Рис. 9. Рлопределение средних напряжений лш» включений-пусто г со слонмп и без слоен
слоя (// = 1,83 и Ес = 1,1)0), при которой деформационный макси мум удается понизить до 0,915 , т.с. в 1,05 раза по сранпению с вари антом без слоя. Однако по мере сближения включений выигрыш за счет слоя становится псе меньше, л, когда промежуток между вклю чениями уменьшается до 0,3 , предпочтительным вариантом снопа становится бссслоЛиый.
Таким образом, л в отношении деформаций должен быть спра ведлив вывод, сделанный шише применительно к гидростатическим напряжениям: при достаточно высоких концентрациях твердых включений наличие слоев, прочие скрепленных с включениями, нс может принести к значительному ослаблению деформационной кон центрации.
Этот безрадостный вывод может быть, однако, це]>есмогрен,ссли принять, что слои не скреплены с включениями, ыо остаются свя занными с матрицей. Имитация такою состояния может быть ре ализовали (но-виднмому, без большой погрешности), если заменить жесткие включения пустотами, окружеинымн слоями. В этом слу чае расчеты выявили высокую эффектная ость слоев как средства, ослабления концентрации микроиаиряжепиИ и мнкродсформлцкИ.
11а рнс. 9 для примера сравниваются распределения величин <701Ет о оптимальной системе и в бсселойном варианте. Видно, что н варианте без слон максимальное гидростатическое напряженке ни ше и раппо 2,0, а в варианте со слоем — 1,1. Этл высокая эффектив ность сохраняется и при уменьшении расстояния между включени-
1
О
5 8
Рис. 10. З л ии слм ость ц о т р асс то я ни и 6 н е ж д у окл ( • к ш ш ш
ямн. Характерная особенность таких систем — небольшая толщина Квысокая жесткость оптимизированных слоев,
Аналогичная закономерность наблюдается и о деформационных полях. На удаленных включениях соответствующим выбором тол щины и модуля удастся снизить концентрацию деформаций о 1,62 раз», При уменьшении расстояния между включениями указанное понижение концентрации сохраняется.
Область значении И к Ес вблизи деформационного оптимума очень полога. В связи с этим создается возможность реализации оптимума при различных толщинах слоев путем правильного выбо ра значений модуля. Оказалось, что для заданного расстояния 5 нежду включениями произведение
// * . = !1 = т (О
в области оптимума является практически постоя имой величиной. Одкахо г) зависит от расстояния между включениями, Форма этой эапнсимости показана на рис. 10.
Таким образом, когда материаловедам удастся создавать матери алы, в которых слои вокруг включении (заданной тощи иы и задан ною модуля) связаны с матрицей и нс скреплены с включениями,
Рис. II. Распределение средних ип11ряж«н11|| между иключеинимн, различаю щимися р и и с р и ш
можно ожидать значительны II; прогресс о повышении прочностных сваНств композитов.
3.3.Включения, различающееся размерами
13сли размер включений и паре неодинаков, поле напряжений и деформаций в матрице л общем случае теряет признаки симметрии.
Расчеты показывают, что размер области, где однородное поле матрицы заметно возмущается присутствием одиночного включе ния, охватывает круг радиусом, примерно и 3 раза большим радиусе включения. Поэтому очень мелкие включения со своими малыми зонами возмущения, попавшие в поле крупного, не п состоянии вы звать заметное искажение последнего (рис. И). В то же время поле круппого включения должно заметно влиять на поле мелкого в за висимости от места его расположения.
Очеш» мелкое включен не, радиус которого в 50-100 раз мспьше, чем у крупного, находящееся д силоном поле крупного включе ния, будет воспринимать свою окрестность как некоторое однород ное иоле, отличное от поля матрицы вдали от включении. Помещай мелкое включение в различные участки ноля крупного включения, мы будем наблюдать существенное различие картин вокруг мелкого
Ряс. 12. Р*сирс1<71сш1с средних напряжении к мпксшминишх дсфордацнй вожр/г мелких пключсинП и. окрестности крупного и точках Л и В
включения. Например, поля средних напряжений н максимальных деформаций вокруг мелких включении, расположенных в точках А, В ■ С (рис. 11, 12), различаются по форме и интенсивности.
Из рис, 12 видно, что концентрация напряжении у мелкого ьклиз менил, попавшего в область высоких деформаций, вызванных крун- Е1ЫА1 включением (точка В), усиливается (но <гР - 2,5 вместо 1,5; но г™, - 2,8 вместо 1,5). Концентрация напряжении у мелкой части цы, гопашней в нскагруженную область (точка А), получается мень ше, чем у одиночной частицы (по а9 = 1,16 вместо 1,6; по 5тм = 0,9 шесто 1,5). И наконец, в гидростатически однородной области (точ ка С) мелкое включение вообще не вызывает каких-либо иэменепиЛ и окружающем среде в связи с несжимаемостью матрицы. Неодно родность структурных напряжении вок руг мелких частиц выражена гораздо сильнее, чем вокруг крупных,
Из всего сказанного вытекает, что а композитах, наполненшах мглючелннми различных размеров, возникает размерная иерархия концентраций, которая становится петоминком размерной иерархии
повреждений структуры. Пр]| этом условия возбуждения поврежде ний мелкими концентраторами зависят от мести их расположения но отношению к крупным концентраторам. Можно предполагать, что а деформируемом материале должны возникать участки, преимуще ственно поврежденные, и участки, менее поврежденные.
4. М е то д в ы ч и сл ен и я эф ф е к т и в н ы х х а р а к т е р и с т и к б а н сам б л я х вкл ю ч ен и й
Из привешенного обзора литературы следует, что стрмгпм и, по жалуй, наиболее распространенным способом оценки эффсктльмых свойств исолпородпых структур является осреднение структурных напряжений и деформации по объему материала. Н исследуемых системах такое осреднение из-за высоких локальных градиентов на пряжений н деформации средствами современной вычислительно!! техники вряд ли возможно. Всвязи с этим нами был разработан дру гой способ вычисления эффективных показателей, названный мето дом внешнего поля.
Сущность метода заключается нс в оценке напряжений и дефор маций внутри ансамбля включении, а в оценке возмущения по внеш нем поле матрицы, вызванного наличием и матрице эт о т ансамбля.
Рассмотрим в качестве примера случайный ансамбль и форме, приближенной к кругу, состоящий пз 19 абсолютно жестких ( Е = = 10000,V —0,5) включений, расположенных в бесконечно несжима емой матрице (Е = 1,1/ = 0,6) (рис. 13). Заполнение круга твердой фазой составляет 50%. Матрица на бесконечности нагружается еди ничным растягивающим напряженней Р = 1 о направлении оси X .
Эффективными свойствами ансамбля будем считать свойства не которого однородного упругого круглот включения, производящего в матрице поле напряжений, идентичное полю, произведенному ан самблем.
Схема расчета имеет следующий вид. Вначале для условий (рис. 13) методом итераций (глава 4) идет поиск решения краевой задачи, которое определяет напряжения к деформации п матрице внутри и вокруг ансамбля. Затем отыскивается радиус н модули од нородного круглого упругого включения, производящего в матрице
| 00359 |
| 1061 |
| 11_7 |
| 16. Естетика |
| 20 гормональные ЛС |
| 2026 |
| 22-25 |
| 26 Понятие агрессивного поведения |
| 284 |
| 2975 |