответственно очень большим током. Поэтому "высокая" часть драйвера должна быть расположена как можно ближе к его "низкой" части. Кроме того, существует эмпирическое правило, что конденсатор CDRV должен иметь большую величину, чем CBST. Выполнение этих правил так же чрезвычайно важно для устойчивой работы схемы.

Следующая проблема связана с наличием емкостного тока между землей и "высокой" частью драйвера, протекающего по низкоимпедансной цепи, и наша задача пропустить его мимо чувствительных к наводкам аналоговых цепей. На рис. 30 показаны пути этого паразитного емкостного тока в двух наиболее распространенных схемах применения интегральных драйверов высокого уровня.

Одиночный драйвер высокого уровня имеет, как правило, всего один земляной вывод, и емкостные токи будут протекать через общие с управляющим сигналом цепи. Поэтому очень желательно минимизировать путь прохождения емкостного тока между земляными выводами контроллера и драйвера - это позволит минимизировать разность потенциалов между ними.

В случае использования комбинированного драйвера высокого/низкого уровня ситуация обычно гораздо лучше, поскольку такие драйверы имеют отдельные выводы сигнальной земли (обычно помечаемой как GND) и силовой земли (COM). Это позволяет возвращать паразитные емкостные токи по наиболее короткому пути - вывод силовой земли COM стараются расположить как можно ближе к истоку "нижнего" силового ключа. Сигнальную же землю драйвера лучше подключать как можно ближе к земляному выводу контроллера - это позволит увеличить помехоустойчивость схемы.

Наконец, следует упомянуть о фильтрующем конденсаторе по питанию контроллера (CBIAS на рис. 28), его рекомендуется располагать в непосредственной близости от выводов питания и земли. Этот конденсатор может быть весьма небольшим, поскольку он не пропускает через себя никаких больших импульсных токов, и не участвует в процессах перезаряда входных емкостей силовых ключей - всю работу берут на себя конденсаторы CDRV и CBST.

7.

Схемы управления, развязанные по постоянному току

 

 

Это

один

 

из

самых

простых

способов

 

изменения

 

 

 

 

величины управляющего сигнала - самое важное его свойство

 

VDRV

 

 

 

 

 

 

состоит

в

 

изменении

амплитуд

включающего

и

 

VCC

 

 

выключающего

 

сигналов.

Из

рисунка

31

видно,

что

 

+V DRV

VDRV -VCL

напряжение на затворе силового полевого транзистора

 

контроллер

 

 

 

изменяется от -VCL до VDRV-VCL, в то время как сигнал с

0V

-VCL

 

выхода

драйвера

имеет

амплитуду

от

нуля

 

до

VDRV.

OUT

 

 

Напряжение

VCL

формируется

на

смещающей

диодно

-

-

 

 

 

ШИМ

C C

 

 

стабилитронной цепочке, и в установившемся режиме

 

 

IC,AVE =0

 

 

постоянно приложено к развязывающему конденсатору CC.

 

 

-VCL

R SG

Положительным свойством такой схемы можно назвать

 

 

 

 

наличие отрицательного смещения на затворе - это приводит к

 

GND

 

 

увеличению скорости выключения силового ключа и

 

 

 

 

повышенной устойчивости его к резким изменениям

 

 

 

 

напряжения

на

нем

в закрытом

состоянии.

Соответственно,

Рис. 31 Схема развязки по постоянному току

как относительный недостаток - уменьшенное напряжение

 

 

 

 

высокого уровня и большее сопротивление открытого ключа.

 

 

 

 

 

Рассмотрим основные компоненты такой схемы - развязывающий конденсатор CC и резистор RGS.

 

 

Резистор RGS играет ключевую роль при подаче напряжения питания - это единственный компонент, способный

удержать силовой ключ в закрытом состоянии в этом режиме. К тому же, этот резистор создает путь для протекания

тока развязывающего конденсатора - без этого тока постоянная составляющая на CC всегда будет равна нулю.

 

Попробуем определить постоянную составляющую на развязывающем конденсаторе в установившемся режиме

работы в зависимости от величины RGS. Сначала рассмотрим схему без смещающей цепочки. Считая коэффициент

заполнения постоянным (напряжение на CC тоже будет постоянным), можно рассматривать ток через RGS как

дополнительный компонент заряда, проходящего через развязывающий конденсатор. Общий заряд, протекающий

через CC при включении силового ключа, будет равен:

 

 

 

 

 

 

QC,ON = QG +

VDRV − VC

∙

D

 

fDRV

 

RGS

25

Источник: https://studfile.net/preview/16512330/